基于 SGS 和 HMM 材料的VSe2/hBN/MnSe2 可重构磁隧道结在偏置电压下的性能分析 磁性隧道结（MTJs）是自旋电子器件的关键部件，其性能受到电极和势垒材料选择的强烈影响。本文利用第一性原理和量子输运模拟研究了基于 VSe2/hBN/MnSe2 异质结的可重构 MTJ。VSe2 作为自旋无带隙半导体，MnSe2 作为半金属铁磁材料，hBN 作为二维隧道势垒。该器件在 -0.5 至 0.5 V 范围内具有类似二极管的反隧道磁阻（TMR）效应。在 -0.5 V时 TMR 最大值为 2060.01%，而在 +0.5 V 时 TMR 最大值为 -79.11%。零偏置空位分析表明，Mn 位缺陷将 TMR 抑制至 -100.00%，而 V 空位缺陷对 TMR 的影响较小为 -37.81%。将自旋无带隙半导体和半金属铁磁电极与范德华势垒相结合，增强了自旋滤波、可调性和多功能输运，使该设计有望用于节能自旋电子存储器和逻辑应用。（Physica B-condensed Matter, 2025, 717: 417806. DOI:10.1016/j.physb.2025.417806） 磁性隧道结中由共振隧穿驱动的自旋扭矩增强：基于 DFT-NEGF 的模拟研究 通过在磁性隧道结（MTJ）中利用量子阱（qw-MTJ）的共振隧穿效应并采用非磁性金属间隔层（钨），探索磁性隧道结效率的潜在提升。利用非平衡格林函数形式结合密度泛函理论，计算并分析具有不同间隔层宽度的三种不同结构的导电性，并将其与不含量子阱的对照结构（0-W）进行比较。通过采用这种新颖的结构实现隧道磁阻的显著增强，从 0-W MTJ 的 1420% 提升至三钨层（3-W）qw-MTJ 的 9900%，同时电阻面积乘积降低了 60%，表明电流密度有了显著提升。此外，对自旋转移矩（STT）的计算表明，其数值相较于对照器件有了显著增加，随着钨层宽度的增加，STT 值也相应上升，从传统 MTJ 的 6μeV/V 增加到 3-W qw-MTJ 的 470μeV/V。此外，用于切换的临界电压从 0 层 t-MTJ 的 137 mV 显著降低至 3 层量子阱 MTJ 的 2.02 mV（降低了 70%），而临界电流则基本保持不变。这也导致临界切换功率大幅降低，从 38.36 pW 降至 0.66 pW（降低了 60%）。（Journal of Applied Physics, 2025, 138(12). […]

研究背景 随着信息技术的发展，数据存储器件正朝着更高速度、更低功耗以及更高稳定性的方向演进。磁阻随机存储器（MRAM）由于能够同时满足这些需求，被认为是最有潜力的下一代非易失存储技术之一。MRAM的核心器件是磁隧穿结（magnetic tunnel junction, MTJ），其基本结构由两层磁性电极和中间的绝缘势垒层组成。当两侧电极的磁矩由平行变为反平行排列时，电子的隧穿概率会发生变化，从而导致器件电阻出现明显差异。这种由磁构型改变引起的电阻变化被称为隧穿磁阻（tunneling magnetoresistance, TMR），是评价 MTJ 性能的重要指标。 传统 MTJ 器件通常采用铁磁材料作为电极。然而，铁磁体具有宏观净磁矩，会产生杂散磁场，这在器件小型化和高密度集成过程中可能带来干扰，影响器件稳定性。另一方面，反铁磁材料虽然没有杂散磁场，但其电子结构通常缺乏明显的自旋极化特征，使得自旋输运能力较弱。近年来提出的交错磁（altermagnetism）为这一问题提供了新的解决思路。