QuantumATK:在原子水平上模拟电子器件

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概述 微电子学是当今对我们的日常生活有着重要影响的技术,尤其是在通讯、计算、消费电子、健康、运输、环境和安全领域。微电子学的持续发展离不开TCAD等模拟工具,TCAD在纳米尺度的电子器件领域的广泛应用节约了大量的开发成本和实现市场化的时间。 随着半导体器件特征尺度的小到纳米级别,对相关材料与器件进行基于量子力学的原子级别模拟显得越来越重要。这为传统的基于量子力学的材料模拟方法提出了很多的挑战,QuantumATK从建模工具、计算方法、分析工具等完整的模拟平台入手,致力于解决这些问题,为半导体器件的模拟提供有效、可靠、快捷的工具,特别双极器件模型的引入可以直接研究诸如pn结等复杂异质结构的各种性质。 半导体材料性质的模拟     掺杂模型 QuantumATK中可以使用补偿电荷法对指定区域进行指定浓度的掺杂,更好的模拟半导体材料中的低浓度掺杂,可以更方便的研究不同复杂异质结。 对器件进行模拟 直接模拟器件无疑是半导体材料的模拟非常吸引人的方向。QuantumATK中成熟的双电极器件模型(Two-probe device model)和非平衡态格林函数方法(Non-Equilibrium Green’s Fucntion, NEGF)是研究器件在偏压下的电子输运性质的有力工具。 在双电极器件模型的基础上,QuantumATK还可以使用高级的静电势模型,在器件区域增加具有指定介电常数的绝缘区域和具有特定电压的金属区域,用于模拟FET器件。 可研究的体系尺度 传统的原子级别的DFT计算通常只能模拟数百原子的体系,这离目前实验上能达到的器件加工能达到的最小尺度尚有一段距离。QuantumATK中的DFT方法具有更高的计算速度和效率,可以研究数千原子级别的体系;同时SE方法使用DFTB等参数化的哈密顿量方法,可以更快更好的计算万原子级别的体系,这使得模拟接近实验中的几十纳米尺度的体系成为可能。 目前文章中报道的使用 QuantumATK 研究的最大器件体系约有2400个原子(2015年);右图显示用 ATK-SemiEmpirical 研究受限的InAs器件结构(含5200个原子)。结构中还包含中央区域的 20nm 长的栅极,并进行了掺杂。 能带对齐(band alignment) QuantumATK支持直接对界面等复杂体系进行局域投影态密度的计算,可以十分方便的作出不同区域的能带对齐情况,研究指定位置的态密度。由于在QuantumATK中可以使用器件模型直接对真正的界面结构进行计算,因此可以避免普通块体材料计算的Slab模型带来的种种问题。 发表的文章实例 基于DFT+NEGF方法研究金属-半导体界面 预印文章:General atomistic approach for modeling metal-semiconductor interfaces using density functional theory and non-equilibrium Green’s function http://arxiv.org/abs/1601.04651) 更多发表的文章参见【文章列表】。 相关的实例教程 硅p-n结 使用补偿电荷的方法对半导体材料的不同区域进行p型或n型掺杂 使用DFT或SE理论方法进行伏安特性计算 使用Projected Local DOS方法计算pn结的能带情况(右图) 计算非零偏压下的电子态和输运性质 […]

