全髋关节置换植入物定位【Simpleware应用】

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概述 植入物定位是全髋关节置换术的一个重大挑战。植入物必须要很好的适合并放置在髓管内,尽量使股骨—植入物的接触面积最大化。然而植入物位置的实验测试会超出成本的限制。另一种选择是使用计算模型在产品研发初期就综合分析植入物的位置。尽管这种方法并不是为了取代实验,但它可以帮助外科医生更好地理解植入位置对原发或继发稳定性的影响。结合 Simpleware 软件与 ANSYS 创建自动化的工作流程,整合 CAD 设计的植入物和股骨 CT 扫描,生成用于微动分析的有限元模型。模拟结果生成的响应面证实了位置变化对微动的影响。 亮点 在Simpleware软件中整合CAD植入物和股骨CT扫描在Simpleware软件中生成FE网格通过脚本自动生成多组植入物位置/方向在ANSYS Workbench中进行植入物微动的模拟对结果进行后处理并生成响应面预测植入物位置的最佳和最差情况 图像处理和CAD整合 使用Simpleware ScanIP和Simpleware CAD将由CT扫描进一步处理获得的分割后的股骨模型与CAD设计的植入物结合。然后利用Simpleware FE生成有限元网格,导出至ANSYS Workbench中进行微动模拟。通过Simpleware API运用Python脚本自动生成多个植入位置,而无需耗费大量时间手动调整。 图:使用Simpleware CAD将分割后的股骨与CAD设计的植入物结合 FE网格生成 在本例中,为每个植入位置生成有的限元网格包含股骨的约10000个节点和38000个单元,钛金属植入物模型约2000个节点和6000个单元。采用Simpleware软件的自动转换算法基于原始扫描的CT值(Hounsfield单位,HU)为股骨分配标准材料属性。为模拟约束和加载条件给植入物和股骨添加节点集,在植入物—骨界面处的网格细化也增加了模拟的真实性。 图:使用Simpleware FE对股骨和植入物进行网格划分 应力分析&响应面模型 将初始的有限元模型导出至ANSYS Workbench,在上千个可能的候选的基础上产生成功的微动模拟。利用Kriging回归法对425个成功模拟点进行插值,生成响应面模型(RSM)。 ANSYS Workbench模拟可以利用RSM确定导致微动最高和最低可能值对应的植入位置。外科医生可以根据这些结果解释和预测植入物的最佳和最差位置。 图:在ANSYS Workbench中获得的最佳位置(左)和最差位置(右) 结果:最佳/最差的植入位置 利用Simpleware软件和ANSYS结合图像数据与有限元分析,成功地开发了一种用于分析植入物与股骨间相互作用的自动化工具。采用的响应面方法使人们深入了解微动对定位的敏感性。 随着该工具可行性的建立,进一步的工作可以集中在研究多个植入物设计在患者群体的分析。因此除了植入物研发之外,该工具在手术规划方面也有非常重要的应用。 参考 致谢和更多信息请参考英文原文:https://www.synopsys.com/simpleware/resources/case-studies/total-hip-replacement.html。

Fe/Co掺杂镍基载氧体的化学链燃烧反应机理和性能(Fuel Process Technol 2022)