交错磁材料在磁结构上类似反铁磁体，没有宏观净磁矩，但其能带结构却呈现出类似铁磁体的自旋分裂特征，从而兼具两者的优势，为新型自旋电子器件的设计提供了新的可能。 研究内容 在磁隧穿结中，电子通过势垒层进行量子隧穿时需要同时满足自旋守恒和动量守恒，因此电极材料在费米能级处的自旋分辨费米面几何直接决定了平行（P）与反平行（AP）构型下的导电通道。如图  1所示，当两侧电极的导电通道在动量空间发生重叠时，AP 态仍存在可用的自旋简并通道，从而产生“漏电流”，并限制隧穿磁阻（TMR）的提升。理想情况下，若两种自旋的费米面能够完全分离，则反平行态的输运将被极大抑制，从而获得更高的磁阻效应。 基于这一物理机制，北京大学物理学院吕劲团队与新加坡科技设计大学 Yee Sin Ang 研究组合作，系统研究了交错磁材料中费米面结构对交错磁隧穿结（AMTJ）输运性质的影响。研究选取了三种已经在实验中成功合成的交错磁材料：V2Te2O、RbV2Te2O 和 KV2Se2O，并通过密度泛函理论结合第一性原理量子输运计算，对其器件输运性质进行了系统模拟。 研究发现，准层状材料 RbV2Te2O 和 KV2Se2O 在费米能级附近存在交错磁平带结构，这种平带会产生高度各向异性的准二维费米面。如图 2 所示，随着材料原子构成的变化，不同自旋导电通道在动量空间中的重叠区域逐渐减少。在 V2Te2O 中 为 Γ 点附近的延伸区域，在 RbV2Te2O 中缩小为弧形区域，而在 KV2Se2O 中则仅剩少数离散节点。后两者材料的这种费米面几何结构能够显著减少自旋通道的重叠，因此可以有效抑制反平行态下的隧穿电流，从而大幅提升器件的磁阻效应。 图 1：不同电极费米面形状对交错磁隧穿结输运性质的影响 图 2：（a）交错磁隧穿结（AMTJ）在平行（P）与反平行（AP）构型下的磁矩排列示意图；（b-d）分别为基于 V2Te2O、RbV2Te2O 和 KV2Se2O 电极构建的 AMTJ 器件在费米能级处的自旋极化 k 分辨透射系数分布 在三种候选材料中，KV2Se2O 表现出最理想的费米面自旋分离特征。费米能级附近的不同自旋输运通道几乎互不重叠，为实现高磁阻提供了关键条件。基于这一性质，研究团队以 KV2Se2O 为电极构建 AMTJ 器件，并系统评估其输运性能。模拟结果显示，即使在简单的真空势垒结构下，器件的 TMR 已达到约 4.3 × 103 %。当进一步引入与电极晶格和对称性匹配的绝缘势垒后，TMR 可提升至 1.1 × 106 %，显著超越了传统铁磁 MTJ 以及其他代表性器件的性能（图3）。 图 3：（a）基于 KV2Se2O 电极的 AMTJ 器件性能与其他代表性 MTJ 的对比（b）上述不同器件对应的结构设计与研究方法（c）典型 MTJ 器件结构示意图 总结 本工作从费米面几何结构出发，系统阐明了交错磁平带在抑制动量空间自旋通道交叠、提升隧穿磁阻方面的核心作用。其中，以 KV2Se2O 为电极的交错磁隧穿结在对称匹配的绝缘势垒辅助下，可以实现高达 1.1 × 106 %的理论 TMR，显著突破现有 MTJ 体系的性能上限。本研究不仅确立了交错磁平带驱动的费米面工程设计范式，也为新一代高密度、低功耗自旋存储与自旋逻辑器件的发展提供了重要的材料与结构指导。 参考文献 X. Yang, S. Fang, Z. Yang, P. Ho, J. Lu, and Y. S. Ang, Altermagnetic Flatband-Driven Fermi Surface Geometry for Giant Tunneling Magnetoresistance, Adv. Funct. Mater., e31921 (2026). http://doi.org/10.1002/adfm.202531921