QuantumATK:材料表面的建模和模拟

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概述 材料的表面态、表面化学等在拓扑绝缘体、催化等热门领域里都占据着决定性的位置。与其他的周期性模型程序类似,QuantumATK 也可以用传统的 Slab 模型来描述表面体系,但Slab模型有很大的缺陷和局限: Slab 最大的不足是无法模拟实际表面下方通常是无限大的块体材料; 由于厚度有限,Slab 中的电子容易体现出量子限制的效应; 两个表面之间、表面与界面之间存在相互影响; 很难正确的在表面方向模拟外加电场; 经常需要表面钝化、偶极校正等额外补救措施。 单电极表面(One-probe surface)模型(或半无限表面模型) 为此,QuantumATK 基于 DFT 和格林函数方法方法开发了真正可以模拟半无限表面体系的模型,即将一个表面 Slab 模型耦合于半无限的块体结构上(见下图)。 详细介绍参见:QuantumATK独有的新功能:非平衡态格林函数方法研究半无限表面模型。 使用QuantumATK研究表面体系的优势 通用、高效的计算引擎 QuantumATK 计算基于第一性原理,因此可以用于研究全新材料的各种性质,例如: 传统金属-半导体界面 高k介电材料 金属、半导体纳米线 纳米管、金属纳米管接触 原子簇 等等 QuantumATK 中使用局域基组展开方法,尤其适用于研究局域化缺陷(杂质、空位等),ATK-DFT计算引擎可以计算千原子级别的体系的性质。ATK-SemiEmpirical 则可以计算更大的体系。 NanoLab高级图形用户界面:专注于研究,更快获得结果 NanoLab 图形用户界面丰富易用的功能可以让用户专注于研究项目的科学问题,专心思考科学问题,更快的发现新材料、创建新结构,避免在数据的导入、导出、处理、作图等琐碎的问题上浪费时间。NanoLab 可以: 方便快捷的材料表面建模工具 强大的材料界面结构建模工具 最合理的界面结构优化方法 快速构建各种结构模型 内嵌晶体结构数据库 搜索在线晶体结构数据 亮点文章 路易斯酸碱化学实现二维金属硫化物的表面功能化(Nature Nanotechnology, 2016)(原文链接:doi:10.1038/nnano.2015.323) 非平衡态格林函数方法研究半无限表面模型(https://arxiv.org/abs/1707.02141) 拓扑绝缘体的表面态 二维材料的边缘态   实例教程 表面结构与吸附 表面分子吸附体系建模:中文教程、英文教程 […]

材料导电性质计算模拟工具

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功能简介 导电性是导体、半导体等电子材料中最重要的基础性质,该工具可以仅从材料结构出发,不依赖经验参数,直接计算得到材料的载流子有效质量、迁移率,材料的电导率(电阻率)、霍尔系数、电子热导率、热电Seebeck系数、热电功率因子等重要的信息。 载流子有效质量 通过计算能带的曲率得到载流子的有效质量 可以考虑载流子有效质量的各向异性 通过研究能带的非抛物线形式,研究实际结构中载流子有效质量与尺寸受限效应等的关系 载流子迁移率 采用全声子谱电声耦合计算载流子的迁移率,不需要使用形变势等传统的近似理论 电导率(电阻率) 直接得到材料的电导率或电阻率 得到电导率(电阻率)与温度的关系 热电性质 直接计算热电Seebeck系数、电子热导率、功率因子等。 费米面 直接计算能带和费米面形状,了解载流子的基本特性 电声耦合系数与形变势 计算电声耦合系数 计算由声子引起形变势,用于TCAD等的模拟 推荐软件模块 QuantumATK(LCAO/PlaneWave/Forcefield) 模拟实例 载流子有效质量 载流子迁移率 非抛物线性能带与载流子有效质量  

材料与器件模拟研讨会在广州成功召开【报告详情与资料】

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由费米科技、华南理工大学物理与光电学院与 Synopsys QuantumATK 共同主办的“材料与器件模拟研讨会暨 QuantumATK Workshop China 2019”于 5 月 24-26 日在广州华南理工大学成功举办。本次研讨会包含了 QuantumATK 新版发布、材料学计算模拟研讨和 QuantumATK 新功能上机演示三个部分。 QuantumATK新版发布 来自Synopsys QuantumATK 的 Anders Blom 博士为与会者介绍了 QuantumATK P-2019.03 新版特性,费米科技的董栋博士在Workshop上机操作环节为大家演示了这些激动人心的新功能。SCAN泛函和PAW势方法的引入标志着新一代的材料与器件模拟平台 QuantumATK 中的计算引擎已经日臻完善,其中的DFT模块是目前最为全面的固体 DFT 计算引擎,包含了 LDA、GGA、MetaGGA、SCAN、HSE 等众多常见泛函、原子轨道线性组合(LCAO)和平面波基组(PlaneWave)、模守恒(Norm-Conserving,NC)和Projector-Augmented Wave(PAW)赝势等。QuantumATK 还无缝集成了 DFTB 和 ForceField 等其他级别的方法,以满足不同模型和计算规模的需求。新发布的灵活易用的能带和态密度投影分析计算作图工具、全功能的能带分解电荷分析计算作图工具、自动化的磁各向异性能量(MAE)分析计算与作图工具、半导体材料带电点缺陷分析计算与作图工具、基于 DFT/DFTB/Forcefield 实现的 time-stamped force-bias Monte Carlo 方法等材料性质分析套件则为更广泛的材料学应用提供了有利的支持。 QuantumATK P-2019.03 新增功能请参考链接:【QuantumATK P-2019.03新版发布】。 QuantumATK 全部功能详细列表请参考链接:【QuantumATK功能列表】。 材料学计算模拟应用研讨 本次会议邀请了国内相关领域的资深专家就二维材料与器件、纳米与分子器件的电输运和热输运等主题作了深入浅出的专题讲座,同时邀请来自全国 16 家单位的 […]

