简化骨科手术规划

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概述 在为特定患者制定的全髋关节置换术规划中,Corin 公司将 Simpleware 软件作为其优化定位系统(OPS)工作流程的一部分,致力于精简 OPS 工作流程,消除分割和标记的瓶颈。使用 Simpleware AI 技术自动执行这些步骤有助于节省大量资源,将每个案例的图像处理时间缩短了94%。 通过利用这项技术,Corin OPS 提供了一个快速、可扩展、临床精确的术前规划平台,目前已在全球 2 万多个全髋关节手术中得到应用。 亮点 Simpleware 软件能够为 OPS 系统处理三维图像数据 在已部署 Simpleware 解决方案的最近更新中,通过 Simpleware 定制化模块的 AI 工具使得这个处理过程更精简和高效 OPS 技术已应用于 2 万余台手术 简介 过去十年来,包含患者个性化植入物、导板和手术规划在内的全髋关节置换术(THA)的数量迅速增加(参考:Haglin et al. 2016)。这种增长催生了更多患者需求,临床医生和医疗器械公司面临着越来越大的压力,要求他们快速、安全地交付和部署针对患者的个性化产品。在此背景下,为创建骨科切割导板、植入物和术前规划,需要用 MRI 和 CT 扫描获得的患者特定数据并创建三维模型。 优化患者特定工作流程的首要挑战就是在确保速度、效率和可扩展性的同时,保持临床准确性和合规性。在创建患者解剖结构的3D 模型时,通常需要由一组训练有素且很重要的生物医学工程师来完成此项任务;因此对于公司来说,部署一个高效且可扩展的流程,腾出工程时间、节约成本,从而更快地进入市场并保持最终产出的质量尤为重要。 Corin 公司基于 Simpleware 的优化定位系统(OPS)已经发展了十多年,开发并简化了 OPS 工作流程,优化全髋关节置换术的稳定性、寿命、生物力学和患者预后。最近,通过 Simpleware 定制化模块解决方案增加的基于机器学习 AI 技术,使 Corin 公司能够完全自动化地完成图像分割和标记的工作流程,从而实现了效率质的飞跃。这种自动化大大加快了工作流程,消除了分割和标记的瓶颈问题,使工程师能够专注于更高价值的任务。 Simpleware […]

利用CT数据对增材制造零部件进行无损检测

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概述 金属增材制造(AM)工艺在生产拓扑结构复杂的设计方面具有许多传统方法难以实现的优点。然而,由于无法直接接触的结构特性,对同一组件进行无损检测和测试通常具有挑战性,导致出现漏检缺陷和需要增加性能检测的情况。因此,零部件可能会报废,造成时间、资源和成本的浪费。这就意味着增材制造零件的实际性能可能与其原始CAD设计有差异。本项目采用基于计算机断层扫描(CT)数据的无损检测流程分析“热箱”换热器——作为复杂增材制造零件的代表性举例。 亮点 Synopsys、Nikon、Uni Huddersfield、MTC和HiETA联合开展的工业用途研究(三合一项目) 基于图像的方法可以对AM零件进行无损检测 在COMSOL Multiphysics中的仿真使我们能够深入了解“设计”和“生产”零件 工作流程保证了成本和资源效益 扫描增材制造零件 本研究中使用的“热箱”是一种测试治具,在构建定制化的换热器之前用于确定此种结构的性能。该结构件具有空气可流通的晶格结构,以及为液体冷却剂设计的交叉波纹通道,对于传统制造方法来说是比较复杂的设计。另外,不切割开零件是无法对“热箱”内部进行实物检查的。 为了解决这个问题,HiETA Technologies公司首先使用AlSi10Mg通过AM生产“热箱”,然后在制造技术中心(MTC)进行CT扫描。图像重建使得零件内部缺陷的可视化和量化成为可能,并建立了基于图像的下一阶段工作流程。 3D图像处理 将零件的三维图像数据导入Simpleware ScanIP进行图像处理和网格划分。软件中的自动分割工具可确定表面,而局部面校正滤波则用于抵消射束硬化效应。为了解零件“生产”与“设计”版本之间的差异,采用Simpleware软件的表面偏差工具比较CAD表面与AM表面。 该方法识别出3个偏差区域,包括被困粉末和设计晶格结构的差异。在对图像数据处理之后,使用Simpleware软件导出完整的体积网格用于CFD分析。生成的网格包括三部分:金属、流体和空气,指定的边界也添加到流体流动区域的模型入口和出口。 热模拟 将网格导入COMSOL Multiphysics®中进行热行为模拟和对比,包括耦合传热和层流。冷却剂流经通道的温度分布如图3所示,“生产”件结构中偏差在换热器底座最为明显。此外,从入口到出口区域的整体冷却在“生产”件结构中更大,而在垂直轴上没那么均匀。因此,依据几何差异的结果,该研究能够确定使用AM工艺的“生产”件性能比原始的“设计”件要差。 总结 这个工业应用的案例展示了使用X射线CT和基于图像的建模的重要性,特别是在增强对CAD设计和实际制造零件之间到底发生了什么差异的理解方面非常有价值。采用这个工作流程,制造商可以从本次仿真数据中洞察意外缺陷和不一致性如何影响实际性能,从而实现设计闭环,并可能会节省昂贵的重新测试成本。   参考 有关本案例的原文、致谢和更多链接请访问:https://www.synopsys.com/simpleware/resources/case-studies/inspection-am-parts.html 三合一X射线CT检测,英国研究与创新署 Turner, N., Brierley, N. and Townsend, A., 2019, 三合一X射线计算机断层扫描。2019年2月13日至15日在意大利帕多瓦举行的第九届工业CT会议。  