研究背景 磁隧穿结（MTJ）是自旋电子学中的基本组成部分，通过巨磁电阻效应实现非易失性存储功能。减小 MTJ 厚度是提升存储密度、高速操作和自旋轨道耦合效率的关键。最近，新型磁体–交错磁（AM）材料因具有在实空间和动量空间中的交替自旋极化受到了广泛关注，它们表现出巨大的自旋劈裂而不具备净磁矩，成为超紧凑型 MTJ 集成的理想平台。在传统 MTJ 中，隧穿磁阻（TMR）通常会随着势垒厚度的增加而增大，这是因为反平行态下电子的隧穿衰减速度比平行态更快。本工作揭示了一种在交错磁隧穿结（AMTJ）中 TMR 随着势垒厚度增加而减小的反常规律，这是由于交错磁的能带中自旋简并部分形成了一条在反平行态下无法被抑制的隧穿通道，该现象进一步在二维 V2Te2O/Cr2Se2O/V2Te2O 和 V2Te2O/ZnSe/V2Te2O AMTJ 中得以验证。 研究内容 本文首先对 AMTJ 的 TMR 随着厚度变化的物理机理进行理论分析并提出双势垒模型，将自旋劈裂的费米面分为外部区域 A 和中心区域 B。在 AP 配置中，左右电极的 Néel 矢量是反平行的，区域 A 的自旋匹配问题使得该区域的电子透射可以有效抑制，被称为有效区域。而区域 B 的传输通道在 AP 配置下仍然保持开启，因为自旋分裂的两个费米面重叠，形成了一个自旋简并的传输通道，在 P 和 AP 状态下都保持开放，也被称为无效区域。根据隧穿理论，TMR 随着中间层厚度的变化可以用以下公式表达： 其中 kA 和 kB 分别为区域 A 和区域 B 的衰减系数。本文探讨了两种情景下的 TMR 行为：当 kA 小于 kB 时，TMR 随势垒厚度增加而增加，符合传统的缩放规律；而当 kA 大于 kB 时，表现为反常的缩放现象。 图1.（a）传统 MTJ 和（b）AMTJ 中的隧穿机制；（c）平行态配置中，区域 A 和 B 的电子态都参与隧穿；（d）反平行配置中，区域 A 的电子态传输被抑制，但区域 B 的电子态仍有传输。 随后采用密度泛函理论结合非平衡格林函数方法，研究具有不同势垒厚度的 V2Te2O/Cr2Se2O/V2Te2O 和 V2Te2O/ZnSe/V2Te2O AMTJ 器件以验证这一反常规律。首先，通过计算能带结构，V2Te2O 和 Cr2Se2O 分别为二维交错磁金属和交错磁半导体，且均具有 d 波各向异性。 图2. V2Te2O 和 Cr2Se2O 的原子结构、能带以及费米面处能带劈裂 Cr2Se2O 的面外衰减系数 k 通过计算复能带得到。在倒空间中，可以观察到其也具有交错性质的衰减，在 Γ 点附近，自旋向上与自旋向下的电子具有几乎相同的衰减率。然而，具有不同自旋电子的衰减在 Γ-X 和 Γ-Y 方向上发生反转，且该区域的衰减较 Γ 点附近更大。 图3. 费米面附近 Cr2Se2O 的面外衰减系数 该 AMTJ 器件采用 2D 交错磁金属 V2Te2O 作为电极，2D 交错磁半导体 Cr2Se2O 作为绝缘层，其具有三种操作状态：平行态（P），电极和绝缘层的 Néel 矢量方向相同；中间态（I），绝缘层与电极的 Néel 矢量相反；反平行态（AP），两电极的 Néel 矢量方向相反。通过分析透射谱，可以发现，与 P 态相比，I 态在 Γ-X 和 Γ-Y 方向的透射明显减弱；而在 AP 态下，Γ-X 和 Γ-Y 方向的透射进一步被抑制。