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CLC作为一种低能耗、低污染的新型能源利用方法,是实现清洁生产和高效转化的研究热点。CLC过程的关键任务之一是载氧体的反应活性和机理研究。众所周知,燃烧等热化学转化过程的化学反应行为与反应物的结构密切相关。NiO、Fe2O3、钙钛矿和尖晶石材料在CLC中表现出不同的反应行为和机理,这些差异主要来自于各种载氧体的化学组成、颗粒尺寸、表面形态和化学键特征。尽管已经在实验中研究了CLC中各种反应行为,从多尺度分子模拟、反应动力学和材料表征的角度,尚未全面了解Fe/Co掺杂的镍基载氧体的反应行为和机理,仍然面临许多局限性和挑战。 因此,本工作通过多尺度分子模拟和实验结合研究CLC过程中Fe/Co掺杂的镍基载氧体的反应机理和行为。主要工作由三部分组,分别是本征反应机理和性能、非本征反应性能评价、材料表征揭示反应行为。首先,采用多尺度分子模拟研究Fe和Co掺杂的NiO载氧体和H2分子之间的本征反应的反应能垒和机理。使用IGM和EDA研究H2分子与载氧体表面之间相互作用的区域、类型和强度。然后,使用H2-TPR和TGA测试系列Fe和Co掺杂的镍基载氧体的性能,得到转化率和表观活化能。最后,从颗粒尺寸、形貌、表面等材料表征学揭示本征反应和非本征反应的差异。 研究要点一: ReaxFF MD模拟提供了直接证明H2与NiO相互作用生成H2O分子的反应是基元反应的证据。整个CLC过程中截取H2生成H2O的反应机理如图1所示,H2向活性位点扩散,并倾斜吸附在载氧体表面(图1(a))距离约为2 Å。紧接着O原子迅速向H2转移,H-H键断裂的同时形成H…O…H键(图1(b))。形成的不稳定的结构,Ni-O键随即断开生成H2O分子(图1(c))。当脱附完成时,H2O分子的H-O键长分别为1.464和0.960 Å,H…O…H键角约为125°。H2O分子进一步弛豫得到合理的结构,并远离载氧体表面。下面接着使用DFT计算探索反应物、产物和过渡态的结构和能量更准确地描述反应过程。 图 1 截取ReaxFF MD模拟反应过程H2生成H2O的过程(红色球、蓝色球和白色球分别是O、Ni和H原子) 研究要点二: H2吸附在4层2×2的NiO (001)周期性平板模型(如图2(a)所示),镍和氧原子各32个,表示为Ni32O32。考虑Ni原子被Fe/Co掺杂取代的NiO载氧体模型表示为MNi31O32(M=Fe、Co和Ni),如图2(b)所示。H2吸附在MNi31O32载氧体表面的吸附构象分别是H2垂直吸附在M-top、O-top和空位(分别表示为T1、T2和T3),以及H2平行吸附在M—O、M…Ni和O…O桥位(分别表示为P1、P2和P3),其中M=Fe、Co或Ni,如图4-2(c)所示。总共构建18个结构用于研究H2在镍基载氧体表面反应机理。载氧体的连续氧释放反应模型被考虑并表示为Ni32O31、FeNi31O31和CoNi31O31。 图 2计算结构模型:(a) 4层2×2 NiO超胞模型;(b) MNi31O32模型(M=Ni、Fe或Co);(c)吸附位点 研究要点三: 18种模型的Ebinding值范围为-0.236~-0.016 eV。H2在Ni32O32表面的P3构象Ebinding值最负(-0.192 eV),是最佳吸附构型。该结果与ReaxFF MD模拟的结果一致,H2分子倾向于平行吸附在Ni32O32表面的O…O键。P2是最不稳定的构型,Ebinding值为-0.0761 eV。如图3(a)所示,H2吸附在FeNi31O32和CoNi31O32表面的P3构象的Ebinding最负(分别为-0.212和-0.236 eV)是优势吸附构象。该结果与H2吸附Ni32O32表面的优势吸附构象一致。因此,H2分子倾向于平行吸附在Ni32O32、FeNi31O32和CoNi31O32表面的O…O键。除了T1和T3外,随着Fe和Co掺杂,大多数Ebinding值变得更负,这表明Fe/Co掺杂有利于H2在OCs表面上的吸附。 研究要点四: 采用能量分解对H2分子吸附在Ni32O32、FeNi31O32和CoNi31O32表面的稳定吸附构象进行分析。