电学模拟一直是OLED模拟领域的一个难题，模拟的可靠性往往差强人意，主要原因是旧的理论模型对于材料的掺杂问题、激子行为缺乏进行正确描述。Bumblebee采用了最先进的模拟理论，对OLED堆叠结构采用细致的三维格点模型，采用精确的理论，描述极化子传输、激子传输、激子-极化子与激子-激子相互作用、电荷转移态、偶极矩、热振动等模型，在仿真质量上相对于旧模型有质的飞跃，真正做到从分子的层面模拟像素级别的器件。 模拟分子材料层层堆叠为像素后的发光特性 近十年的技术发展 只能进行单极电荷传输的模拟 → 双极电荷传输模拟 → 电流密度-电压（J−V）特性和辐射分布曲线与实验数据密切吻合 → 激子-激子和激子-极化子相互作用被纳入，再现 EQE 滚降特性 → 热活化延迟荧光（TADF）过程被纳入 → 纳入（CT）态对 IQE 的影响 → 纳入分子部分取向静态电偶极矩的影响 → 增加瞬态光致发光模拟能力。 以上技术发展均已在Bumblebee内实现。 传统研究方式的弊端 试错法 → 大量实验 每个新的材料组合 → 优化必须重新开始 寿命/退化 → 实验测试耗时 OLED/OFET 器件堆叠结构设计的重要性 器件的行为、性能、寿命不仅仅受材料影响，也直接受堆叠结构本身的影响，如果不提堆叠结构，就不可能说一种材料比另一种材料好 没有一种完美的材料能在所有情况下都起作用 一种材料在一个堆叠中表现很好，在另一个堆叠上表现很差 通过模拟，能预测、帮助改进特定堆叠所需的材料特性 堆叠设计可以帮助减少器件的缺点 材料一般并不完美，堆叠设计可以帮助最大限度地减少某些损失 通过模拟识别出关键的损失通道，指导更高效的器件构架设计 可针对特定应用（例如，显示器、照明、汽车等）优化器件 堆叠设计需要达到：： 器件高效 器件对某些参数（例如生成过程中必然存在的微小变化）不太敏感，如果一种设计对参数特别敏感，在生产的角度就没有太大的价值了 Bumblebee模拟激子在OLED材料层间的传输与发光 Bumblebee 的功能 Bumblebee 概览（B站） 工作逻辑 用户提供材料参数（包括HOMO、LUMO能级，载流子传输相关参数、激子参数），以及堆叠设计（层厚度、层内材料情况），软件通过载流子传输理论通过蒙特卡洛模拟得到电流-电压特性，通过激子行为的多种理论得到激子的复合发光、传输、解离、非辐射衰减等情况，以及EQE滚降等特性。从应用上，通常用户无法得到材料所有参数，因此往往通过实验测量的J-V曲线、EQE滚降曲线，逆向反推材料参数，明确材料参数后，基于这些参数，正向优化堆叠设计。 模拟对象为，电子传输层与空穴传输层之间的堆叠结构（不含阴极、阳极，堆叠结构与电极之间简化为欧姆接触）。 光电特性 […]