FIG. 1. (Color online) Structures of the geometry optimized 1-nm NWs. (a)–(c) show the unterminated [100], [110], and [111] NWs, (d)–(f) show the respective O-terminated NWs. Cu is orange and O is red.

QuantumATK在半导体和微电子工业研究中的应用

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QuantumATK 在全世界范围里有几百家单位构成的活跃用户群体,其中包括绝大部分全球知名的半导体和微电子公司。下面是部分企业用户发表的文章: 参考 更多半导体领域的应用方案和实例见:http://www.fermitech.com.cn/vnl-atk/semiconductor/ 立即试用 QuantumATK! 下载QuantumATK软件安装包 申请QuantumATK的全功能试用许可 获取永久免费学术版的VNL图形界面

VNL-ATK材料模拟平台培训课程(2016年长沙站)成功召开

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2016年11月12-13日费米科技主办的“VNL-ATK材料模拟平台培训课程(2016年长沙站)”在湖南师范大学成功召开。费米科技的董栋博士为来自华中地区的近80位用户介绍了VNL-ATK软件2016版的最新实例以及2017版众多令人瞩目的新功能。在随后的上机培训中,董栋博士为大家介绍 VNL-ATK 基本功能和各领域应用的实例,并与老师和同学就各自的研究中的问题进行了深入的交流。 费米科技感谢华中地区用户的大力支持以及湖南师范大学物理与信息科学学院各位老师和同学为组织本次培训付出了大量的努力。 欢迎大家关注费米科技微信公众号(FermiTech)了解我们后续培训信息和参加将与2016年11月27日举办的 VNL-ATK材料模拟平台培训课程(2016年成都站)。

VNL-ATK材料模拟平台培训课程(2016年成都站)邀请通知

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费米科技将于2016年11月27日(周日)在四川大学举办“VNL-ATK材料模拟平台培训课程(2016年成都站)”。真诚的欢迎各位老师、同学莅临指导!费米科技的工程师将现场为您演示VNL-ATK软件,并与您深入地交流、探讨软件的最新应用及技术前景,同时解答您的疑问。 时间:11月27日 9:00~12:00 & 14:00~17:00。 地点: 四川大学望江校区西五教319 具体地址:成都市武侯区一环路南一段24号四川大学 培训费用:免费(食宿交通等费用自理) 联系人:石小杰 (13811530064;shi.xiaojie@fermitech.com.cn) 主讲人:董栋博士 培训内容: 上午: VNL-ATK概述、新功能和开发展望 专题1:器件体系电子输运模拟 构建合理的器件模型 器件体系的结构优化 器件体系计算设置 器件性质分析手段 下午: 专题2:VNL-ATK在通用材料模拟中的应用 VNL-ATK中的第一原理方法介绍 使用VNL-ATK模拟块体材料性质 材料表面的模拟新进展 半无限表面(Surface)模型 材料界面的模拟 分子动力学方法 NEB过渡态搜索 专题3:半导体材料与器件的模拟 带隙问题与掺杂问题 静电势模型与FET器件模拟 局域投影态密度方法及其应用 肖特基势垒研究  现场安装VNL-ATK软件试用版本,请自带笔本电脑。 衷心感谢广大新老学员的关注和支持!我们会继续改进培训的教学质量,同时我们也非常欢迎您为我们提出宝贵的意见和建议,让我们共同进步,期待您的积极参与!

ADF计算化学软件高级培训班(2016年成都站) 邀请通知

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  ADF软件作为计算化学模拟平台以其专业性与易用性得到各大高校及科研院所老师和同学们的青睐。费米科技定于11月26日(周六)在四川大学举办“ADF计算化学软件高级培训班(2016年成都站)”本次培训结合国内外发表的论文,进行深入浅出的、全方位的讲解和同步上机操作,旨在让每个学员从零基础到对该软件全面、深刻地掌握,能够熟练地使用。 时间:11月26日 9:00~12:00 & 13:30~18:00。 地点: 四川大学望江校区西五教3楼319 具体地址:成都市武侯区一环路南一段24号四川大学 培训费用:免费(食宿交通等费用自理) 联系人:石小杰(13811530064;shi.xiaojie@fermitech.com.cn) 培训形式:讲授与练习同步进行(自带笔记本电脑,现场安装最新版试用软件) 主讲人: 刘俊 工程师 ADF软件中国区技术支持。毕业于北京大学化学与分子工程学院,从事计算化学理论以及密度泛函理论的程序化研究。从2010年起担任ADF软件中国技术支持,曾到荷兰ADF软件开发组学习。 培训内容: ADF参数物理意义,以及如何设置 ADF生成各种图像数据及其处理:  拉普拉斯电子密度  键径,原子、键、环、笼临界点  电子局域函数,成键类型 片段相互作用与键能分解 氢键的电子转移NOCV分析 转移积分与电子迁移率 过渡态搜索 荧光与磷光寿命、辐射跃迁速率 自旋轨道耦合的应用(SOCME) 开壳层的NMR计算 激发态几何结构优化 溶液中的Gibbs自由能、溶剂化自由能 表面吸附结构的健能分解、NOCV 周期性体系的图像数据及其处理:  拉普拉斯电子密度  键径,原子、键、环、笼临界点  电子局域函数,成键类型 反应力场:  系综  温度控制  基元反应与反应速率常数、反应网络 真诚的欢迎各位老师、同学莅临指导! 在线报名(报名后,会在半小时内收到确认邮件,如果没有收到请查看垃圾箱,或联系sales@fermitech.com.cn):