最稳定的吸附模型(P3)的EPauli分别为0.264 eV、0.227和0.251 eV,这表明Fe和Co掺杂减少排斥相互作用表现出显著地稳定效应,这可以有效地活化载氧体的晶格氧。相比之下,Eelstat、Eorb和Edisp在P3吸附构象对总吸引力的贡献比例不同。H2吸附在Ni32O32、FeNi31O32和CoNi31O32表面的P3,Eelstat(38.1、36.1和38.0%)和Edisp(34.3、36.7和35.3%)的贡献几乎相等,并且两种相互作用的贡献都大于Eorb(27.6、27.2和26.7%)。因此,静电和色散相互作用为主,其次是轨道相互作用。这与表现出较弱相互作用的体系不同。Ni32O32、FeNi31O32和CoNi31O32在T2的Edisp的贡献分别增加到65.9、64.9和67.8%,因此色散相互作用成为三个载氧体表面吸引力的主要贡献,Eelstat和Eorb的贡献均低于20%。T1吸附构型中,Ni32O32以Eorb(50.3%)为主,而CoNi31O32以Edisp(53.2%)为主。Eelstat(29.5%)、Eorb(35.9%)和Edisp(34.6%)构成了T3的总吸引力。根据EDA结果,通过不同吸附模型调节静电、轨道和色散相互作用可以有效地增强H2吸附载氧体表面。 研究要点五: 图3(b)总结了CLC中H2与Ni32O32、FeNi31O32和CoNi31O32载氧体的不同反应势能面、反应坐标和反应能垒(ΔEbarrier)。H2在Ni32O32表面的ΔEbarrier值在0.998~1.974 eV。H2在Ni32O32表面的反应,P3的ΔEbarrier最低(0.998 eV),P2最高(1.974 eV);FeNi31O32表面反应的ΔEbarrier值从0.800 eV (P3)到1.614 eV (T2);CoNi31O32表面反应的ΔEbarrier值1.380~2.677 eV。因此,Fe掺杂降低了反应能垒,而Co掺杂相反。FeNi31O32和Ni32O32最佳反应路径都是P3,没有改变最佳反应路径。Co掺杂改变了反应路径,这可能导致CoNi31O32载氧体ΔEbarrier增加的因素之一。除了反应路径和ΔEbarrier值之外,另一个原因可能是Co掺杂导致更负的Ebinding值(较低的IS结合能),使能垒增大。 图3 不同构象的(a) Ebinding和(b) ΔEbarrier○在(a)中表示最负的结合能;(b)中表示能垒最高。△在(a)中表示最大的结合能;在(b)中表示能垒最低。 图4(a)所示H2与Ni32O32、FeNi31O32和CoNi31O32载氧体反应的最低ΔEbarrier值分别为0.998、0.800和1.380 eV。载氧体的本征反应的活性顺序为FeNi31O32>Ni32O32>CoNi31O32。这可能归因于纯Ni32O32中引入掺杂剂导致M—O键和M…Ni(M=Fe或Co)相比完美Ni32O32的Ni—O键和O…O和Ni…Ni键扭曲。H2平行吸附于纯Ni32O32表面的O…O (P3),距离为2.724 Å。H2在FeNi31O32表面,虽然P3是优势吸附构象,但H2略微偏向掺杂的Fe原子。Co掺杂的优势构象H2吸附在掺杂的Co原子上(T1),并且更靠近表面(3.048 Å)。在TS结构中,氧原子分别在Ni、Fe和Co原子上,H2O分子位置保持不变,直到反应完成(FS结构)。Fe和Co掺杂对载氧体中的M—O键(M=Fe、Co或Ni)和晶格氧的影响不同,从而显着改变了反应能垒。图4(b)是Ni32O31、FeNi31O31和CoNi31O31连续释氧过程的反应坐标和路径。Ni32O31、FeNi31O31和CoNi31O31的ΔEbarrier值分别为0.977、0.247和1.023 eV,略低于第一个释氧的值,说明第二个释氧反应更容易。由于Ni32O31、FeNi31O31和CoNi31O31含有氧空位有利于CLC反应,这和之前的报道的一致。 图4最佳势能面的ΔEbarrier和结构 (a) Ni32O32、FeNi31O32和CoNi31O32表面;(b) Ni32O31、FeNi31O31和CoNi31O31表面 结论: […]