单层过渡金属二硫化物边缘时间反演对称性的自发破缺

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利用密度泛函理论(DFT)和格林函数方法,文章报道了三种单层过渡金属二硫族物(TMDs)MoS2、MoTe2和WTe2 的 1T’ 相的不同边缘上存在具有非共线自旋形态的磁性边缘态。磁性态是零带隙的,伴随着时间反演对称性的自发破缺。这可能会对使用WTe2作为量子自旋霍尔绝缘体的前景产生影响。此前有报道通过应用垂直电场可以关闭1T’ TMDS的拓扑保护边缘状态【X.Qian,J.Liu,L.Fu,J.Li,Science 3461344(2014)】。本文通过完全自洽的DFT计算,证实了拓扑边态确实可以被关闭,但所研究的磁性边缘状态是强壮的,并在外加电场时保持零带隙。 模型 文章所使用的二维材料边缘模型是半无限周期的单边缘模型(只有一个边缘),因此克服了条带模型中宽度受限、两个边缘的缺点。x方向左侧的周期边界条件(PBC)、Dirichlet 边界条件(DBC)确保了周期体系和边缘部分的正确连接,x方向右侧的Neumann边界条件(NBC)则是真空静电势的最自然边界条件。z方向的DBC除了确保了模型更符合真实情况(无需周期性)之外,还允许在真空方向上增加栅极(Gate)来调控边缘态。 使用最新的QuantumATK P-2019.03 可以十分方便的计算这类Surface模型的能带结构,以研究三维周期体系的表面态或者二维周期体系的边缘态。 从下图可以看出,这种模型与纳米条带模型相比,周围电场的情况有明显的不同。 MoS2的能带和三种不同的边缘 三种不同边缘的能带 电场的影响 参考 Jelver, L., Stradi, D., Olsen, T., Stokbro, K. & Jacobsen, K. W. Spontaneous breaking of time-reversal symmetry at the edges of 1T’ monolayer transition metal dichalcogenides. Phys. Rev. B 99, 155420 (2019).(doi:10.1103/PhysRevB.99.155420;http://arxiv.org/abs/1812.09082) QuantumATK在材料表面与界面的计算中有独特的模型和方法:http://www.fermitech.com.cn/quantumatk/materials-interface/ DFT-NEGF材料表面计算模型、方法与应用:http://www.fermitech.com.cn/quantumatk/surface-negf-model/ QuantumATK P-2019.03新版发布:http://www.fermitech.com.cn/quantumatk/release-p-2019-03/ 立即试用 QuantumATK! […]

