氮氧共修饰碳纳米管结构稳定性和氮氧化物吸附的DFT模拟(Surfaces and Interfaces. 2023)

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近日,南京工业大学的杨晓宁教授团队在国际期刊Surfaces and Interfaces发表了一篇题为DFT simulation of structure stability and nitrogen oxide adsorption for nitrogen and oxygen co-modified carbon nanotubes的文章,使用DFT研究了氮氧共修饰碳纳米管结构稳定性和氮氧化物吸附。 摘要: 氮(N)和氧(O)共修饰碳纳米管(ON-CNTs)在吸附和催化过程中具有潜在的应用前景,因为含氧基团和N掺杂原子可以提供丰富的表面结合位点。然而,它们在不同共改性水平下的结构稳定性和吸附相互作用仍有待探索。作者首次采用密度泛函理论方法定量表征了一系列ON-CNTs的结构形貌和热力学稳定性。对ON-CNTs与氮氧化物(NO和NO2)之间的相互作用能和电子机制进行了全面调查。该仿真结果对改性碳纳米管的设计和应用具有重要价值。 计算方法: 本研究中所有的DFT计算均使用AMS软件的BAND模块。基于广义梯度近似(GGA)的Becke-Perdew (BP86)泛函与Grimme等引入的经验弥散校正(-D3),用于所有ON-CNTs的几何优化和单点计算。所有的计算都是在真空中使用TZP基组进行的。在几何优化中,能量收敛为10-5 Hartree,能量梯度收敛为10-3 Hartree/Å,步长收敛为10-3 Å。 图1. 三种典型的ON-CNTs的静电势图(ESP) 作者模拟了ON -CNTs的表面静电势(ESP),这是表征表面相互作用位点的重要特性。如图1所示,ON -CNTs表面骨架的ESPs以正为主,负ESP值一般在官能团氧原子附近,而官能团的H原子表现出正ESP值。随着共修饰程度的增加,掺杂N原子的存在可以更积极地增强表面ESP。因此,共修饰对ON-CNT电荷分布有影响,为与外部分子的吸附提供了多个相互作用的位点。 图2. NO分子在ON-CNTs表明的AIM和NCI分析 为了理解NO/NO2分子与ON-CNTs结构之间的相互作用机制,作者采用了AIM和NCI方法分析了几种典型吸附配合物之间的相互作用,如图2所示。NO分子与CNT-N20O30表面结合时,存在着非共价相互作用和共价键共存的丰富而复杂的相互作用模式。随着N和O共改性水平的提高,NO与ON-CNTs之间的相互作用增强,同时吸附状态可以由物理吸附转变为化学吸附。 图3. 三种典型吸附配合物的投影态密度分析(PDOS) 图3显示了具有最强吸附位点的三种典型NO/ ON-CNTs吸附配合物的投影态密度(PDOS)。与分离的NO分子相比,吸附在CNT-N10O10上的NO分子的2P轨道峰在费米能级附近减小(图3a)。同时,在0.12 eV时,CNT-N10O10分子与NO分子之间的轨道仅出现轻微重叠,说明NO/CNT-N10O10体系内部的相互作用较弱,这与吸附体系中唯一的vdW相互作用一致。NO/CNT-N20O20内部的相互作用(图3b)对NO分子的PDOS有显著影响。NO分子被吸附后,原费米能级附近的2P轨道峰消失,在- 1.51 eV和1.55 eV处出现新的峰,分别与H116和H111的S轨道有明显重叠,导致CNT-N20O20与NO分子发生强结合。这也解释了CNT-N20O20体系中强烈的非共价相互作用。 图4. 两种气体分子对T和P的吸附自由能(ΔG)二维图 图4为两种气体分子对T和P的吸附自由能(ΔG)二维图。随着T的减小和P的增大,吸附自由能呈下降趋势。改性碳纳米管表面对氮氧化物气体的吸附是热力学自发的,在实际条件下是有利的。 总结: 本文利用AMS软件的BAND模块,进行了氮氧共修饰碳纳米管结构稳定性和氮氧化物吸附的DFT模拟研究。研究发现,当N掺杂浓度低于30%,氧化水平低于50%时,ON-CNTs一般可以保持稳定的形貌,而不会出现明显的结构破坏。表面氧化程度是决定相互作用的主要因素,氧化程度在20 ~ 40%时可以产生强相互作用能。与NO2分子相比,NO分子与ON-CNTs的表面相互作用更大。电子水平的AIM、NCI和PDOS分析进一步揭示了各种相互作用机制。NO分子与ON-CNTs之间的强相互作用主要归因于化学共价相互作用。NO2分子的相互作用是由HB和vdW机制驱动的。进一步的吸附自由能结果表明,共改性碳纳米管表面对氮氧化物气体的吸附是热力学自发的,在实际条件下是有利的,使其成为一种有前途的氮氧化物捕获纳米材料。该模拟结果不仅揭示了表面相互作用的机理,而且为ON-CNTs的设计提供了指导和应用潜力。 参考文献: Yan Chen, Jintao Han, Xiaoning Yang, DFT simulation of structure […]