尽管如此，在 AP 态下，Γ 点附近的电子隧穿仍然存在，这表明该态下存在一定的传输通道。 图4. AMTJ 器件图以及不同操作状态下的的透射谱 通过改变中间绝缘层 Cr2Se2O 的层数发现，随着层数增大，TMR 呈现减小趋势。P 态的 TMR 从 220% 减至 40%，I 态从 137% 降到39%，与之前的理论分析一致。通过透射谱可以看出，Γ-X 和 Γ-Y 方向的透射随着层数增大有很明显的衰减，而 Γ 附近的透射仍就保持。 图5. TMR 和透射谱随着 Cr2Se2O 层数的变化情况 本研究还探讨了使用非磁性绝缘层材料 ZnSe 以及交错磁 V2Te2O 电极的隧穿结结构，以解决由相邻交错磁性层之间的强交换相互作用可能引起的磁不稳定性问题。ZnSe 是一种具有 2.26 eV 直接带隙的半导体。随着势垒厚度的增加，在 V2Te2O/ZnSe/V2Te2O AMTJ 中，TMR 从 206% 降至 0.9%，呈现出与全交错磁性结构类似的趋势。这一现象源于交错磁性材料中自旋简并和非简并 Bloch 态的共存，它们通过势垒的衰减速率不同。当自旋简并态衰减较慢时，便出现了反常的衰减行为，无论绝缘层是否为交错磁材料。 图6.（a）ZnSe 以及（b）V2Te2O/ZnSe/V2Te2O AMTJ 器件原子结构示意图，（c）ZnSe 的能带结构（d）TMR 随 ZnSe 层数的变化 总结 本研究揭示了交错磁性隧穿结中 TMR 随着势垒厚度增加而下降的反常缩放行为。其背后的机制在于自旋简并态引发的持久传输通道，该通道在 P 与 AP 配置切换时几乎不受影响。为了解释这一现象，构建简化的双势垒模型区分有效和无效的自旋选择性传输。有效部分源自自旋劈裂态，随着势垒厚度增加迅速衰减，而无效部分则衰减较弱，并在较大厚度时主导总体传输。TMR 是否表现出反常的缩放行为，主要取决于有效区域和无效区域之间的衰减差异。通过在全交错磁 V2Te2O/Cr2Se2O/V2Te2O AMTJ 和非磁性 ZnSe 绝缘层的 AMTJ 上进行第一性原理量子输运模拟，验证了这一反常行为。研究结果不仅深入揭示了交错磁性材料的基本输运行为，还强调了影响基于交错磁性的磁性隧道结性能的关键设计因素。 参考文献 Z Yang, X Yang, J Wang, et al. Unconventional thickness scaling of coherent tunnel magnetoresistance in altermagnets [J]. Physical Review B, 2025, 112 (20): […]

研究背景 随着集成电路特征尺寸持续向纳米甚至原子级别缩小，传统铜互连材料在高密度三维集成和垂直互连结构中的导电性能正面临严峻挑战。器件微缩导致的尺寸效应、界面散射与量子输运问题，使得金属互连的电阻率急剧上升，严重限制了器件的速度与能效。因此，寻找具有低界面电阻、高导电性和稳定尺寸标度行为的新型材料体系已成为先进互连技术的重要研究方向。 近年来，拓扑半金属因其独特的能带结构和高载流子迁移率，成为下一代电子互连材料的潜在候选。拓扑半金属在费米能级附近存在线状或点状狄拉克态，其电子输运特性受拓扑保护，能够显著抑制界面散射，从而在纳米尺度下保持较低的电阻率。这一特性为突破传统金属互连的性能瓶颈提供了新的可能。 然而，在器件实际应用中，界面效应仍是决定互连电阻的关键因素。