SCAN metaGGA 泛函简述

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密度泛函理论的“天梯” 1964年,Hohenberg 和 Kohn用反证法告诉我们存在这样一个“天堂”,在那里有一个通用的电子密度泛函,能够在密度泛函理论(DFT)框架中给出任意体系的基态 【1】。这是一个美好的理想。Kohn 和 Sham 在随后给出了 Kohn-Sham 方程的同时,也开始了搭建通往“天堂”的“天梯”(Jacob’s Ladder)的第一步:局域密度近似(LDA)【2】。推广的梯度近似(GGA)尤其是 PBE 泛函【3】在固体计算领域取得的巨大成功似乎提示我们这是一条正确的途径。从那以后直到今天,研究者们一直在努力修建“天梯”。 密度泛函的一般表达式很容易写出: 只包含密度项为 LDA,包含密度梯度项为 GGA,包含动能项为 meta-GGA,这三类泛函均为半局域(semi-local)泛函,他们构成了“天梯”的前三级。半局域泛函的一个重要优势就是计算速度快,但由于各种半局域泛函往往只能满足部分的约束条件,因此往往只在某些体系里计算精度较好。将半局域泛函与非局域项组合构成杂化泛函(“天梯”第四级),虽然在多个方面的计算精度有很大改进,但是计算量却是百倍的增长。 SCAN Meta-GGA泛函 最新的 SCAN 泛函(Strongly Constrained and Appropriately Normed Semilocal Density Functional)【4】是 MetaGGA 泛函的一种,是基于约束构建非经验半局域泛函的一个重要成果,因为 SCAN 泛函是第一个满足全部已知的17个约束的半局域泛函。 对 SCAN 泛函的系统测试表明,此泛函在计算各种固体的各种性质(尤其是能量相关性质)中比 LDA 和 GGA 有很大的改进,几乎达到了杂化泛函的水平,但是比杂化泛函要大大节约时间,计算量保持在半局域泛函水平【5】【6】。 密度泛函理论天梯【7】。SCAN 泛函的出现将 metaGGA 泛函的精度提高到了杂化泛函的水平。 在 QuantumATK 中使用 SCAN 泛函 SCAN 泛函已经包含在 QuantumATK 的最新版本中,同时支持平面波基组计算引擎(DFT-PlaneWave)和原子轨道线性组合基组计算引擎(DFT-LCAO),可以用于块体材料的能量、结构优化、分子动力学、动力学矩阵、电声耦合、带电点缺陷分析、磁各向异性能量等各种计算。 DFT-PlaneWave 和 DFT-LCAO 计算引擎给出的结果一致: 提示:更多更新功能详见《QuantumATK P-2019.03新版发布》和 《QuantumATK功能列表》。 文献中对 SCAN 泛函的一些测试结果 SCAN 泛函在内聚能、形成能的计算中普遍优于其他的半局域泛函,例如在硅的间隙缺陷形成能计算中得到与实验一致的结果【5】。 SCAN 泛函在主族化合物结构稳定性预测中得到了近乎完美的结果,副族化合物结构稳定性预测也比 PBE 泛函要好【5】【8】。 SCAN 泛函还更好的体现了中程的范德华相互作用,在预测冰和水分子团结构【5】以及半导体材料【6】中得到很好的结果。 也有文章认为 SCAN 泛函在二维材料的结构和电子态研究中能得到更好的结果【9】。 参考文献 Hohenberg, P. & Kohn, W. Inhomogeneous Electron Gas. Phys. Rev. 136, B864–B871 (1964). Kohn, W. & Sham, […]

QuantumATK P-2019.03新版发布

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更新概要 密度泛函理论方法更新 材料性质分析模块新功能 动力学计算更新 计算性能提升 重新设计的计算脚本生成工具 全面提升的二维数据作图工具 其他更新  密度泛函理论方法更新 在平面波和LCAO基组的DFT计算中采用SCAN MetaGGA泛函,极大的提升了GGA和LDA在各种体系中的计算效果 Strongly Constrained and Appropriately Normed semi-local density functional 大幅改进能量计算(与LDA和GGA相比) 与完全非局域杂化泛函得到一样精度的结果,但是大大节省计算成本【[G.-X. Zhang et al., New J. Phys. 20, 063020 (2018)]】 可用于LCAO和PlaneWave计算 可以用于各种块材计算分析:优化结构、动力学模拟、动力学矩阵、哈密顿量导数、点缺陷分析、磁各向异性等等  平面波计算新增对多种材料性质分析工具的支持 光学谱,有效能带,投影能带(Fat Bandstructure),投影态密度、本征值 PlaneWave现在和LCAO支持的相同类型投影:自旋(上/下),自旋(x/y/z),原子位,原子组标签、元素、壳层、轨道等 使用Kerker预处理工具改进使用平面波DFT对片层(Slab)结构计算的收敛性 HSE杂化泛函与非共线/自旋轨道耦合联合使用 HSE杂化泛函计算速度提升 GGA PseudoDojo模守恒赝势现在支持非共线自旋轨道耦合;新增PseudoDojo LDA赝势 PAW方法:Projector-Augmented Wave method 可以使用比模守恒赝势更低的波函数截断(NC:30-40Ha;PAW:20Ha),大大提高计算速度 可以计算:总能、力、能带、态密度、声子能带和态密度、振动模式动力学矩阵、费米面、化学势、有效质量,等等 支持自旋极化计算 可选Generalized Davidson(默认)或PPCG方法解本征值 全面支持MPI并行 PAW数据:GPAW(默认)和JTH(包含镧系元素) 材料性质分析模块新功能 磁各向异性能量(MAE) 使用功能强大的study […]

QuantumATK亮点文章:Janus 二维材料用于高效光电池器件(Nano Lett. 2018)