VNL-ATK材料模拟平台培训课程(2016年长沙站)邀请通知

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为了使各位老师和同学更好的了解 VNL-ATK 材料模拟平台的新功能,更好的开展相关领域的研究,费米科技将于2016年11月12日至11月13日举办“VNL-ATK材料模拟平台培训课程(2016年长沙站)”,活动现场提供 VNL-ATK 的试用版,欢迎各位老师和同学积极参加。 课程时间:2016年11月12—13日(共两天) 课程地点:湖南师范大学 量子楼410 具体地址:长沙市岳麓区桃子湖路15号 培训课程内容: 第一天上午(9:00-12:00) 报告:VNL-ATK平台概述、新功能和开发展望 专题1:器件体系电子输运模拟 构建合理的器件模型 器件体系的结构优化 器件体系计算设置 电子输运性质分析计算 第一天下午(14:00-17:00) 专题2:半导体材料与器件的模拟 带隙问题与掺杂问题 静电势模型与FET器件模拟 局域投影态密度方法及其应用 肖特基势垒研究 专题3:VNL-ATK在材料模拟中的应用 VNL-ATK中的第一原理方法介绍 使用VNL-ATK模拟块体材料性质 材料表面的模拟新进展 半无限表面(Surface)模型 材料界面的模拟 分子动力学方法 NEB过渡态搜索 第二天上午(9:00-12:00) 软件试用版安装和实例演示 实例1:材料结构优化和电子态计算 第二天下午(14:00-17:00) 实例2:器件体系建模、计算与分析 培训形式:讲座+自由上机练习(自带笔记本电脑,现场安装最新版试用软件)。 培训费用:免费(食宿交通等费用自理) 主讲人:董栋博士 联系人:石小杰 (13811530064;shi.xiaojie@fermitech.com.cn) 欢迎各位老师和同学的关注费米科技微信(FermiTech),及时获取费米科技举办的其他活动信息: VNL-ATK 材料模拟平台培训课程(2016年成都站) ADF 软件高级培训班(2016年成都站)

【QuantumATK亮点文章】用石墨烯包裹实现二维氮化镓(Nature Materials, 2016)

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Nature Materials 上最新发表了《用石墨烯包裹实现二维氮化镓(Two-dimensional gallium nitride realized via graphene encapsulation)》的文章(DOI:http://dx.doi.org/10.1038/nmat4742 ;原文pdf共享链接)。文中使用ATK-DFT对实验上得到的多层结构进行了模拟,得到了与实验一致的结果。文中使用DFT-D2范德华力泛函(注:QuantumATK最新版现已支持DFT-D3)对结构进行了优化,用GGA进行了结合能的计算,使用MetaGGA进行了精确带隙的计算。作为比较,又使用FHI-aims(注:VNL完整支持FHI-aims计算)进行了HSE06杂化泛函的DOS计算。VNL-GUI图形用户界面则为构建二维材料、设置计算与结果分析提供方便易用的工具。文章对QuantumATK的运用清楚表明了QuantumATK已经成为了成熟的通用材料模拟平台。

费米科技独家赞助第六届全国计算原子与分子物理学术会议

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2016年8月6至7日,由全国计算物理学会、计算原子与分子物理专业委员会主办,河南师范大学物理与材料科学学院承办的第六届全国计算原子与分子物理学术会议在新乡召开。来自全国各高校、研究所的近300位研究者参加了本次会议。费米科技作为独家赞助商有幸参展了本届盛会。 本次会议的主题是交流近年来计算原子与分子物理方面的研究现状、动态,探讨计算原子与分子物理领域今后发展的方向。费米科技与新老用户分别就一般性第一原理计算、自旋电子学、磁性等问题进行了深入交流。

费米科技参展“第二届凝聚态物理会议”(CCMP-2016)

