背景简介 挠曲电效应描述的是在应变梯度作用下产生电极化或在极化梯度作用下产生机械变形应力的现象。挠曲电效应普遍存在于所有介电材料中，且随着材料尺寸的降低挠曲电效应越明显。挠曲能给二维材料带来意想不到的新性质以及调控器件性能，在可穿戴电子设备、裂纹监测、结构健康监测等领域具有极高的应用价值。施加非均匀应力使材料弯曲，材料顶底面会产生方向相反的应变场。对于具有面外极化的二维铁电材料，由于顶底两个表面的电荷分布情况不同，其电子态密度也会存在差异。因此，对于二维铁电材料，铁电自发极化和挠曲电极化耦合下可能会出现更加有趣的性质。然而，应变梯度导致的挠曲电场与铁电极化场耦合机制尚不明朗。挠曲电效应调控器件性能的详细物理机理也不清楚。这严重阻碍了柔性器件的蓬勃发展。 研究内容 此项研究通过第一性原理计算和非平衡格林函数研究了弯曲 α-In2Se3 单层的电子结构和输运性质。发现在 P↑ 和 P↓ 弯曲的 α-In2Se3 中可以获得两种不同的 II 型能带结构，它们呈现出相反的能带弯曲。P↑ 和 P↓ 弯曲的 α-In2Se3 中心的载流子主要分别是空穴和电子，它们主导着 α-In2Se3 p-i-n (PIN) 场效应晶体管的电流行为。该研究通过弯曲 α-In2Se3 实现了同质异质结的构筑，从而简化了器件的加工过程，并可用作机电传感器。 图1。VBM为洋红色，CBM为青色。α-In2Se3在实空间中的CBM和VBM分布：(a) P↑，(b) P↓，(c) P↑弯曲，(d) P↓弯曲。(e) 与(f) 分别为P↑和P↓的α-In2Se3在挠曲程度ε = 0.13对应的空间分段密度态；其中青色实线与洋红色实线分别标示了CBM与VBM的位置。(g) 与(h) 展示了P↑和P↓ α-In2Se3分别在未挠曲以及挠曲程度ε = 0.13时对应的空间分段CBM与VBM位置。 图2。(a) 器件示意图，其中LE为左电极，RE为右电极；(b) P↑和(c) P↓在挠曲程度ε = 0、ε = 0.09 和 ε = 0.13 时的I-V特性曲线；(d) 器件中涉及的电子结构和传输态的示意图；(e) 和(f) 分别为P↑和P↓ α-In₂Se₃在不同弯曲程度下的整流比。 图3。源漏电压Vds分别为−0.6 V、0 V和0.6 V时，不弯曲、P↑弯曲和P↓弯曲的PIN – FET的局域投影态密度(PLDOS)。红色箭头表示隧穿距离。 总结 该工作通过第一性原理计算，发现挠曲电效应能够诱导材料产生新奇的物理性质以及进一步提升器件性能，并解释了挠曲电效应作用的物理机理。单层α-In2Se3挠曲导致了材料在实空间中CBM和VBM的分离，构成了Ⅱ型能带对齐的同质异质结，即通过简单的机械弯曲实现了电子-空穴对的空间分离。挠曲电场和面外偶极子耦合导致能带发生弯曲，挠曲器件相比不挠曲器件，正向电流增大，在偏压为0.8 V时，挠曲器件的电流被放大了27倍。挠曲对器件表现出“应变栅”调控行为。挠曲后的器件整流比大幅提高，相比不挠曲的器件增加了两个数量级，高达107。研究表明，挠曲电效应有助于提升器件性能。该工作为器件性能改善和柔性器件的设计提供了创新性的策略，揭示了多物理场耦合机制，有助于挠曲电相关技术的发展。 […]

背景简介 扭转双层石墨烯（tBLG）在“魔角”附近出现非常规超导、强关联绝缘态、量子反常霍尔效应等物理现象成为当下研究热点。双层石墨烯层间小角度扭转时，能带发生杂化，形成了具有超高态密度的莫尔平坦带。同时，扭转破坏了原有双层石墨烯的中心对称性，出现了只能在具有反演对称性破缺的材料中发生的偶数阶非线性光学效应，例如二次谐波产生效应（SHG）。美国加州大学伯克利分校 Yang Fuyi 课题组用两种不同波长的激光测量了不同扭转角 tBLG 的二次谐波极化率（SHG），发现当转角 q=6° 时，其 SHG 的非线性光学极化率可以达到 2.8×105 pm2/V，其数值已经可以和单层 MoS2 等具有很强非线性光学的材料相比拟。 研究内容 近日，冯小波教授课题组研究了扭转角度和外加电场对 tBLG 二次谐波产生效应的调控研究。基于四带连续模型以及独立粒子近似，建立了扭转双层石墨烯中 SHG 的微观理论，模拟了不同入射光子能量下的SHG光谱，并用 QuantumATK 软件中的二阶非线性光学极化率计算模块进行了验证。在此基础上，将研究拓展到电场调制 tBLG 中 SHG 效应，发现施加外部电场可以使 SHG 极化率至少提高一个数量级。通过扭转角和外部电场的共同作用，实现了 SHG 效应从近红外到可见光波段的有效调控。 图1。（a）tBLG 摩尔超晶格示意图（b）tBLG 布里渊区 图2。tBLG 中 (a) 单光子（EVHs=ħω）共振、(b) 双光子（EVHs=2ħω）共振以及 (c) 非共振情况下的二次谐波产生（SHG）示意图。黑色实线代表实能态，虚线代表虚能态 。 图3。扭转角 θ = 9.43°tBLG 的 SHG 光谱，分别根据 (a) 独立粒子近似和 (b) QuantumATK软件中的 DFT 方法计算得出 。 图4。在不同外加电场下具有不同扭转角 tBLG 的 […]