金属增材制造零件的微观结构特征

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概述 Simpleware 软件可以为用于分析的微观结构 RVE(代表性体积单元)生成高质量的非结构网格。软件中的多标签掩模功能可以很轻易将提供的晶粒标签转换为与有限元兼容的网格。针对完全不同尺寸/形状的晶粒,当其他网格划分软件不能生成网格时,Simpleware 软件依然能够在对晶粒进行网格划分的同时尽量保持最低的单元数量。通过非结构化网格捕捉微观结构中晶粒的平滑特征对于准确预测晶粒内的应力/应变至关重要。 亮点 发展一种了解通过粉末增材制造(PAM)工艺生产出 AM 零件力学性能和缺陷的新方法。 使用 Simpleware 软件对合成数据进行分割和网格化,生成非结构、局部递减的 FE 网格。 使用 SIMULIA Abaqus 软件对(Simpleware产生的)六面体和四面体网格进行模拟 Simpleware 软件生成的四面体网格比结构化网格更能精确地描述晶界 介绍 基于金属粉末的增材制造(PAM)工艺通常会产生不同晶粒尺寸和长径比的微观结构,从而影响材料的力学性能。这项研究旨在基于 Simpleware 软件更好地表征工作流程中微观结构内部的局部颗粒应力场。本研究建立在以往基于晶体塑性的微观结构信息模型的本构模型基础上。这项工作是基于数值生成的合成微观结构代表性体积单元(RVE)。 当采用立方六面体单元对样品 RVE(结构化网格)进行离散化时,由于台阶面的存在而没有足够的分辨率捕捉晶界。使用Simpleware 软件开发的新模型通过生成光滑、严密和多域的体积有限元(FE)网格则解决了这个问题,确保能够准确捕捉晶界。 然后将新的非结构化网格 RVE 结果与之前使用结构化网格 RVE 的结果进行比较,同时依据模拟时间和预测的 RVE 力学性能判断新方法的有效性。这种新方法能够在晶界附近更好地捕捉局部应力强化,有助于预测材料中缺陷和空洞的形成,以便将来能够更好地了解使用 PAM 生产复杂零件的性能。  合成微观结构到FE网格 生成的合成微观结构 RVE 用来模拟三维区域内的晶粒演变。将矩阵数据转换为包含灰度值等同于晶粒标签的位图体素图像,然后导入 Simpleware ScanIP 中进行处理。分割合成数据并创建每个晶粒的表面表示,然后导出为面网格和体积网格。结构化六面体网格的一个问题就是“阶梯”效应,会导致模型精度降低。在新模型中,通过 Simpleware 的 anti-alias 和平滑工具即可解决这个问题,确保沿晶界处的轮廓平滑。 与结构化网格相比,使用 Simpleware FE 模块生成的 Simpleware 网格在合适的分辨率下能够更好的捕捉小晶粒的尺寸。此外,在应用多部分表面抽取算法和四面体单元的 Delaunay 细分曲面之前,Simpleware […]