随着器件尺寸的不断缩小，界面电阻率不再是常数，而表现出明显的标度行为，即其值随通道长度、厚度或界面粗糙度等几何参数变化而改变。理解并量化拓扑半金属界面的电阻率标度规律，对于准确评估其在垂直互连结构中的导电性能至关重要。 研究内容 本研究聚焦于拓扑半金属界面电阻率的标度行为及其在垂直互连体系中的应用。通过理论分析与计算模拟，探讨不同拓扑半金属在界面处的电子输运特征及尺寸依赖规律，旨在揭示拓扑保护态在降低界面散射、保持电阻稳定性方面的作用机制。这一研究不仅为理解拓扑材料的界面输运提供了新的物理图景，也为设计高性能、低功耗的三维互连结构提供了理论基础。 图 1. 所考虑各种界面结构的示意图（a）单界面结构（b）双界面结构，（c）和（d）是与（a）和（b）相同的界面结构，但在 y 方向上添加了真空以模拟薄膜。 对于单界面和双界面模型两种结构，考虑电子在体和薄膜中的传输，并通过在垂直于传输方向上添加真空来模拟。 图 2. 结构示意图（a）Cu(100)/Ta(100)（b）CoSi(100)/Ta(100)，动量分辨电子透射谱（c）Cu(100)/Ta(100)（d）CoSi(100)/Ta(100) k 分辨透射谱显示 Cu/Ta 界面的透射谱透射率可达 T= 7 的区域，而靠近 Γ 点处透射率较低。CoSi/Ta 界面的透射谱在 BZ 边界有 4 个小的 T= 2 的区域，而其他地方的透射谱为零。CoSi/Ta 界面结构的低透射率是由于 BZ 中 CoSi 的体电子态密度（DOS）极低，集中在区角的 Weyl 节点附近。与 Cu 相比，CoSi/Ta 界面上的低电子透射率转化为高比电阻率。 图 3.（a）Cu/Ta 和（b）CoSi/Ta 的局域电子态密度（LDOS），（c）Cu/Ta 和（d）CoSi/Ta 在不同薄膜厚度下的动量分辨电子透射谱 从计算的域态密度（LDOS）可以发现，对于 Cu/Ta 界面是均匀的 LDOS，在薄膜表面附近没有明显变化。然而，在 CoSi/Ta 界面，Ta 区域的 LDOS 分布均匀，但在 CoSi 表面处 LDOS 强烈局域化，CoSi 内部区域的 LDOS 几乎为零。这是由于存在的 Weyl 节点和由此产生的拓扑保护表面态从布里渊带的中心延伸到角落，在 CoSi 薄膜中产生相对较少的靠近费米能级的体态和大量的导电表面态所导致的。 从计算的动量分辨电子透射谱可以发现，对于 Cu/Ta，使薄膜更厚（从 […]

研究背景 在近年来二维材料研究的迅猛发展中，二维磁性半导体因其在自旋电子学和光电子学领域的潜在应用而受到广泛关注。CrSBr 作为一种新兴的二维铁磁材料，兼具层状结构、稳定的磁序和各向异性的电子性质，为实现多功能集成器件提供了理想平台。特别是在无外加电压条件下实现的自驱动光电流效应，能够显著降低器件功耗，是发展新一代低功耗光电器件的重要方向。同时，纯自旋光电流的产生可避免能量损耗与散射限制，有望在自旋输运、信息存储与量子计算等前沿领域发挥关键作用。 然而，在传统二维材料中实现纯自旋光电流面临诸多挑战，如缺乏稳定磁序、对称性抑制光生自旋分离等问题。研究发现，通过施加应变或引入弯曲形变，可以有效打破材料的空间反演对称性，从而诱导内部电场并激发新型光电效应。因此，探索在二维磁性材料中通过弯曲构型实现自驱动且自旋极化的光电响应，具有重要的理论价值与应用前景。该工作正是在这一背景下开展，旨在揭示弯曲 CrSBr 单层中自驱动纯自旋光电流的物理机制，并推动二维材料在低维自旋光电子器件中的应用探索。 