背景简介 随着电子设备对功耗和性能的要求日益提高，传统的场效应晶体管（FETs）在不断缩小尺寸和提高工作频率的过程中，面临着显著的功耗增加和亚阈值摆幅（SS）限制问题。为了实现更低功耗、更高性能的器件，研究者们开始探索新型材料和结构的设计。二维材料，特别是过渡金属硫化物（TMDs）如MoS2，因其独特的电子性能和可调节的带隙，成为了下一代FET通道材料的重要候选。 然而，尽管二维材料在FET中展现出潜力，它们仍然受到热效应的限制，导致传统FETs在亚阈值区的开关特性不理想，SS无法突破60 mV/decade的热限制。为了解决这一问题，研究者提出了包括隧道FETs（T-FETs）、负电容FETs（NC-FETs）和冷源FETs（CS-FETs）在内的多种新型器件，这些器件通过不同的机制改善了开关特性，从而降低功耗。 本研究通过第一性原理计算，详细探讨了功能化MoS2纳米带在本征冷源场效应晶体管（CS-FETs）中的应用。通过修饰MoS2纳米带表面官能团，研究了不同修饰对FET性能的影响，并发现随着纳米带宽度的增加，SS能够突破热限制，表现出极小的值。该研究为在低功耗、高效能FET设计中应用二维纳米带材料提供了有力的理论支持，推动了下一代电子器件的发展。 研究内容 本研究通过第一性原理计算，探讨了功能化MoS2纳米带在本征冷源场效应晶体管（CS-FETs）中的应用，重点在于设计具有陡峭斜率开关特性的场效应晶体管，以降低功耗并提高性能。研究表明，通过模拟不同官能团修饰MoS2扶手椅型纳米带(MoS2NR)的电子特性，分析了这些修饰如何影响FET的性能，特别是对SS的改善。研究结果表明，-F和-O-H修饰的MoS2纳米带FET性能比-H要优异，对于沟道长度为5nm的12-MoS2NR-F，其亚阈值摆幅为28 mV/decade，开/关比高达4×10 5。此外，还研究了带宽、沟道长度、偏置电压、边缘粗糙度和缺陷对MoS2NR−F场效应管性能的影响。本研究的成果为二维材料在低功耗、高效能的场效应晶体管设计中提供了宝贵的理论支持，对未来电子器件的发展具有重要意义。 该工作以“Functionalized MoS2 nanoribbons for intrinsic cold-source transistors: A computational study” 发表在ACS Applied Nano Materials。 图1. (a)−H端接、(b)−F端接Na=12的扶手椅型MoS2NR（12-MoS2NR−H）的俯视图和侧视图。(d)、(e)、(f)为对应的能带结构和DOS。 图2. (a)双栅12-MoS2NRs场效应管原理图。(b) 0.05 V偏置电压下12-MoS2NRs的转移特性。(c) SS和(d)开/关比（I ON/ I OFF）。 图3. (a) VG = 0.95 V和(b) VG = 1.0 V时12-MoS2NR−H场效应管的PLDOS和光电流。 图4. (a)不同带宽和(d)沟道长度的MoS2NR−F场效应管的转移特性。（b, e）和（c, f）分别为SS和I ON /I OFF的结果。 总结  该文献主要探讨了功能化MoS2纳米带在冷源场效应晶体管（CS-FETs）中的应用，通过第一性原理计算研究了不同修饰官能团对MoS2纳米带电子特性的影响。研究的核心目标是设计具有陡峭斜率开关特性的场效应晶体管（FETs），以降低功耗，并重点关注亚阈值摆幅（SS）这一关键参数。通过对MoS2纳米带进行表面官能团修饰，研究揭示了修饰对纳米带电子特性的影响，并发现合适的修饰能够显著改善FET性能，特别是在SS方面能够突破热限制，表现出极小的值。此外，研究还探讨了纳米带宽度、通道长度、漏源偏压、表面粗糙度以及缺陷等因素对FET性能的影响。结果表明，随着纳米带宽度的增加，SS能够突破热限制，表现出优异的低功耗开关特性。 参考 Functionalized MoS2 nanoribbons for intrinsic cold-source […]