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之前的文章(链接)介绍了在原子尺度上模拟光电池器件时考虑温度效应的方法[1],最近这种方法又被用于一种新的堆叠 Janus 光电池器件[2]。基于最新发现的二维材料MoSSe的超薄(0.5-1nm)器件可以产生的光电流和外量子效率(EQE)比 20-40 倍厚的硅基器件还要大。 这类 Janus 过渡金属二硫族化合物(TMD)是一种双侧不对称材料,跨平面的不对称性在二维材料平面的两侧产生了一个偶极,这个偶极可以多层堆叠。这样得到的“p–n结”可以用于分离在底层和顶层产生的电子(e-)和空穴(h+)载流子,载流子分别进入两侧的石墨烯电极中产生光电流。至关重要的是,石墨烯不会像金属电极一样屏蔽这种跨层的偶极。 使用 QuantumATK 的图形界面可以基于 TMD 创建堆叠Janus光电池器件。QuantumATK的第一原理DFT和DFT-NEGF 方法、光电流计算模块等可以用于计算能带、态密度、电子透射、输运通道、光电流密度等各种重要性质。文章报道的 Janus 光电池器件可以产生的光电流和外量子效率(EQE)比 20-40 倍厚的硅基器件还要大。此外作者还注意到,由于偶极的堆叠影响,器件在光子能量小于单层 Janus MoSSe 的带隙时也能产生光电流。作者建议也许可以使用 MoSSe Janus 层与硅薄膜结合来提高硅对低能量光子的吸收效果。作者还建议可以在光电应用领域里研究其他 Janus 二维材料(例如 CrSSe、ZrSSe 等)。 相关教程和讲座 文章中所用方法都在QuantumATK O-2018.06之后的版本实现,详见: Webinar on accurate atomistic simulations of solar-cell devices including temperature effects Tutorial on the photocurrent in a silicon p-n junction Tutorial on electron transport […]

QuantumATK P-2019.03新版在线发布会

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Synopsys 将举办QuantumATK P-2019.03新版在线发布会新功能推介会。 时间:2019年3月20日下午4点-5点(北京时间) 演讲人:Anders Blom, PhD and Umberto Martinez, PhD 欢迎参加。点击下面链接注册: 注册链接 QuantumATK P-2019.03将于2019年3月中旬正式发布,亮点功能: 新方法 MetaGGA SCAN 泛函 Time-stamped force-bias Monte Carlo 方法 Projector-Augmented Wave (PAW) 方法,用于 DFT PlaneWave 更快速 DFT和NEGF计算性能显著提升,特别是针对离子动力学(NEB,MD,结构优化,动力学矩阵) 经验力场计算MPI并行化 更方便 全新的脚本创建工具,支持更多自定义计算脚本功能 增强二维作图工具,支持复杂的作图编辑、创建合并作图,支持将预设作图格式用于新数据分析 新增分析工具:magnetic anisotropy energy, partial electron density, surface band structure, eigenvalues 运行基础环境升级至 Python 3 更多新功能等你来发现! 立即试用 QuantumATK! 申请QuantumATK的全功能试用许可  

QuantumATK亮点文章:理论计算与实验观测结合研究分子器件

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单分子器件一直是量子输运研究的前沿,如何可控的制备和测量单分子的导电性一直是实验上的巨大挑战,而基于DFT-NEGF方法的理论计算则为实验结果的解释、理解分子器件构效关系提供了有力的工具。2018年,北京大学的郭雪峰老师课题组发表的两篇文章分别报道了在不同的外加影响(电场、溶剂、温度)下分子结构变化和多个导电状态的关系。 这两项工作中的理论计算部分由中国科技大学李星星博士使用QuantumATK完成,以共同第一作者身份发表在《自然·通讯》杂志和《德国应用化学》杂志上。 《自然·通讯》[Nat. Commun. 9, 807 (2018)] 报道了基于实验研究不同溶剂、温度下的脲基嘧啶酮四重氢键二聚体的的电学多态信号, 运用理论计算揭示导致电导发生变化的本质原因是由电致氢迁移和内酰胺–内酰亚胺互变异构引起的异构化过程。相关新闻报道见北大官网:《自然•通讯》发表郭雪峰课题组在分子间作用力动力学研究中的重要进展)。 《德国应用化学》[Angew. Chem. Int. Ed. 57, 14026 (2018)] 报道了基于实验观测三苯基和六苯基单分子结在栅压下的双极电荷传输,运用理论计算揭示双极电荷传输特性是由于当栅极电压从负变为正时主导电子传输轨道从HOMO变为LUMO所致。新闻报道见北大官网:化学学院郭雪峰课题组在单分子场效应晶体管研究中取得重要进展)。 相关教程 所有文中所涉及的计算方法均在QuantumATK中提供,详见以下教程: 相关的中文教程列表 分子器件模拟 英文教程 Four tutorials on molecular electronics Tutorial on studying the electron transport properties of a graphene nanoribbon with a distortion 参考文献 Nat. Commun. 9, 807 (2018) Angew. Chem. Int. Ed. 57, 14026 (2018) 立即试用 […]