【QuantumATK亮点文章】电场诱导双层扭转石墨烯光谱变化

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研究内容 近年来,双层转角石墨烯受到了广泛关注,双层石墨烯发生相对旋转后,产生莫尔超晶格。旋转角度不同可以调控双层石墨烯的光电特性,除此之外,也可以通过像外电场这种外部条件来调控双层转角石墨烯的光电特性。 图1.电场下双层转角石墨烯、能带结构 作者用第一性原理方法,对外电场诱导双层转角石墨烯在中红外的电子结构和光学性质进行了理论计算。通过理论研究,发现外加电场在一定程度上使得导带和价带的相对位置发生变化。电场强度的变化能带导致导带和价带穿过费米能级,导致吸收光谱产生明显的变化。 图2.XX方向与YY方向的吸收光谱 此外,中红外区域几个特殊位置(1490 nm、1550 nm 和2442 nm)附近的介电函数对外电场的调节非常敏感。1550nm附近的介电函数表现出一定的等离基元特性,这将有助于设计新的光通信调制器和光学器件。电场控制的近红外等离子体激元可以用来增强相应的近红外荧光和长波激发拉曼光谱。 图3.XX方向介电函数 图4.YY方向介电函数 参考文献 Jizhe Song(宋继哲), Zhongyuan Zhang(张中元), Naixing Feng* (冯乃兴)and Jingang Wang*(王金刚)Electric Field Induced Twisted Bilayer Graphene Infrared Plasmon Spectrum. Nanomaterials 2021, 11(9), 2433

基于图像的锂离子电池电极建模

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概述 锂离子电池(LIBs)的异质结构影响性能来自于界面处的表面积、扩散路径和活性材料连通等。本研究使用 Simpleware 软件基于 nano-XCT 图像重建 LIB 的 LiFePO4(LFP)电极微观结构,然后将网格划分后的三维模型导出至 COMSOL Multiphysics中进行有限元分析。结果表明,与一般的均质模型相比,电极的非均匀性提供了更广泛的物理和电化学性能。 特点 基于真实的三维微观结构数据模型 采用 nanoXCT(每侧5μm)扫描商用 LFP/石墨电池样品 在 Simpleware ScanIP 中采用阈值方法快速分割图像数据 使用 Simpleware FE 生成网格并导出至 COMSOL Multiphysics 与传统的均质一维模型相比,对 LFP 性能的预测更为准确 电极结构重建 首先对商用 LFP /石墨电池中的 LiFePO4(LFP)样品进行拆解并用 nanoXCT 扫描。将得到的二维堆层导入 Simpleware ScanIP,应用阈值技术对其进行分割,将灰度堆层转换为二元堆层结构。该过程包含从扫描中分割出活性材料颗粒和孔-PVDF-碳区域。如果活性材料的重量百分比较高,则碳材料和聚合物粘结剂随机分布在电极中。为了重建连续的固体基质,假设碳材料随机分布在活性材料之间提供电子通路。在活性材料区域中,使用 Simpleware ScanIP 的几何结构闭合过滤工具,将相邻的活性材料融合在一起。 图:在 Simpleware ScanIP 中重建 nanoXCT 图像数据   利用 Simpleware FE 生成网格模型后直接导出至 COMSOL Multiphysics®,求解与所开发的 LIB 多尺度模型相关的偏微分方程。在微观尺度上,模型是基于真实的三维微观结构数据,利用宏观尺度上传统的均质一维模型表征放电/充电性能。这种框架被用于 […]

庚烷-甲苯-DMF/DEG-KSCN液液平衡体系的COSMO研究(Ind. Eng. Chem. Res. 2021)