MBe2 (M=Zr, Hf)中的π-π键与超导性(Angew. Chem. Int. Ed. 2021)

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丹麦奥胡斯大学Maarten G. Goesten教授,近期发表了关于MBe2 (M=Zr, Hf)层状结构能带与层间相互作用能,及其超导性的研究结果。铍是一种s区元素,在ZrBe2和HfBe2合金中形成离域Be-Be π键的芳香族网络,从而构造出[Be2]4-层状堆叠,中间为+4价阳离子(如下图所示)。[Be2]4-亚晶格与石墨等电子、同构,MgB2中的[B]-2亚晶格也是如此,并且在其电子能带结构中与π键具有相同的表现。 它们在布里渊区的K和H处,出现能级的(近)简并,但由于层间轨道相互作用,而导致能量上的分离。Zr和Hf利用它们的价态d轨道,在层与层间形成键,导致几乎相同的能带结构。像MgB2一样,ZrBe2和HfBe2在环境压力下,经计算为声子介导的超导体,临界温度分别为11.4 K和8.8 K。声子和自由电子之间的耦合强度非常相似,因此临界温度的差异,由层间阳离子的质量(Mass)控制。 本文的DFT计算采用AMS软件BAND模块完成。 参考文献: Maarten Goesten, Be-Be π bonding and predicted superconductivity in MBe2 (M=Zr, Hf), Angew. Chem. Int. Ed., 2021, DOI:10.1002/anie.202114303

铁中大角度晶界原子间键的强度(Adv. Mat. 2020)

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俄罗斯科学院南方科学中心Yuri F. Migal教授对铁中大角度晶界,杂质原子和合金元素原子的结合能进行了量子化学定量计算。 第四周期的元素,从钾到氪作为杂质。作者使用材料化学软件包AMS中BAND模块计算了晶体原始的能量(以孤立原子能量为参考点),以及分裂后两个体系各自的能量(以孤立原子能量为参考点),从而得到晶粒间结合能。用高角度边界模型计算的不同原子结构的结合能,与早期使用平面模型计算得到的结果定性上是一致的。结果表明,晶粒间的结合强度主要取决于晶界处原子的类型,原子的排列细节影响较小。 基于这样的现象,根据这些元素与铁之间的化学键的强弱,对位于晶界的元素进行分类成为可能。所有元素可分为三类:(i)加固作用;(ii)软化作用和(iii)不显著影响边界强度。第四周期元素,可以被分配第一类中,如钛、钒、铬、锰,钴和镍。包括硫酸钾的软化元素则包括钾、钙、砷、钪、硒、溴。这与已知的有关这些元素在实验方面的信息是一致的。  参考文献: Yuri F. Migal, Strength of Interatomic Bonds at High-Angle Grain Boundaries in Iron, Advanced Materials pp 227-234

电子耦合如何决定分子晶体不同晶相的能量稳定性?(Chem. Mater. 2019)

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分子单体之间的电子耦合是决定有机半导体电荷输运的一个关键因素,而这直接受分子排布方式所影响。 Christian Winkler等研究了喹吖啶酮不同晶相下的分子间的相互作用,及其对能量稳定性的影响。为了深入研究这种影响,作者从α晶相喹吖啶酮为原型创建了共面的模型晶体,从而系统地比较电子耦合、总能量与位移的相关性。 通过这种方法确认,泡利排斥以及轨道的再次杂化,促使该体系倾向于电子耦合最低的晶体结构。这种趋势具有一定普适性,并五苯类似物也有这种趋势。 这表明,高性能的材料设计不能依赖有机半导体π共轭骨架结构“自然地”组装,必须引入官能团,引导晶体向更有利的结构方向发展。其中,以短轴位移为目标或实现相当大的长轴位移的策略,值得深入研究。 本文使用了AMS中的BAND模块的pEDA功能,将分子间的相互作用能分解为泡利排斥能、轨道相互作用能、静电作用能。并使用ZORA方法考虑相对论效应对电子动能的影响。 参考文献: Christian Winkler, Andreas Jeindl, Florian Mayer, Oliver T. Hofmann, Ralf Tonner, and Egbert Zojer,  Understanding the Correlation between Electronic Coupling and Energetic Stability of Molecular Crystal Polymorphs: The Instructive Case of Quinacridone,  Chem. Mater. 2019, 31, 7054–7069

 
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