超薄砷化镓晶体管的性能极限【QuantumATK亮点文章】

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背景 晶体管的尺寸微缩是推动微电子电路发展的关键。然而,由于严重的短沟道效应,传统硅基晶体管正在接近其物理极限。当栅极长度小于 10 纳米时,实验制备的硅基晶体管的已经不能满足国际半导体技术发展路线图(ITRS)的开电流标准。为了延续摩尔定律,目前主流的一种解决方案是将沟道替换为更高迁移率的材料。其中,III-V 化合物半导体有着比硅更高的电子迁移率和电子注入速度,被认为是硅的有力继任者。而砷化镓(GaAs)因其具有良好的n型和p型器件性能,在一系列 III-V 半导体中脱颖而出。为了尽可能延长摩尔定律的寿命,探索n型和p型GaAs晶体管的性能极限十分必要。 研究内容 具有较薄沟道的晶体管可以进一步增强栅极控制力和对短沟道效应的免疫力。单层氢化 GaAs(ML GaAsH2)是超薄 GaAs 的极限形式,因此,模拟 ML GaAsH2 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)可以给出超薄 GaAs FET 的性能上限。本文报道了作者对 n 型和 p 型双栅 ML GaAsH2 MOSFET 的第一性原理与量子输运模拟研究。作者引入 underlap 结构,得到了器件从5纳米栅长一直微缩至 1 纳米的转移特性。 图1 (a) ML GaAsH2 结构图。(b、c) ML GaAs 和 ML GaAsH2 的能带结构。(d) 双栅 ML GaAsH2 MOSFET 的示意图。(e) 5 纳米栅长的转移特性曲线 作者发现,n 和 p 型ML GaAsH2 晶体管的性能极限分别位于 3(4)和3(5)nm 栅长处。与其他模拟工作中的典型二维器件进行横向对比,只有 ML GaAsH2 器件的开电流在亚 5 纳米栅长范围内,可以同时满足NMOS、PMOS 在高性能、低功耗应用下的 ITRS […]

磁性与自旋电子学研究案例集(三)

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用 Y 位原子替代 Heusler 晶格实现自旋阀的巨磁电阻 ”全Heusler”自旋阀由两个半金属 Heusler 电极和一个非磁性 Heusler 隔断构成,其中包含两个对磁电阻有重要影响的界面。为了减少界面无序度,保护电极在同一区域的半金属性,作者提出了一种方案,通过替换半金属Heusler电极中的Y位原子来构建自旋阀,以获得基于 Slater–Pauling 规则的相应非磁性隔断结构。这样,可以自然地确保两种材料的晶格和带匹配。以 Co2FeAl 为电极,Co2ScAl 为间隔材料,构建了Co2FeAl/Co2ScAl/Co2FeAl(001)自旋阀。基于第一性原理计算,从声子谱和形成能两方面确定了当间隔基 Co2ScAl 生长在电极材料 Co2FeAl 终止的(001)表面时,FeAl/CoCo 界面最稳定。通过将界面原子的投影态密度与体电极材料的相应态密度进行比较,只有Al的自旋上升态值在置换前后从 0.17 态/原子/eV变为 0.06 态/原子/eV,界面处的半金属丰度保持不变。结果表明,自旋相关的输运性质显示出显著的理论磁电阻 MRop,可以达到1010%,远大于以前报道的106%。(Zhang, Lei, Binyuan Zhang, Liwei Jiang, and Yisong Zheng. “Giant magnetoresistance in spin valves realized by substituting Y-site atoms in Heusler lattice.” Journal of Physics: Condensed Matter 34, no. 20 (2022): […]

