文献重现:锌酞菁的基态与激发态计算(第二部分)

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参考文献:Ground and Excited States of Zinc Phthalocyanine Studied by Density Functional Methods, G. Ricciardi and A. Rosa, E. J. Baerends, J. Phys. Chem. A 2001, 105, 5242-5254   锌酞菁本身具有荧光性,本文计算了锌酞菁的基态和激发态性质。基于前一篇文章的内容,我们此处主要介绍激发态计算、激发态结构优化、激发态频率计算、Franck-Condon因子计算等。 1, 采用优化好的锌酞菁分子结构进行计算: ADFinput支持比较灵活的分子拷贝、粘贴操作,例如: 将前一次计算的结构,从*.run文件

ADF Webinar(费米科技免费在线培训 第1期):锌酞菁的基态、激发态、荧光性质计算

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主持人: 刘俊 ADF技术支持 日    期:2014年10月9日(周四)   14:00-16:00 人    数: 25人   本次在线讲座,重现文献中锌酞菁的基态、激发态、荧光性质计算,并将其与其他实验报道结果进行比对、分析。适合实验工作者、初学者,以及部分量子化学计算的高级用户。参考文献:J. Phys. Chem. A 2001, 105, 5242-5254;光谱学与光谱分析,Vo1.28,No.2,pp403—40 高清视频下载链接 教程使用输入输出文件下载链接

文献重现:锌酞菁的基态与激发态计算(第一部分)

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参考文献:Ground and Excited States of Zinc Phthalocyanine Studied by Density Functional Methods, G. Ricciardi and A. Rosa, E. J. Baerends, J. Phys. Chem. A 2001, 105, 5242-5254 锌酞菁本身具有荧光性,本文计算了锌酞菁的基态和激发态性质。 1, 在ADFinput中画好这个分子的大致模型后,使用ADFinput的自动对称化工具(窗口下方的五角星),将该分子自动往最靠近的高点群调整,如果没有达到要求的D4h群,则稍微调整原子的位置,反复几次,就可以达到最高的D4h群。 2, 按照文章的流程,我们首先进行几何优化,参数如图中所示:

费米科技参加中国物理学会2014年秋季会议

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中国物理学会2014年秋季会议 于2014年9月11-14日在哈尔滨工业大学隆重召开。本次大会由中国物理学会主办,哈尔滨工业大学承办。国内外从事物理学研究领域的科研人员约2200人参加了本次盛会。 会议围绕粒子物理、场论与宇宙学,核物理与加速器物理等17个专题,为物理学及相关领域为科研工作者提供一个高水平的交流平台。

人为干预电荷分布

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对于某些特殊问题,我们希望人为地干预电荷分布,例如水分子解离为H+和OH–。使用DFT方法,自然地拉开H与OH的距离,我们期待解离的H原子上面没有电子,但随着拉伸的距离增大,H原子上,始终会出现电子。对于大的离子体系也是如此,有时候我们希望正负离子带有我们指定的电荷。常规的DFT计算,一般而言并不能达到这样的结果。 这种情况下,我们可以使用ADF中的FDE方法来实现。此处我们用H-OH来作为示范的例子,其他大的分子体系,计算流程是一样的。

 
  • 弯曲 CrSBr 单层中的自驱动纯自旋光电流研究背景 在近年来二维材料研究的迅猛发展中,二维磁性半导体因其在自旋电子学和光电子学领域的潜在应用而受到广泛关注。CrSBr 作为一种新兴的二维铁磁材料,兼具层状结构、稳定的磁序和各向异性的电子性质,为实现多功能集成器件提供了理想平台。特别是在无外加电压条件下实现的自驱动光电流效应,能够显著降低器件功耗,是发展新一代低功耗光电器件的重要方向。同时,纯自旋光电流的产生可避免能量损耗与散射限制,有望在自旋输运、信息存储与量子计算等前沿领域发挥关键作用。 然而,在传统二维材料中实现纯自旋光电流面临诸多挑战,如缺乏稳定磁序、对称性抑制光生自旋分离等问题。研究发现,通过施加应变或引入弯曲形变,可以有效打破材料的空间反演对称性,从而诱导内部电场并激发新型光电效应。因此,探索在二维磁性材料中通过弯曲构型实现自驱动且自旋极化的光电响应,具有重要的理论价值与应用前景。该工作正是在这一背景下开展,旨在揭示弯曲 CrSBr 单层中自驱动纯自旋光电流的物理机制,并推动二维材料在低维自旋光电子器件中的应用探索。 研究内容 本研究基于第一性原理计算与非平衡格林函数方法,系统探索了在机械弯曲条件下,CrSBr 单层中产生自驱动纯自旋光电流的物理机制。研究发现,非弯曲 CrSBr 单层的实空间电荷密度分布图中,S 原子和 Br 原子都参与了 VBM,CBM 由 Cr 原子组成。然而,弯曲后单层 CrSBr 的电荷密度分布却发生了令人兴奋的变化。屈曲后,VBM 占据结构左侧,CBM 占据另一侧。随着弯曲深度的增加,电子-空穴分离更加明显。 图1. 单层 CrSBr 的(a)俯视图与侧视图(b)能带结构及轨道投影态密度(c)CBM 与 VBM 的实空间分布(d)挠曲深度 d=11 [...]
  • 炔烃插入-双金(I)络合物引发金催化机制新思考背景 过去二十年,金(I)络合物因其优异的 π 活化能力,在均相催化领域大放异彩。特别是在炔烃的活化转化方面,阳离子型金(I)络合物已被广泛应用。然而,中性、配位饱和的金(I)络合物通常被认为催化能力弱、难以实现插入反应等过渡金属常规反应步骤。尽管已有零星研究报道了金(I)–X 键(X 为氢或杂原子)与炔烃发生插入反应,但几乎全部集中在单金属体系,且普遍需要高温或过量底物。近日,西班牙塞维利亚大学 Pablo Ríos 教授团队联合马德里康普顿斯大学 Israel [...]
  • QuantumATK X-2025.06新版发布DFT-LCAO性能增强 使用 GGA、MetaGGA、Hubbard U 选项的 DFT 自洽场计算和结构优化速度提升2倍 ProjectedDensityOfStates、FatBandstructure 和 MagneticAnisotropyEnergy [...]
  • 打破禁区,首例s区-镧系金属成键配合物问世研究背景 镧系金属由于其 4f 轨道高度屏蔽、径向扩展性弱,难以与其他原子轨道有效重叠,长期被视为不参与共价成键的“惰性”金属。在多数配合物中,镧系元素仅通过静电作用与配体中的 O 或 N 等硬碱相互作用,呈现典型的离子型键合行为。 相比之下,镧系–金属之间的直接金属–金属键(Ln–M)极为罕见,已知例子多限于 Ln–p [...]
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