纳米材料与电子器件模拟研讨会暨ATK Workshop 2014在复旦大学成功举办

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      由 QuantumWise 公司、复旦大学信息科学与工程学院与费米科技(北京)有限公司共同主办的“纳米材料与电子器件模拟研讨会 暨 ATK Workshop 2014” 于 2014 年 10 月17-19 日在上海复旦大学成功举办。此次会议得到了来自全国的相关领域的老师和同学的积极响应和大力支持。 17日的专题报告会上,首先由 QuantumWise 公司的 Kurt Stokbro 博士与 Marcus Yee 博士为与会代表介绍了 ATK-VNL 2014 版新功能和相关领域研究的最新进展。之后来自全国各研究单位的 ATK 软件资深用户作了精彩的报告,和大家一起分享和交流科研经验,全部的报告题目有(幻灯片下载见文末): 陈琳(复旦大学): 基于氧化石墨烯的阻变存储器阻变机理分析 吕劲(北京大学):二维原子晶体器件 朱琳(华中科技大学):Theoretical studies on the spin transport properties of single-molecule magnet and the thermal transport properties of Graphene Nanoribbon Heterojunction 贺园园(南京大学):大共轭碳体系的电子输运及其在分子器件中的应用 杨致(太原理工大学):基于单分子的巨磁电阻和光电子器件设计 崔斌(山东大学):有机单分子整流器中电荷输运性质的研究 […]

ADF Webinar(费米科技免费在线培训 第1期):锌酞菁的基态、激发态、荧光性质计算

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主持人: 刘俊 ADF技术支持 日    期:2014年10月9日(周四)   14:00-16:00 人    数: 25人   本次在线讲座,重现文献中锌酞菁的基态、激发态、荧光性质计算,并将其与其他实验报道结果进行比对、分析。适合实验工作者、初学者,以及部分量子化学计算的高级用户。参考文献:J. Phys. Chem. A 2001, 105, 5242-5254;光谱学与光谱分析,Vo1.28,No.2,pp403—40 高清视频下载链接 教程使用输入输出文件下载链接

文献重现:锌酞菁的基态与激发态计算(第一部分)

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参考文献:Ground and Excited States of Zinc Phthalocyanine Studied by Density Functional Methods, G. Ricciardi and A. Rosa, E. J. Baerends, J. Phys. Chem. A 2001, 105, 5242-5254 锌酞菁本身具有荧光性,本文计算了锌酞菁的基态和激发态性质。 1, 在ADFinput中画好这个分子的大致模型后,使用ADFinput的自动对称化工具(窗口下方的五角星),将该分子自动往最靠近的高点群调整,如果没有达到要求的D4h群,则稍微调整原子的位置,反复几次,就可以达到最高的D4h群。 2, 按照文章的流程,我们首先进行几何优化,参数如图中所示:

费米科技参加中国物理学会2014年秋季会议

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中国物理学会2014年秋季会议 于2014年9月11-14日在哈尔滨工业大学隆重召开。本次大会由中国物理学会主办,哈尔滨工业大学承办。国内外从事物理学研究领域的科研人员约2200人参加了本次盛会。 会议围绕粒子物理、场论与宇宙学,核物理与加速器物理等17个专题,为物理学及相关领域为科研工作者提供一个高水平的交流平台。

人为干预电荷分布

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对于某些特殊问题,我们希望人为地干预电荷分布,例如水分子解离为H+和OH–。使用DFT方法,自然地拉开H与OH的距离,我们期待解离的H原子上面没有电子,但随着拉伸的距离增大,H原子上,始终会出现电子。对于大的离子体系也是如此,有时候我们希望正负离子带有我们指定的电荷。常规的DFT计算,一般而言并不能达到这样的结果。 这种情况下,我们可以使用ADF中的FDE方法来实现。此处我们用H-OH来作为示范的例子,其他大的分子体系,计算流程是一样的。

改进NEB方法初始猜测,更快的预测反应路径

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Søren Smidstrup, Andreas Pedersen, Kurt Stokbro, Hannes Jónsson发表了一篇关于“改进最小能量路径的初始猜测”的方法(J. Chem. Phys. 140,214106(2014))。 文章中提出的方法是Synopsys QuantumWise、University of Island、ETH Zurich和Aalto University合作研究的结果,目的是在给定的初始和最终结构中间更好的产生过渡态路径的初始猜测。此方法基于image-dependent pair potential(IDPP)方法,可以提供一套初始的反应路径结构,可以用于进行基于密度泛函理论的Nudged Elastic Band(NEB)计算。 作者在文中指出,使用IDPP产生的初始路径可以将用DFT方法搜索最小能量路径的计算量减少最少50%,最多则可以减少一个数量级。并行计算时间则可以减少更多,因为与直角坐标线性内插方法相比,这种方法的计算量均衡更好。 IDPP方法已经在Virtual NanoLab(VNL)中实现,使用它可以帮你大大加速NEB计算。 访问以下链接可以了解如何在VNL中使用QuantumATK(ATK-DFT、ATK-SE、ATK-Classical)中使用NEB计算: 铂在铂表面的扩散:NEB计算 使用VASP进行NEB计算同样可以从IDPP方法中受益。想了解如何使用该方法,可以试用最新版VNL2014,这里提供了计算实例: 使用VNL和VASP进行NEB过渡态搜索计算。

 
  • 原位聚合限域实现高效蓝光钙钛矿 LED(Nature 2026)本文使用元宝 Hy3 preview 模型总结归纳 。 摘要 金属卤化物钙钛矿因其优异的光致发光特性,已成为颇具前景的发光二极管半导体材料。然而,其性能仍受限于在衬底上原位合成钙钛矿纳米晶过程中“高结晶度”与“小尺寸”之间的固有矛盾。本文报道了通过原位聚合驱动的纳米晶限域策略,合成了由高质量纳米晶组成的钙钛矿薄膜,从而实现了高效的蓝色钙钛矿发光二极管。原位形成的聚合物网络在钙钛矿纳米晶生长过程中施加了纳米尺度的空间限域作用,使纳米晶兼具小尺寸和 83% 的高光致发光量子产率。此外,具有足够配位位点的可聚合单体延长了钙钛矿团簇的晶格重排时间,从而提升了纳米晶的结晶度。所合成的钙钛矿纳米晶用于制备发光二极管后,在 491 [...]
  • 面向亚 5 nm MOSFET 的 Si 兼容高性能二维纳电子器件研究背景 随着集成电路器件尺寸持续向亚 5 nm 尺度推进,传统硅基 MOSFET 在短沟道效应、量子隧穿及功耗控制等方面面临严重瓶颈,难以满足未来高性能与低功耗芯片的发展需求。如何在极限尺度下实现高驱动电流、低泄漏及良好的栅控能力,并能够与现有硅基工艺相兼容,有效利用现有器件制造技术,成为下一代晶体管研究和应用亟须解决的关键问题。 研究内容 该研究针对超短沟道 MOSFET 性能提升这一核心问题,基于一类具有硅基工艺高度兼容性的二维单层材料 MNH2(M N = C Si Ge),在保证高载流子输运能力的同时实现与现有工艺体系的良好兼容,为器件实际应用提供基础。该工作系统地开展了器件物理与量子输运研究,并构建适用于亚 5 nm 尺度的双栅 MOSFET 模型,深入分析其输运特性与性能极限。 [...]
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