FIG. 1. (Color online) Structures of the geometry optimized 1-nm NWs. (a)–(c) show the unterminated [100], [110], and [111] NWs, (d)–(f) show the respective O-terminated NWs. Cu is orange and O is red.

QuantumATK在半导体和微电子工业研究中的应用

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QuantumATK 在全世界范围里有几百家单位构成的活跃用户群体,其中包括绝大部分全球知名的半导体和微电子公司。下面是部分企业用户发表的文章: 参考 更多半导体领域的应用方案和实例见:http://www.fermitech.com.cn/vnl-atk/semiconductor/ 立即试用 QuantumATK! 下载QuantumATK软件安装包 申请QuantumATK的全功能试用许可 获取永久免费学术版的VNL图形界面

VNL-ATK材料模拟平台培训课程(2016年长沙站)成功召开

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2016年11月12-13日费米科技主办的“VNL-ATK材料模拟平台培训课程(2016年长沙站)”在湖南师范大学成功召开。费米科技的董栋博士为来自华中地区的近80位用户介绍了VNL-ATK软件2016版的最新实例以及2017版众多令人瞩目的新功能。在随后的上机培训中,董栋博士为大家介绍 VNL-ATK 基本功能和各领域应用的实例,并与老师和同学就各自的研究中的问题进行了深入的交流。 费米科技感谢华中地区用户的大力支持以及湖南师范大学物理与信息科学学院各位老师和同学为组织本次培训付出了大量的努力。 欢迎大家关注费米科技微信公众号(FermiTech)了解我们后续培训信息和参加将与2016年11月27日举办的 VNL-ATK材料模拟平台培训课程(2016年成都站)。

VNL-ATK材料模拟平台培训课程(2016年成都站)邀请通知

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费米科技将于2016年11月27日(周日)在四川大学举办“VNL-ATK材料模拟平台培训课程(2016年成都站)”。真诚的欢迎各位老师、同学莅临指导!费米科技的工程师将现场为您演示VNL-ATK软件,并与您深入地交流、探讨软件的最新应用及技术前景,同时解答您的疑问。 时间:11月27日 9:00~12:00 & 14:00~17:00。 地点: 四川大学望江校区西五教319 具体地址:成都市武侯区一环路南一段24号四川大学 培训费用:免费(食宿交通等费用自理) 联系人:石小杰 (13811530064;shi.xiaojie@fermitech.com.cn) 主讲人:董栋博士 培训内容: 上午: VNL-ATK概述、新功能和开发展望 专题1:器件体系电子输运模拟 构建合理的器件模型 器件体系的结构优化 器件体系计算设置 器件性质分析手段 下午: 专题2:VNL-ATK在通用材料模拟中的应用 VNL-ATK中的第一原理方法介绍 使用VNL-ATK模拟块体材料性质 材料表面的模拟新进展 半无限表面(Surface)模型 材料界面的模拟 分子动力学方法 NEB过渡态搜索 专题3:半导体材料与器件的模拟 带隙问题与掺杂问题 静电势模型与FET器件模拟 局域投影态密度方法及其应用 肖特基势垒研究  现场安装VNL-ATK软件试用版本,请自带笔本电脑。 衷心感谢广大新老学员的关注和支持!我们会继续改进培训的教学质量,同时我们也非常欢迎您为我们提出宝贵的意见和建议,让我们共同进步,期待您的积极参与!