逆向工程在汽车零部件设计中的应用【Simpleware应用】

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概述 考虑到所用材料的复杂性和处理图像数据时对精度的需求,对汽车零部件进行逆向工程和分析是一个很大的挑战。 在本项目中,研究人员利用Simpleware ScanIP克服上述困难,将气缸盖的CT数据转换为适合检测缺陷和可导出为模拟准备的网格化高质量三维模型 为进行热模拟分析和考虑到铸造铝件时空洞的影响,因此将重点放在气门座的分割上。 亮点 从CT扫描获得3D图像数据在Simpleware ScanIP中进行可视化和初始分割使用形态学开滤波器和3D编辑工具改善气门座的分割在Simpleware FE中对处理后的图像数据进行网格划分将为模拟准备好的网格导出至LS-DYNA®进行热结构分析 可视化和图像分割 利用工业CT扫描设备以0.4mm×0.4mm×0.5mm的分辨率获取气缸盖的成像数据,并导入Simpleware ScanIP中。利用体积渲染、不透明度设置和颜色映射工具根据其底层灰度值进行可视化和重建数据,故此能够检测到铸件中微小缺陷/空洞。下一步的分割要将气门座与气缸分开。 气门座的3D编辑 在Simpleware ScanIP中,使用多种图像处理工具的组合将气门座从气缸盖中分割出来。初始阈值可以快速为各组件创建独立的掩模,在选中的感兴趣区域(ROI)使用形态学滤波器处理模型。利用Simpleware的3D编辑工具,在气门座周围创建一个3D ROI,用形态学开放滤波器去除小范围的噪声。这些工具使气缸盖中气门座的多部位分割更加准确和清晰。 图:使用Simpleware的3D编辑工具去除气门座周围的小范围噪声 结果 采用Simpleware FE对分割后的图像数据进行网格划分,并导入LS-DYNA®初步分析气缸盖中有无空洞对图像的影响。在考虑进气温度和排气温度的情况下, 比较有无空洞时空洞周围的主应力。该方法有助于深入了解零件在不同制造条件下的潜在性能,为缺陷分析奠定了未来研究的基础。 图:在LS-DYNA中分析气缸盖中有无空洞所造成的影响 参考 致谢与其他信息请参考英文原文。

热激子基TADF分子设计的理论探讨(Materials Advances 2022)

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近年来TADF过程的研究取得了诸多突破,但要进行更高效率和量子产率的TADF分子设计,还需要更多深入的理论机理上的研究。与传统(冷)TADF一样,基于热激子的TADF材料也可以有效地利用单重态和三重态激子,理论上产生100%的IQE。与冷TADF(从低激发T1到S1)不同,热TADF中的RISC过程发生在高激发三、单重激发态(Tm(m>1)与Sn(n>1))之间。设计满足热激子形成条件的材料,例如低三重态之间能隙足够大,而高激发单-三重态能级间隙足够小,仍然是相当困难的。 印度SRM大学化学系Jesni M Jacob、Mahesh Kumar Ravva近期的研究中,探索、分析了分子设计的基本概念,并通过密度泛函理论建立热TADF分子的结构-性质关系,提出了一种分子设计策略。作者设计了一系列新的热激子机制施主(D)-π-受体(A)型分子,探索了新设计分子的电子特性,以助于设计“热激子”通道OLED材料。由于苯恶嗪(PXZ)和咔唑(CZ)的给电子能力适中,因此选择它们作为给电子单元,而吡嗪单元上的吸电子基团包括H、F和CN被取代为受体单元,使用CN化的萘噻二唑(NZ)和蒽噻二唑(AZ)单元连接供体和受体,设计出十二个D-π-A框架分子。这项研究可以为具有多个热激子通道的有机材料的分子设计方法带来新的见解,从而更好地利用激子。 参考文献 Theoretical Insights on Molecular Designing of Hot-Exciton based Thermally Activated Delayed Fluorescence Molecules, J. M. Jacob and M. K. Ravva, Mater. Adv., 2022, DOI: 10.1039/D2MA00039C