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芳烃是石化工业中最重要的一类,由于它们常与脂肪族化合物形成多组分混合物,而它们沸点非常接近,因此分离是一个巨大的挑战,液-液萃取是传统分离过程的一个很好的替代方法。本文获得了庚烷-甲苯-二甲基甲酰胺(DMF)-二甘醇(DEG)体系在硫氰酸钾盐存在和不存在的情况下的液-液平衡数据,并利用COSMO模型研究了离子在DMF-DEG极性混合溶剂中的溶剂化。经验证,溶剂化络合物不能作为描述系统平衡的模型,尽管存在其他预期结果。 作者得到了n-庚烷 + 甲苯 + DMF/DEG 1:3,含/不含5% KSCN混合物在298.15K和大气压下的液液平衡实验数据。与COSMO-SAC模型相比,不同离子溶剂的COSMO-RS计算得到的分配系数与实验结果更接近。超出预料的是,与COSMO-SAC(段活度系数)计算结果相比,COSMO-RS(真实溶剂)计算的未溶剂化离子与实验数据具有更好的近似性,表明系统的物理性质或COSMO模型特征,两者都可能受到HBs的影响,可能是因为π电子与离子电荷的相互作用以及与溶剂的氢键作用。 参考文献: Beatriz Fernanda Bonfim de Souza, Stephanie Lenhare, Stênio Cristaldo Heck*, André Zuber, Stéphani Caroline Beneti, Andréia Fátima Zanette, and Lúcio Cardozo Filho, COSMO Study on the Heptane–Toluene–DMF/DEG-KSCN Liquid–Liquid Equilibrium System, Ind. Eng. Chem. Res. 2021

Simpleware 在数字岩石物理中的应用

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3D 图像处理和网格化软件 Simpleware 为数字岩石物理和岩石分型提供解决方案。使用 Simpleware 这款全面的 3D 图像处理软件,可轻松可视化、分割并量化扫描数据(CT、micro-CT、FIB-SEM……)。利用软件强大的网格化工具进行多孔介质分析和虚拟特殊岩心分析,导出多域模型至 FE 和 CFD 求解器。也可用于计算扫描样本的有效材料性质。 处理和量化图像数据 Simpleware能够可视化、分割图像并生成测量和统计数据,轻松表征扫描样本。 检查扫描图像的内部特征 使用转折点工具轻松分割并分析不同微粒 使用半自动分割工具识别目标区域(ROIs) 测量获得统计数据(孔隙率、裂纹、晶粒取向……) 导出用于 FE 和 CFD 的模型 使用 Simpleware 软件专利 FE 和 CFD 网格划分算法生成可用于 FE 和 CFD 求解器的仿真模型。 网格具有一致界面和共享节点 定义 FE 接触面、节点集和壳体 定义 CFD 边界条件 针对特定指标优化网格质量 直接导出至主流 FE 和 CFD 求解器 计算有效材料性质 这些模块 Simpleware SOLID(静态弹性性质)、Simpleware FLOW 模块(绝对渗透率)和Simpleware LAPLACE 模块(电导率/热导率、分子扩散率)可用于计算有效材料性质。通过软件易于使用的工作流程,量化扫描的岩石样本。 […]

Simpleware在无损检测和逆向工程中的应用

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工业 3D 图像处理及网格划分软件 Simpleware 软件支持 3D 图像处理和网格划分,提供重建和检查制造零部件的内部特征。从 CT、micro-CT、nano-CT、FIB-SEM 和其他形式导入并处理数据、可视化并逆向工程组件。使用功能强大的 FE 和 CFD 网格工具导出多部件网格用于仿真。对零部件进行逆向工程并为 CAD 软件导出 NURBS 格式,根据扫描样本计算有效材料性质。 可视化和检查图像数据 Simpleware 软件包括一系列可用于处理工业图像数据的工具和过滤器。 导入后直接在三维视图中渲染二维图像堆栈 使用半自动和手动工具分割图像 由图像数据生成动画 测量和分析数据 使用直观的测量工具和一系列标准及用户定义的统计数据量化工业零部件: 测量孔隙、断裂尺寸、裂缝…… 获取中心线统计信息 量化孔隙、分层体积、表面积和总组分孔隙率 体积网格生成 软件专有的网格算法可为材料无损检测生成界面一致的计算模型,从而在 FE 和 CFD 求解器中分析缺陷、零件耐久性、产品性能和流体结构。 赋予材料属性 定义有限元接触对、节点集和壳体 定义 CFD 边界条件 网格划分算法的选择 根据特定指标优化网格质量 导出用于 CAD 软件的 NURBS 格式和 3D 打印的 STL 文件 对传统零部件进行逆向工程以更好地了解其功能 计算有效材料属性 这些模块 Simpleware SOLID(静态弹性性质)、Simpleware […]