ADF计算化学软件高级培训班(2016年成都站) 邀请通知

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  ADF软件作为计算化学模拟平台以其专业性与易用性得到各大高校及科研院所老师和同学们的青睐。费米科技定于11月26日(周六)在四川大学举办“ADF计算化学软件高级培训班(2016年成都站)”本次培训结合国内外发表的论文,进行深入浅出的、全方位的讲解和同步上机操作,旨在让每个学员从零基础到对该软件全面、深刻地掌握,能够熟练地使用。 时间:11月26日 9:00~12:00 & 13:30~18:00。 地点: 四川大学望江校区西五教3楼319 具体地址:成都市武侯区一环路南一段24号四川大学 培训费用:免费(食宿交通等费用自理) 联系人:石小杰(13811530064;shi.xiaojie@fermitech.com.cn) 培训形式:讲授与练习同步进行(自带笔记本电脑,现场安装最新版试用软件) 主讲人: 刘俊 工程师 ADF软件中国区技术支持。毕业于北京大学化学与分子工程学院,从事计算化学理论以及密度泛函理论的程序化研究。从2010年起担任ADF软件中国技术支持,曾到荷兰ADF软件开发组学习。 培训内容: ADF参数物理意义,以及如何设置 ADF生成各种图像数据及其处理:  拉普拉斯电子密度  键径,原子、键、环、笼临界点  电子局域函数,成键类型 片段相互作用与键能分解 氢键的电子转移NOCV分析 转移积分与电子迁移率 过渡态搜索 荧光与磷光寿命、辐射跃迁速率 自旋轨道耦合的应用(SOCME) 开壳层的NMR计算 激发态几何结构优化 溶液中的Gibbs自由能、溶剂化自由能 表面吸附结构的健能分解、NOCV 周期性体系的图像数据及其处理:  拉普拉斯电子密度  键径,原子、键、环、笼临界点  电子局域函数,成键类型 反应力场:  系综  温度控制  基元反应与反应速率常数、反应网络 真诚的欢迎各位老师、同学莅临指导! 在线报名(报名后,会在半小时内收到确认邮件,如果没有收到请查看垃圾箱,或联系sales@fermitech.com.cn):

VNL-ATK材料模拟平台培训课程(2016年长沙站)邀请通知

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为了使各位老师和同学更好的了解 VNL-ATK 材料模拟平台的新功能,更好的开展相关领域的研究,费米科技将于2016年11月12日至11月13日举办“VNL-ATK材料模拟平台培训课程(2016年长沙站)”,活动现场提供 VNL-ATK 的试用版,欢迎各位老师和同学积极参加。 课程时间:2016年11月12—13日(共两天) 课程地点:湖南师范大学 量子楼410 具体地址:长沙市岳麓区桃子湖路15号 培训课程内容: 第一天上午(9:00-12:00) 报告:VNL-ATK平台概述、新功能和开发展望 专题1:器件体系电子输运模拟 构建合理的器件模型 器件体系的结构优化 器件体系计算设置 电子输运性质分析计算 第一天下午(14:00-17:00) 专题2:半导体材料与器件的模拟 带隙问题与掺杂问题 静电势模型与FET器件模拟 局域投影态密度方法及其应用 肖特基势垒研究 专题3:VNL-ATK在材料模拟中的应用 VNL-ATK中的第一原理方法介绍 使用VNL-ATK模拟块体材料性质 材料表面的模拟新进展 半无限表面(Surface)模型 材料界面的模拟 分子动力学方法 NEB过渡态搜索 第二天上午(9:00-12:00) 软件试用版安装和实例演示 实例1:材料结构优化和电子态计算 第二天下午(14:00-17:00) 实例2:器件体系建模、计算与分析 培训形式:讲座+自由上机练习(自带笔记本电脑,现场安装最新版试用软件)。 培训费用:免费(食宿交通等费用自理) 主讲人:董栋博士 联系人:石小杰 (13811530064;shi.xiaojie@fermitech.com.cn) 欢迎各位老师和同学的关注费米科技微信(FermiTech),及时获取费米科技举办的其他活动信息: VNL-ATK 材料模拟平台培训课程(2016年成都站) ADF 软件高级培训班(2016年成都站)

【QuantumATK亮点文章】用石墨烯包裹实现二维氮化镓(Nature Materials, 2016)

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Nature Materials 上最新发表了《用石墨烯包裹实现二维氮化镓(Two-dimensional gallium nitride realized via graphene encapsulation)》的文章(DOI:http://dx.doi.org/10.1038/nmat4742 ;原文pdf共享链接)。文中使用ATK-DFT对实验上得到的多层结构进行了模拟,得到了与实验一致的结果。文中使用DFT-D2范德华力泛函(注:QuantumATK最新版现已支持DFT-D3)对结构进行了优化,用GGA进行了结合能的计算,使用MetaGGA进行了精确带隙的计算。作为比较,又使用FHI-aims(注:VNL完整支持FHI-aims计算)进行了HSE06杂化泛函的DOS计算。VNL-GUI图形用户界面则为构建二维材料、设置计算与结果分析提供方便易用的工具。文章对QuantumATK的运用清楚表明了QuantumATK已经成为了成熟的通用材料模拟平台。