探究睡眠呼吸暂停【Simpleware应用】

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概述 理解如何维持气道通畅的基础是咽部被动机械变形对上气道塌陷的作用进行分析。本项研究首先在 Simpleware 软件中使用 CT 扫描数据创建了精细的 3D 解剖模型,然后采用有限元分析(FEA)方法研究变形情况。结果与体内试验及文献报道吻合较好,可以作为更全面地模拟人上气道塌陷和治疗阻塞性睡眠呼吸暂停的起点。 亮点 从 CT 获取人体上气道图像数据在 Simpleware ScanIP 中重建 36 个不同的解剖结构在 Simpleware FE 中生成有限元网格并施加内气道压力边界条件在 ANSYS Workbench 中进行气道变形模拟 图像处理和网格生成 采用多层螺旋 CT 扫描仪获取一例 79 岁男性的正常气道 CT 扫描数据。通过 Simpleware ScanIP 对 DICOM 文件进行三维重建和分析。对整个图像应用二值化的中值滤波以降低噪声;采用噪声曲率流滤波器促进区域内平滑、抑制区域间平滑、去除噪声,增强灰度边界。对36个单独的组织、骨骼、软骨、韧带、肌肉和膜的解剖结构进行分割。采用递归高斯平滑对分割后的结构进行平滑处理,进一步降低噪声水平,减弱锐利的边缘。将模型的下侧裁剪至声带附近,从而减少 FEA 的计算需求。 图:用于 FEA 的三维模型渲染图。每个数字和不同颜色代表特定的解剖结构。 使用 Simpleware FE 创建由正四面体单元组成的网格,进行局部网格细化和额外的网格改进措施。多部分网格在接触界面上具有共享节点,在气道壁上定义的节点集施加内气道压力边界条件,并在立方体域边界与模型的界面处定义节点集;在这里也采用了固定边界条件。 模拟结果 划分的网格和节点集以 .cdb 格式导入 ANSYS Workbench 进行模拟。在 Image J 中分析横截面积,证明网格已收敛。在小变形的限制下估算被动咽部组织的性质,以线性弹性作为合理假设。 在不同气道压力下分析口咽部和腭咽的横截面积,确定大气压(零)附近的面积随压力的变化斜率,并与已发表的放松状态下已麻醉正常人的体内实验数据进行比较。研究结果提供了新的理解,有助于进一步基于图像建模研究,也有助于针对口腔压力治疗设备进行新型医疗器械设计。 图:在基于三维 CT 的人咽部有限元模型中,整体和定向局部变形的矢状断面视图。(A)总变形;(B)横向变形;(C)前后向变形;和(D)垂直向变形 参考 致谢请参考英文原文;Carrigy, N.B. et al., 2016. Simulation of muscle and adipose tissue deformation in the passive human pharynx. Comput Methods Biomech […]

传感器材料与器件的模拟【QuantumATK亮点文章】

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基于高导电碳纳米管/聚氨酯复合纤维的可穿戴式应变传感器 高导电性和可伸缩性纤维因其在柔性可穿戴电子设备中的潜在应用而受到越来越多的关注。羧基化碳纳米管(c-CNT)被涂覆在柔性纤维上,作为制造可穿戴式应变传感器的方便方法。然而,由于碳纳米管的石墨化结构在羧化过程中被破坏,碳纳米管的导电性降低。如何让 c-CNT 复合纤维具有高导电性仍然是一个重大挑战。此研究通过在聚氨酯(PU)纤维上涂覆金属离子连接的 c-CNT 来制备高导电纤维,以提高 c-CNT 之间的电子传输速率。由 Fe2+ 离子和羧基形成的金属配位结显著提高了 PU 的导电性 /CNT@Fe2+ 纤维(高达 72 S m−1). 密度泛函理论计算证明,这种高导电性是具有强电子态耦合的配位结促进电子输运的结果。由此产生的配位效应增强了碳纳米管之间的相互作用,使导电网络更加灵活。基于聚氨酯的应变传感器/CNT@Fe2+ 纤维具有高灵敏度(50% 应变下的规范系数为 36)、大应变范围、不明显的漂移和耐久性。纤维应变传感器成功地用于监测关节运动和面部表情。【Zaiyu Zhuang, et al. Nanotechnology 31 (2020) 205701】 应变和电场作用下小分子在GeP单分子膜上的可调吸附行为 作者使用第一性原理计算方法研究了 GeP 单层膜对小气体分子(CO、CO2、O2、H2O、NH3、NO 和NO2)的传感特性。根据计算的吸附距离、吸附能和电荷转移,作者发现 GeP 单层膜对 NO2 和 NO 分子最敏感,所有气体分子都作为受体从 GeP 单层膜中获得电子。NO2 分子的吸附能小于 NO 分子的吸附能,这意味着 NO2 更容易从 GeP 中解吸。不同的功函数变化也表明了在无氧环境中识别 NO2 和 NO 的可能性。此外,作者将单轴和双轴应变应用于 GeP 单层膜,发现较小的双轴压缩应变可以有效地提高基于功函数型传感器的 GeP 对 […]