研究内容 本研究基于第一性原理计算与非平衡格林函数方法，系统探索了在机械弯曲条件下，CrSBr 单层中产生自驱动纯自旋光电流的物理机制。研究发现，非弯曲 CrSBr 单层的实空间电荷密度分布图中，S 原子和 Br 原子都参与了 VBM，CBM 由 Cr 原子组成。然而，弯曲后单层 CrSBr 的电荷密度分布却发生了令人兴奋的变化。屈曲后，VBM 占据结构左侧，CBM 占据另一侧。随着弯曲深度的增加，电子-空穴分离更加明显。 图1. 单层 CrSBr 的（a）俯视图与侧视图（b）能带结构及轨道投影态密度（c）CBM 与 VBM 的实空间分布（d）挠曲深度 d=11 Å 时的 CBM 与 VBM 实空间分布（e）d=11 Å 上下表面应力分布示意图 弯曲 CrSBr 左右两端的 α 自旋（β 自旋）能带边位置呈交错的 II 型能带排列，即弯曲导致结构左右两端的导带和价带发生漂移。这意味着弯曲结构具有更多的光生载流子，激子寿命得以延长。这一特性对于光电子器件至关重要。 图2. 挠曲深度 d=11 Å 时单层 CrSBr 中 α 和 β 自旋沿 z 轴方向的投影能带结构 内部和外部应变梯度导致器件结构的不对称增强，价带和导带附近的子带增多，以及结合态密度增加，从而获得光伏效应。 图3. （a）基于单层 CrSBr 的偏振器件示意图（b）无外加电压时 CrSBr 挠曲器件的光电流密度（c）挠曲光伏效应引发自供电行为的机理图（d）α 和 β 自旋在布里渊区高对称点处最高价带与最低导带之间的跃迁矩阵元（e-f）d=11 Å 时挠曲结构的 α 和 β 自旋的能带结构及态密度 基于柔性光伏效应，挠曲 CrSBr 消光比大大高于其他材料，且 CrSBr 弯曲光电器件在低光子能量范围内具有良好的单自旋滤波效果。 图4. （a）α 与 β 自旋的消光比（b）偏振角 0° 与 90° 时光电流密度的自旋极化率 总结 本研究基于第一性原理计算与非平衡格林函数方法，系统探索了在机械弯曲条件下，CrSBr 单层中产生自驱动纯自旋光电流的物理机制。研究发现，弯曲形变打破了材料的空间反演对称性，在体系内部诱导出有效电场，驱动光生载流子分离，从而实现无需外加偏压的光电流响应。进一步分析表明，该光电流具有明显的自旋极化特征，表现为纯自旋光电流的产生。此外，研究还揭示了该效应依赖于入射光的极化方向，展示出高度的偏振选择性。该工作不仅提出了一种结合机械调控与光自旋效应的新机制，也为设计低功耗、高灵敏度的二维自旋光电子器件提供了理论依据。 参考文献 Chen H, Chen L, Chen L, et al. Self-Powered Pure Spin Photocurrent in Bent CrSBr Monolayer[J]. Physical Review Letters, 2025, 134(24): 247001. https://doi.org/10.1103/s8qn-n8tr

研究背景 反铁磁材料（AFM）因具有超快自旋翻转速度（太赫兹级）、无净磁矩、高抗干扰性和优异的稳定性，被视为下一代磁阻随机存储器（MRAM）的核心候选材料。然而，反铁磁隧道结（AFMTJs）中的隧道磁阻（TMR）通常较低，其根本原因在于两个自旋通道的对称性导致隧穿电流极化不足，限制了 AFMTJs 的广泛应用。本研究通过创新理论模型：自旋通道选择规则，提出通过结构工程调控界面倾斜角（Interface Tilt Angle, ITA）来控制不同自旋通道的隧穿距离，打破对称性；并通过调制倾斜界面使得自旋向上（↑）和向下（↓）电子的隧穿势垒差异，形成高度极化的电流，从而显著提升隧道磁阻。