费米科技独家赞助第六届全国计算原子与分子物理学术会议

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2016年8月6至7日,由全国计算物理学会、计算原子与分子物理专业委员会主办,河南师范大学物理与材料科学学院承办的第六届全国计算原子与分子物理学术会议在新乡召开。来自全国各高校、研究所的近300位研究者参加了本次会议。费米科技作为独家赞助商有幸参展了本届盛会。 本次会议的主题是交流近年来计算原子与分子物理方面的研究现状、动态,探讨计算原子与分子物理领域今后发展的方向。费米科技与新老用户分别就一般性第一原理计算、自旋电子学、磁性等问题进行了深入交流。

费米科技参展“第二届凝聚态物理会议”(CCMP-2016)

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费米科技于2016年7月20日至23日参加了“第二届凝聚态物理会议”(CCMP-2016)。作为会议的主要赞助商,费米科技为广大研究者带来了最新版本的VNL-ATK 2016和ADF 2016的产品信息和试用版,获得了热烈的响应和广泛的好评。大家普遍反映,VNL-ATK功能丰富的图形用户界面和新颖强大的计算功能为材料计算模拟科研提供了更加便捷的工具,比其他同类产品和开源软件更加高效、可靠、易用。 本届“凝聚态物理会议”由南京大学物理学院、人工微结构科学与技术协同创新中心、中国科学院物理研究所主办。会议基于中国科学院物理研究所成功举办的系列“凝聚态物理与材料计算国际会议”以及2015年7月由清华大学、量子物质科学协同创新中心、中国科学院物理研究所和北京大学联合举办的“第一届凝聚态物理会议”,旨在配合凝聚态物理在中国的迅速发展和国际地位的全面提升,进一步加强凝聚态物理实验和理论的交流合作。与会者以大会邀请报告、分会邀请报告、口头和张贴报告等形式,交流了凝聚态物理前沿领域的研究进展。

费米科技参加第三十三届国际半导体物理大会(ICPS2016)

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2016年7月31日-8月5日,第三十三届国际半导体物理大会(ICPS2016)在北京国际会议中心成功举办。包括Klaus von Klitzing、Hiroshi Amano、Shuji Nakamura三位诺贝尔物理学奖得主在内的来自38个国家的千余位研究者参加了本届盛会。在六天的会议中代表们通过报告与墙报就半导体物理与凝聚态物理领域的各个研究方向进行了广泛的讨论。ICPS会议自创办半个多世纪以来,已发展成为半导体物理学领域最具学术权威性、最具国际影响力的学术盛会。北京大学半导体物理学科有着光荣、悠久的历史。上世纪50年代,在黄昆、谢希德院士主持下,我国第一个半导体专门化培训班在北大创办,培养了我国新兴半导体事业的第一批骨干力量,由此奠定了我国在半导体物理和凝聚态物理领域飞速发展的坚实基础。本届会议在北京大学信息科学技术学院组织下成功举办尤为有意义。 QuantumWise公司和费米科技作为主要赞助商参展,为参会者带来了VNL-ATK软件2016版的最新功能(详见:http://www.quantumwise.com/publications/quantumwise-news/item/962-vnl-atk-2016-preview-version。)、应用案例和试用许可。参会期间,我们的工程师与国内外参会者们就相关领域的软件应用问题进行了深入交流,并为老师们提供了专业的解决方案。        