增材制造个性化骨增量钛网的工程实现【Simpleware应用】

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简介 引导骨组织再生(guided bone regeneration,GBR)是一种口腔种植骨增量技术,在骨缺损区利用屏障膜维持空间并阻挡增殖较快的上皮细胞和成纤维细胞长入,保证增殖速度较慢的成骨细胞优势增长而形成骨。随着增材制造(常被称为“3D打印”)技术的发展,可利用计算机辅助设计(computer aided design,CAD)设计出与患者颌骨形态贴合并且具有预期骨增量水平的个性化钛网模型,在激光的作用下通过材料逐层累积将其“打印”出来,最终将这种个性化骨增量钛网用于引导骨组织再生手术。与传统钛网相比,增材制造的个性化骨增量钛网更加贴合骨缺损部位,极大缩短手术时长并降低钛网暴露率,尤其适用于大面积、解剖形态复杂的骨缺损病例。 个性化骨增量钛网工艺研发 对于增材制造个性化骨增量钛网产品,研发工程师与口腔种植科的临床医生和影像科医生组建钛网项目团队,经由主治医生获得患者的影像数据(CBCT产生的“.DICOM”数据)及其对患者预期骨增量的要求,同时主治医生还会提供患者的口内扫描数据、修复体和种植体规划数据等作为钛网设计的参考模型。研发工程师将“.DICOM”数据导入到Simpleware Scan IP软件中进行解剖结构的三维模型重建,包括患者骨缺损处的颌骨、邻牙及牙根、神经管(下颌病例)并将其导出为“.STL”格式的三维模型。使用光敏树脂材料将带邻牙的颌骨模型增材制造出来,用于个性化骨增量钛网的试配。以口腔修复为导向,根据主治医生预期骨增量要求,以及钛网与邻牙、神经等解剖结构的位置关系,同时考虑固定钛网用的钛钉尺寸和位置,设计出钛网的轮廓面。在Solidworks 软件中将钛网网孔的单胞结构填充于钛网轮廓面上并增加钛网的厚度为0.3~0.4 mm,导出“.STL”格式的钛网模型。下图显示了个性化骨增量钛网的设计模型及其与颌骨、钛钉和骨粉配合在一起的示意图。个性化设计出来的钛网模型可以进行有限元分析和静力学计算,以评估钛网植入后的生物力学性能。 图:个性化骨增量钛网的增材制造 图:个性化骨增量钛网设计模型,包括有严重骨缺损的下颌骨、个性化骨增量钛网、钛网固定钛钉和人工骨粉 在完成钛网的CAD设计和CAE仿真后,将钛网模型(“.STL”格式)进行增材制造工艺支撑和打印布局的设计,钛网及其工艺支撑按照25μm厚度进行切片,切片后的数据导入至增材制造设备MLab中,使用医用纯钛材料进行增材制造,所得产品在热处理后进行线切割和去支撑,经过打磨后进行喷砂处理,最后进行超声清洗以及灭菌杀毒,使用无菌包装将其封闭。主治医生在种植手术时将个性化骨增量钛网拆除包装直接植入患者口腔,在手术完成后拍摄即刻CBCT。 骨缺损颌骨三维重建和个性化骨增量钛网设计 根据每位患者的CBCT数据三维重建生成骨缺损颌骨模型,使用光敏树脂材料增材制造出用于个性化骨增量钛网试配和术前评估;依据临床要求对骨缺损颌骨进行“数字雕刻”,即通过模拟现实中蜡型雕刻方式制作数字化的模型,设计出满足预期骨增量要求的“完美”颌骨,在此基础上完成个性化骨增量钛网的模型设计。相较于传统钛网,采用“全程数字化”技术设计和制造的个性化骨增量钛网更贴合患者牙槽骨形态,避免了术中需要折弯剪裁的复杂步骤,节省大量手术时间;个性化骨增量钛网适合多种复杂骨缺损病症,为引导骨再生手术提供稳定的成骨空间,实现了种植术后功能重建和美学的可预期性。 图:由患者CBCT数据重建而成的骨缺损颌骨和个性化骨增量钛网模型 为了提高设计效率同时有效减小“金属伪影”对模型尺寸精度的影响,工程师开发出基于神经网络的深度学习算法,对目前已处理的200多例患者CBCT数据进行精准标注和训练,产生预训练模型用于解剖结构的分割、检测和分类任务,最终实现自动生成骨缺损颌骨和邻牙的精准三维模型。 结论 根据患者的解剖结构和预期的骨增量水平定制式设计出个性化骨增量钛网,通过有限元分析对钛网的设计模型进行验证,通过增材制造的工艺将其生产出来,同时在生产过程中增加“随炉试样”用以验证钛网成品的理化性能。增材制造的个性化骨增量钛网可以获得满足临床应用要求的性能,其临床上的长期有效性有待钛网植入后进一步的随访观察。 参考 张立强:增材制造个性化骨增量钛网的工程实现。中国口腔种植学杂志 2021 年 12 月第 26 卷第 6 期,第354~361页。