利用 FeTe 作为代表材料，发现隧穿界面的倾斜会使得 AFMTJs 产生明显的自旋极化，并诱导出较大的 TMR。证明 Néel 型 AFMTJs 的隧穿磁阻（TMR）会随着隧穿界面的倾斜角增大而增大。该工作揭示了二维 Néel 型 AFMTJs 中界面与 TMR 的关系，并为实现反铁磁体信息的有效写入和阅读开辟了一条新的途径。 研究内容 研究采用密度泛函理论结合非平衡格林函数方法，预测在共线完全补偿的反铁磁体中会出现极化电流。从自旋电子的散射模型和势垒贯穿模型出发，构建了如图 1 所示的 AFMTJs 模型。 图1. 插图展示了电子在不同界面配置下的隧穿过程。(a)-(c) 是 AFMTJ 隧穿界面中自旋电子在 P 态下的隧穿示意图，分别以矩形、梯形和平行四边形表示；(d)-(f) 是 AFMTJ 隧穿界面中自旋电子在 AP 态下的隧穿示意图，同样以矩形、梯形和平行四边形表示。 为了进一步探索界面构型差异对电子透射现象的成因，设计了平行四边形和梯形两种界面，并调整其界面倾斜。以 tanα  为自变量，输运性质为应变量，从中寻找依赖关系。隧穿界面从梯形逐渐转换到平行四边形的过程中，α 逐渐从负值转变为正数，tanα 单调递增，tanα 的绝对值先减后增。tanα 的变化趋势与 TP/TAP 的变化趋势相反，而 TMR 的变化趋势则是与 tanα 趋势相同。 图2. 两种隧道界面的逐渐转变，伴随传输性质的变化。(a) 倾角 α 的定义：当其为梯形时，α < 0；当其为平行四边形时，α > 0。此外，在从梯形到平行四边形的转变过程中，α 逐渐增加。(b) SFE 随 α 的变化。这里，SFE 的相对大小代表极化的强度。(c) P 态和 AP 态总透射强度相对于 α 的相对大小。(d) TMR 随 α 的变化。(e) 计算结果与其它磁隧道结在 TMR 方面的结果对比。 最后，示意性地展示该模型在实验中的可能实用性。二维 FeTe 可以通过气相沉积技术合成。随后，使用刻蚀技术制造所需的隧道界面配置。最终，不同形状的 FeTe 被转移到基底上，以制备 AFMTJs。所有提出的这些技术已在其实验应用中得到了广泛且良好的使用。 图3. 展示了利用二维刻蚀技术对二维 FeTe 进行定向刻蚀的过程。(a) 使用蒸镀等技术在合适的基底上合成未刻蚀的二维 FeTe。(b) 引入刻蚀溶液以对 FeTe 进行二维刻蚀。(c) 进行定向刻蚀以实现所需的界面结构。(d) 开发自旋电子器件。 总结 设计出不同界面的反铁磁隧道结并提出可以通过调节隧穿界面的倾斜角来实现调控隧道磁阻（TMR）。基于第一性原理的量子输运计算证明：（1）电子隧穿界面的构型决定了磁轴平行和反平行时的透射系数的相对大小：即梯形界面时，TP > TAP；平行四边形时，TP < TAP。（2）界面的倾斜角与极化强度和 TMR 有明显的依关系，即倾斜角越大 TMR 越大。该研究提出了一种前所未有的 TMR 调节机制，为 AFM 材料在 MRAM 领域的应用提供了新的途径。 参考文献 Liu, X.; Yu, G.; He, K.Q. ; Xiao, Y.; Zhu, S.C.; Shen, L.; Origin and enhancement of magnetoresistance in antiferromagnetic tunnel junctions: spin channel selection rules. Materials […]