 
  • 基于离域激子特性实现完全可逆的单超原子光电子开关研究背景 在信息技术飞速发展的背景下,电子器件正朝着微型化、集成化、多功能化、智能化及网络化方向不断演进。其中,微型化与集成化是支撑这一趋势的关键基础。从原子与分子尺度出发构建功能器件,不仅顺应了器件尺寸持续缩小的需求,也为在原子层面探索材料的本征特性与量子效应提供了独特平台。团簇作为介于原子、分子与宏观凝聚态物质之间的新兴结构层次,是由数个至数千个原子、分子或离子通过物理或化学作用形成的稳定微观聚集体。它们具备精确的化学组成与原子排列,表现出显著的量子尺寸效应与类分子特性。原子精度可控的配体保护金属纳米团簇不仅保留了裸团簇的类分子电子结构,还具有制备工艺简便、环境稳定性高等优点,被视为在室温条件下实现单分子光电子器件大规模制备最具潜力的功能材料之一。 研究内容 扬州大学裴玮副教授和华南师范大学周思教授课题组合作,采用含时密度泛函理论结合非平衡格林函数方法,以双膦配体保护的 Au13 超原子团簇为母体结构,通过掺杂原子与 Au12 空笼间的电子耦合诱导形成独特的超原子构型,从而改变了光激发过程中电子转移的能垒。具有 18 个价电子的超原子团簇表现出显著的激子离域特性,并因此产生较大偶极矩。通过与金电极经由卤化物连接体实现共价键合,所构建的单团簇结在低栅压(0.50 [...]
  • 交错磁中相干隧穿磁阻的异常厚度缩放特性研究背景 磁隧穿结(MTJ)是自旋电子学中的基本组成部分,通过巨磁电阻效应实现非易失性存储功能。减小 MTJ 厚度是提升存储密度、高速操作和自旋轨道耦合效率的关键。最近,新型磁体–交错磁(AM)材料因具有在实空间和动量空间中的交替自旋极化受到了广泛关注,它们表现出巨大的自旋劈裂而不具备净磁矩,成为超紧凑型 MTJ 集成的理想平台。在传统 MTJ 中,隧穿磁阻(TMR)通常会随着势垒厚度的增加而增大,这是因为反平行态下电子的隧穿衰减速度比平行态更快。本工作揭示了一种在交错磁隧穿结(AMTJ)中 TMR 随着势垒厚度增加而减小的反常规律,这是由于交错磁的能带中自旋简并部分形成了一条在反平行态下无法被抑制的隧穿通道,该现象进一步在二维 V2Te2O/Cr2Se2O/V2Te2O 和 V2Te2O/ZnSe/V2Te2O AMTJ 中得以验证。 研究内容 本文首先对 AMTJ 的 TMR 随着厚度变化的物理机理进行理论分析并提出双势垒模型,将自旋劈裂的费米面分为外部区域 A 和中心区域 B。在 AP 配置中,左右电极的 Néel 矢量是反平行的,区域 A 的自旋匹配问题使得该区域的电子透射可以有效抑制,被称为有效区域。而区域 B 的传输通道在 AP 配置下仍然保持开启,因为自旋分裂的两个费米面重叠,形成了一个自旋简并的传输通道,在 P 和 AP 状态下都保持开放,也被称为无效区域。根据隧穿理论,TMR 随着中间层厚度的变化可以用以下公式表达: 其中 kA 和 kB 分别为区域 A 和区域 B 的衰减系数。本文探讨了两种情景下的 TMR 行为:当 kA 小于 kB 时,TMR 随势垒厚度增加而增加,符合传统的缩放规律;而当 kA 大于 kB 时,表现为反常的缩放现象。 图1.(a)传统 MTJ 和(b)AMTJ 中的隧穿机制;(c)平行态配置中,区域 A 和 B 的电子态都参与隧穿;(d)反平行配置中,区域 A 的电子态传输被抑制,但区域 B 的电子态仍有传输。 随后采用密度泛函理论结合非平衡格林函数方法,研究具有不同势垒厚度的 V2Te2O/Cr2Se2O/V2Te2O 和 V2Te2O/ZnSe/V2Te2O AMTJ 器件以验证这一反常规律。首先,通过计算能带结构,V2Te2O 和 Cr2Se2O 分别为二维交错磁金属和交错磁半导体,且均具有 d 波各向异性。 [...]
  • 保留髋关节骨骼的定制植入物设计概述 髋臼骨溶解是髋关节置换术的常见并发症,由于植入物周围骨质流失导致松动将影响长期疗效。骨质流失的原因包括金属对聚乙烯轴承的磨损和假体周围感染,引发炎症从而破坏骨组织。 传统的 X 射线难以有效检测骨溶解,限制了骨质流失的早期识别,而 CT 扫描为规划翻修治疗评估骨质流失则更精准。英国皇家国家骨科医院(RNOH)的 Simpleware 软件用户通过 3D 打印的定制植入物重建严重的骨缺损并恢复丢失的骨结构。RNOH、Synopsys 和 implantcast [...]
  • 解析燃料与载氧体的相互作用:化学链燃烧中H2、CH4和CO在掺杂铁基载氧体表面位点特异性吸附机理与驱动机制研究研究背景 反应物在固体表面的吸附行为是研究反应机理的关键。在化学链燃烧中,铁基载氧体通过氧化还原反应传递晶格氧实现燃料高效利用。过渡金属掺杂可显著提升其反应活性,但掺杂引起的微观结构变化对H₂、CH₄、CO 等小分子燃料吸附行为的影响机制尚不明确。本研究采用 DFT 计算,系统研究气体分子在纯相及过渡金属掺杂铁基载氧体表面的吸附能、电子结构和相互作用机制。 研究内容 采用 AMS 计算软件中 BAND [...]
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