Simpleware在复杂材料建模的应用

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3D 图像处理和网格划分软件  Simpleware 软件可用于 3D 图像数据(CT、micro-CT、FIB-SEM……)分割、3D图像处理和复杂材料分析的模型生成。表征复合材料的微观结构,使用强大的网格划分工具将模型导出至 FE 和 CFD 求解器。快速从 3D 图像数据中获取包括有效材料性质在内的定性和定量信息。 可视化和处理图像数据 可视化 2D 和 3D 图像数据 将材料分割为感兴趣区域,包括多孔纤维网络 使用转折点工具分割微粒 生成动画 测量图像数据并获取统计数据 测量距离、角度(断裂尺寸……) 计算感兴趣区域和模型的统计数据(体积、表面积、平均灰度、材料性质、孔隙率…) 使用中心线统计工具 创建用户的自定义统计模板 为 FE 和 CFD 生成网格 分割后的图像数据可以用软件的 FE 和 CFD 网格化工具导出为可模拟的多域网格,便于所有主流求解器使用。 网格具有一致界面和共享节点 定义有限元接触对、节点集和壳体 定义 CFD 边界条件 赋予材料属性 将纤维方向和密度映射到网格用于仿真 针对特定指标优化网格质量 计算有效材料性质 这些模块 Simpleware SOLID(静态弹性性质)、Simpleware FLOW 模块(绝对渗透率)和 Simpleware LAPLACE 模块(电导率/热导率、分子扩散率)可用于计算有效材料性质。通过软件易于使用的工作流程,量化扫描的复合材料样品。 试用内置求解器进行全面基于 FE […]

 
  • 原位聚合限域实现高效蓝光钙钛矿 LED(Nature 2026)本文使用元宝 Hy3 preview 模型总结归纳 。 摘要 金属卤化物钙钛矿因其优异的光致发光特性,已成为颇具前景的发光二极管半导体材料。然而,其性能仍受限于在衬底上原位合成钙钛矿纳米晶过程中“高结晶度”与“小尺寸”之间的固有矛盾。本文报道了通过原位聚合驱动的纳米晶限域策略,合成了由高质量纳米晶组成的钙钛矿薄膜,从而实现了高效的蓝色钙钛矿发光二极管。原位形成的聚合物网络在钙钛矿纳米晶生长过程中施加了纳米尺度的空间限域作用,使纳米晶兼具小尺寸和 83% 的高光致发光量子产率。此外,具有足够配位位点的可聚合单体延长了钙钛矿团簇的晶格重排时间,从而提升了纳米晶的结晶度。所合成的钙钛矿纳米晶用于制备发光二极管后,在 491 [...]
  • 面向亚 5 nm MOSFET 的 Si 兼容高性能二维纳电子器件研究背景 随着集成电路器件尺寸持续向亚 5 nm 尺度推进,传统硅基 MOSFET 在短沟道效应、量子隧穿及功耗控制等方面面临严重瓶颈,难以满足未来高性能与低功耗芯片的发展需求。如何在极限尺度下实现高驱动电流、低泄漏及良好的栅控能力,并能够与现有硅基工艺相兼容,有效利用现有器件制造技术,成为下一代晶体管研究和应用亟须解决的关键问题。 研究内容 该研究针对超短沟道 MOSFET 性能提升这一核心问题,基于一类具有硅基工艺高度兼容性的二维单层材料 MNH2(M N = C Si Ge),在保证高载流子输运能力的同时实现与现有工艺体系的良好兼容,为器件实际应用提供基础。该工作系统地开展了器件物理与量子输运研究,并构建适用于亚 5 nm 尺度的双栅 MOSFET 模型,深入分析其输运特性与性能极限。 [...]
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