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费米科技于2016年7月20日至23日参加了“第二届凝聚态物理会议”(CCMP-2016)。作为会议的主要赞助商,费米科技为广大研究者带来了最新版本的VNL-ATK 2016和ADF 2016的产品信息和试用版,获得了热烈的响应和广泛的好评。大家普遍反映,VNL-ATK功能丰富的图形用户界面和新颖强大的计算功能为材料计算模拟科研提供了更加便捷的工具,比其他同类产品和开源软件更加高效、可靠、易用。 本届“凝聚态物理会议”由南京大学物理学院、人工微结构科学与技术协同创新中心、中国科学院物理研究所主办。会议基于中国科学院物理研究所成功举办的系列“凝聚态物理与材料计算国际会议”以及2015年7月由清华大学、量子物质科学协同创新中心、中国科学院物理研究所和北京大学联合举办的“第一届凝聚态物理会议”,旨在配合凝聚态物理在中国的迅速发展和国际地位的全面提升,进一步加强凝聚态物理实验和理论的交流合作。与会者以大会邀请报告、分会邀请报告、口头和张贴报告等形式,交流了凝聚态物理前沿领域的研究进展。

费米科技参加第三十三届国际半导体物理大会(ICPS2016)

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2016年7月31日-8月5日,第三十三届国际半导体物理大会(ICPS2016)在北京国际会议中心成功举办。包括Klaus von Klitzing、Hiroshi Amano、Shuji Nakamura三位诺贝尔物理学奖得主在内的来自38个国家的千余位研究者参加了本届盛会。在六天的会议中代表们通过报告与墙报就半导体物理与凝聚态物理领域的各个研究方向进行了广泛的讨论。ICPS会议自创办半个多世纪以来,已发展成为半导体物理学领域最具学术权威性、最具国际影响力的学术盛会。北京大学半导体物理学科有着光荣、悠久的历史。上世纪50年代,在黄昆、谢希德院士主持下,我国第一个半导体专门化培训班在北大创办,培养了我国新兴半导体事业的第一批骨干力量,由此奠定了我国在半导体物理和凝聚态物理领域飞速发展的坚实基础。本届会议在北京大学信息科学技术学院组织下成功举办尤为有意义。 QuantumWise公司和费米科技作为主要赞助商参展,为参会者带来了VNL-ATK软件2016版的最新功能(详见:http://www.quantumwise.com/publications/quantumwise-news/item/962-vnl-atk-2016-preview-version。)、应用案例和试用许可。参会期间,我们的工程师与国内外参会者们就相关领域的软件应用问题进行了深入交流,并为老师们提供了专业的解决方案。        

 
  • QuantumATK 低维电子材料与器件合集(七)基于 WTe2 单层的超灵敏、可回收 FET 型有毒气体传感器 场效应晶体管(FET)型气体传感器因其功耗低、灵敏度高而吸引了大量研究人员的关注。然而,对其传感能力和内在机理的理论探索仍然十分匮乏。本文以单层纯 WTe2 和缺陷 WTe2 为传感平台,利用第一性原理计算和统计热力学模型,系统地研究了 FET 型气体传感器对 SO2、CO、NO、NH3 和 NO2 等多种有害气体的传感特性和工作原理。研究结果表明,基于纯 WTe2 的 FET [...]
  • 基于缺陷工程与应变调控的金刚石理想中间带光电材料设计研究背景 随着全球能源需求的持续增长与环境问题的日益严峻,开发高效率光电转换材料成为新能源领域的重要研究方向。传统单结半导体光伏器件受 Shockley–Queisser 极限的限制,其光电转换效率难以进一步提升。为突破这一理论瓶颈,中间带(Intermediate-Band IB)光电材料被提出,通过在禁带中引入中间能级,使材料能够吸收低能光子,从而显著提高光谱利用率和器件效率。然而,实现理想中间带结构仍面临巨大挑战,尤其是在保证中间带与价带、导带有效分离及适当占据的条件下。 金刚石作为一种典型的宽禁带半导体,具有优异的热导率、化学稳定性和载流子迁移率,是构建高性能光电器件的潜在候选材料。然而,其超宽带隙限制了对可见光的吸收能力。近年来,缺陷工程被广泛用于在半导体中引入中间能级,但单一缺陷调控往往难以实现理想的中间带结构。同时,应变调控(应力工程)作为一种有效的能带调节手段,可进一步调控电子结构与能级分布。 因此,将缺陷工程与应变调控相结合,系统研究其对金刚石中间带形成及光电性能的影响,对于实现高效中间带光电材料具有重要意义,并为新型高效率光伏器件的设计提供理论依据。 研究内容 该研究围绕在金刚石中构建理想中间带光电材料这一目标,系统探讨了缺陷工程与应变调控协同作用对其电子结构的影响。首先,基于第一性原理计算,构建多种含缺陷的金刚石模型,分析其对能带结构和态密度的调控作用,重点考察缺陷在禁带中引入中间能级的能力及其位置分布。 图 1.(a)3 [...]
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