基于CrI3的磁隧穿结中磁阻的层数依赖行为【QuantumATK亮点文章】

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简介 磁隧穿结广泛应用于磁头、磁随机存储器等自旋电子学器件中,其磁电阻大小直接决定了器件的存储密度大小。基于二维磁性材料的磁隧穿结相比于传统的基于块体的磁隧穿结,由于具有表面平整无悬挂键等优点,在磁电阻上表现出明显的优势。目前实验上已经在以 2 层、3 层,4 层和 10 层 CrI3 为隧穿层的磁隧穿结中观测到了 310%、2000%、8600% 和 106 %的磁电阻,其中的最大值远远高于传统的基于 MgO 隧穿层的磁隧穿结(1000%)。因此,系统地研究基于二维磁性材料的磁隧穿结中磁电阻随层数的变化关系,将有助于突破目前磁隧穿密度的极限。基于此,北京大学吕劲研究员和杨金波教授课题组合作,采用第一性原理结合非平衡格林函数的方法,系统计算了以 2~12 层 CrI3 为隧穿层,以 Ag 为电极的磁隧穿结中的磁电阻变化,同时也探究了偏压、磁化方向等因素对磁电阻的影响。该研究结果为发展具有更高磁存储密度的低维自旋电子学器件提供了新的思路。 图1. CrI3晶格结构与不同层数和磁序下的能带结构   CrI3是一种层内铁磁耦合,层间反铁磁耦合的二维范德华磁性半导体。由于层间耦合较弱,其自旋分辨的能隙随层数变化较小。在以Ag为电极,以CrI3为隧穿层的磁隧穿结中,铁磁态的电导远远高于反铁磁的电导,且铁磁态情形下能够获得接近100%的自旋极化率。铁磁态电导随层数呈现奇偶振荡的变化趋势,而反铁磁态的自旋极化率则随层数呈现奇偶振荡的趋势。 图2. Ag/2~12层CrI3/Ag磁隧穿结结构示意图;电导、自旋极化率随层数变化情况 作者发现,以Ag的电极的磁隧穿结的磁电阻在7层以下呈奇偶振荡的变化的趋势,在7层以上则是呈单调递增的趋势,在12层CrI3的器件中获得了高达109%的磁电阻。通过与以石墨为电极的磁隧穿结计算结果的对比,以及对投影局域态密度的分析,作者图1. CrI3晶格结构与不同层数和磁序下的能带结构发现由金属电极引起的邻近CrI3层的金属化是引起磁电阻奇偶振荡的原因。 图3. 不同磁隧穿结中磁电阻随层数变化情况 图4. 不同电极情况下自旋分辨的投影局域态密度(以4层CrI3为例) 总结   本文利用QuantumATK软件,研究了基于二维CrI3的磁隧穿结的量子输运。研究发现,隧穿磁电阻与隧穿层层数大致呈正相关关系,计算获得了最高达到109%的磁电阻。另外,磁隧穿结中的金属电极是造成隧穿磁电阻振荡的关键。该工作证明了二维磁性材料在自旋电子学研究中的潜力,明确了层数对磁电阻的影响,对器件的实验实现具有指导意义。 参考文献   B. Wu, J. Yang, R. Quhe, S. Liu, C. Yang, Q. Li, J. Ma, Y. Peng, S. Fang, J. Shi, J. Yang, J. Lu […]

 
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