 
  • QuantumATK:在原子水平上模拟电子器件概述 微电子学是当今对我们的日常生活有着重要影响的技术,尤其是在通讯、计算、消费电子、健康、运输、环境和安全领域。微电子学的持续发展离不开TCAD等模拟工具,TCAD在纳米尺度的电子器件领域的广泛应用节约了大量的开发成本和实现市场化的时间。 随着半导体器件特征尺度的小到纳米级别,对相关材料与器件进行基于量子力学的原子级别模拟显得越来越重要。这为传统的基于量子力学的材料模拟方法提出了很多的挑战,QuantumATK从建模工具、计算方法、分析工具等完整的模拟平台入手,致力于解决这些问题,为半导体器件的模拟提供有效、可靠、快捷的工具,特别双极器件模型的引入可以直接研究诸如pn结等复杂异质结构的各种性质。 半导体材料性质的模拟     掺杂模型 QuantumATK中可以使用补偿电荷法对指定区域进行指定浓度的掺杂,更好的模拟半导体材料中的低浓度掺杂,可以更方便的研究不同复杂异质结。 对器件进行模拟 直接模拟器件无疑是半导体材料的模拟非常吸引人的方向。QuantumATK中成熟的双电极器件模型(Two-probe [...]
  • QuantumATK:材料表面的建模和模拟概述 材料的表面态、表面化学等在拓扑绝缘体、催化等热门领域里都占据着决定性的位置。与其他的周期性模型程序类似,QuantumATK 也可以用传统的 Slab 模型来描述表面体系,但Slab模型有很大的缺陷和局限: Slab 最大的不足是无法模拟实际表面下方通常是无限大的块体材料; 由于厚度有限,Slab 中的电子容易体现出量子限制的效应; 两个表面之间、表面与界面之间存在相互影响; [...]
  • 原位观察活性MoS2模型催化剂加氢脱硫(Nature Comm.,2019)加氢脱硫工艺是化学工业的基石之一,从石油中将有害的硫脱除,生产出清洁的碳氢化合物。MoS2纳米岛的边缘是催化活性位点,反应压强5-160 bar,温度260-380 ℃。到目前为止,还不清楚这些苛刻的条件如何影响催化剂的结构。因此荷兰莱顿大学Rik V. Mom等人利用高压扫描隧道显微镜,成功地原位观察了该反应条件下活性MoS2模型催化剂。结果表明,MoS2纳米岛活性边缘区的硫、氢和烃覆盖情况随气体环境的变化而变化。通过与密度泛函理论计算结果进行比较,作者提出CH3SH脱硫过程中的优势边结构吸附了硫和CH3SH的混合物。 计算细节: 所有的DFT计算都使用AMS中的BAND模块完成,使用PBE泛函、Grimme van der Waals校正范德华作用,标量方法考虑相对论效应的影响,使用TZP基组描述价轨道,芯轨道被冻结在与自由原子相同的状态,自洽场收敛阈值为10−6 [...]
  • 材料导电性质计算模拟工具功能简介 导电性是导体、半导体等电子材料中最重要的基础性质,该工具可以仅从材料结构出发,不依赖经验参数,直接计算得到材料的载流子有效质量、迁移率,材料的电导率(电阻率)、霍尔系数、电子热导率、热电Seebeck系数、热电功率因子等重要的信息。 载流子有效质量 通过计算能带的曲率得到载流子的有效质量 可以考虑载流子有效质量的各向异性 通过研究能带的非抛物线形式,研究实际结构中载流子有效质量与尺寸受限效应等的关系 载流子迁移率 采用全声子谱电声耦合计算载流子的迁移率,不需要使用形变势等传统的近似理论 电导率(电阻率) 直接得到材料的电导率或电阻率 [...]