BAND 概述 BAND用于周期性边界条件体系的第一性原理计算，因此主要用于三维晶体、二维固体表面与一维纳米线、纳米管、聚合物体系。能够对材料的谱学性质、光的吸收与折射、静电势、电子密度、原子电荷、费米面、有效质量、态密度、能带与化学键分析，电荷分析与谱学性质，表面化学反应、表面吸附问题进行研究。与流行平面波软件相比，BAND侧重材料化学计算，例如等。 BAND 的优势 效率：三维小体系计算效率较低，三维大体系、二维、一维周期性体系的计算效率比平面波方法高，杂化泛函的计算效率比平面波方方法高的多。 MOF、COF等材料：BAND的基组是STO/NO，而不是平面波，因此真空区域不会显著增加计算量，因此对于Cell体积庞大，真空比例很高的MOF、COF等材料，计算效率远高于平面波方法 超重元素的精确计算：BAND不依赖赝势，而是精确的全电子基组 擅长成键分析： 键能分解分析pEDA：将键能拆分为静电作用、泡利排斥、轨道相互作用（即成键时，电子转移带来的能量降低量） 基于pEDA的NOCV：详细展示成键过程中，电子在不同晶体轨道中的转移情况，例如表面吸附时，小分子与晶体表面之间的电子转移情况 从化学键角度分析能带的COOP方法，优于COHP方法 化学相关功能非常丰富、易用： 过渡态搜索，采用NEB结合精确优化，大大提高过渡态计算的效率和精度 PES Exploration：表面吸附位点、表面化学反应机理自动探索 AIMD包含多种加速反应的方法 巨正则系综蒙特卡洛模拟 支持Win、Linux、MacOS系统 BAND 主要功能列表 周期性边界条件： 三维（体材料） 二维（材料表面） 一维（聚合物、纳米管线等） 0维（分子）周期性体系 相对论与重元素： 标量相对论 自旋轨道耦合 全电子基组、冻心基组 支持元素周期表所有元素，不依赖赝势 泛函： 各种常见GGA与meta-GGA泛函，如r2SCAN、极高效准确带隙的TASKxc、TASKCC等 适用于吸附与氢键问题的色散修正泛函，如：-D3(BJ)、-D4(EEQ) 杂化泛函HSE03、HSE06 丰富的libxc泛函库 DFT-1/2方法得到更好的带隙、Hubbard U 基组：NTO/STO、纯STO基组、GTO基组 外场与特殊模型： 均匀静磁场 均匀静电场 外压强与应力 虚晶近似：允许某些原子位以一定比例掺杂 物理性质： 能带结构与态密度、pDOS、LDOS、有效质量、费米能级、费米面 形成因子、结合能XPS 动态极化率、介电函数 弹性张量及其相关性质（教程）、应力张量 声子谱与热力学性质 高精度功函数计算 铁磁、反铁磁、亚铁磁材料 锂电材料中锂嵌入势 半金属材料性质 第一布里渊区中的高对称点、能带与态密度 […]
