FIG. 1. (Color online) Structures of the geometry optimized 1-nm NWs. (a)–(c) show the unterminated [100], [110], and [111] NWs, (d)–(f) show the respective O-terminated NWs. Cu is orange and O is red.

QuantumATK在半导体和微电子工业研究中的应用

Posted · Add Comment

QuantumATK 在全世界范围里有几百家单位构成的活跃用户群体,其中包括绝大部分全球知名的半导体和微电子公司。下面是部分企业用户发表的文章: 参考 更多半导体领域的应用方案和实例见:http://www.fermitech.com.cn/vnl-atk/semiconductor/ 立即试用 QuantumATK! 下载QuantumATK软件安装包 申请QuantumATK的全功能试用许可 获取永久免费学术版的VNL图形界面

VNL-ATK材料模拟平台培训课程(2016年长沙站)成功召开

Posted · Add Comment

2016年11月12-13日费米科技主办的“VNL-ATK材料模拟平台培训课程(2016年长沙站)”在湖南师范大学成功召开。费米科技的董栋博士为来自华中地区的近80位用户介绍了VNL-ATK软件2016版的最新实例以及2017版众多令人瞩目的新功能。在随后的上机培训中,董栋博士为大家介绍 VNL-ATK 基本功能和各领域应用的实例,并与老师和同学就各自的研究中的问题进行了深入的交流。 费米科技感谢华中地区用户的大力支持以及湖南师范大学物理与信息科学学院各位老师和同学为组织本次培训付出了大量的努力。 欢迎大家关注费米科技微信公众号(FermiTech)了解我们后续培训信息和参加将与2016年11月27日举办的 VNL-ATK材料模拟平台培训课程(2016年成都站)。

VNL-ATK材料模拟平台培训课程(2016年成都站)邀请通知

Posted · Add Comment

费米科技将于2016年11月27日(周日)在四川大学举办“VNL-ATK材料模拟平台培训课程(2016年成都站)”。真诚的欢迎各位老师、同学莅临指导!费米科技的工程师将现场为您演示VNL-ATK软件,并与您深入地交流、探讨软件的最新应用及技术前景,同时解答您的疑问。 时间:11月27日 9:00~12:00 & 14:00~17:00。 地点: 四川大学望江校区西五教319 具体地址:成都市武侯区一环路南一段24号四川大学 培训费用:免费(食宿交通等费用自理) 联系人:石小杰 (13811530064;shi.xiaojie@fermitech.com.cn) 主讲人:董栋博士 培训内容: 上午: VNL-ATK概述、新功能和开发展望 专题1:器件体系电子输运模拟 构建合理的器件模型 器件体系的结构优化 器件体系计算设置 器件性质分析手段 下午: 专题2:VNL-ATK在通用材料模拟中的应用 VNL-ATK中的第一原理方法介绍 使用VNL-ATK模拟块体材料性质 材料表面的模拟新进展 半无限表面(Surface)模型 材料界面的模拟 分子动力学方法 NEB过渡态搜索 专题3:半导体材料与器件的模拟 带隙问题与掺杂问题 静电势模型与FET器件模拟 局域投影态密度方法及其应用 肖特基势垒研究  现场安装VNL-ATK软件试用版本,请自带笔本电脑。 衷心感谢广大新老学员的关注和支持!我们会继续改进培训的教学质量,同时我们也非常欢迎您为我们提出宝贵的意见和建议,让我们共同进步,期待您的积极参与!

ADF计算化学软件高级培训班(2016年成都站) 邀请通知

Posted · Add Comment

  ADF软件作为计算化学模拟平台以其专业性与易用性得到各大高校及科研院所老师和同学们的青睐。费米科技定于11月26日(周六)在四川大学举办“ADF计算化学软件高级培训班(2016年成都站)”本次培训结合国内外发表的论文,进行深入浅出的、全方位的讲解和同步上机操作,旨在让每个学员从零基础到对该软件全面、深刻地掌握,能够熟练地使用。 时间:11月26日 9:00~12:00 & 13:30~18:00。 地点: 四川大学望江校区西五教3楼319 具体地址:成都市武侯区一环路南一段24号四川大学 培训费用:免费(食宿交通等费用自理) 联系人:石小杰(13811530064;shi.xiaojie@fermitech.com.cn) 培训形式:讲授与练习同步进行(自带笔记本电脑,现场安装最新版试用软件) 主讲人: 刘俊 工程师 ADF软件中国区技术支持。毕业于北京大学化学与分子工程学院,从事计算化学理论以及密度泛函理论的程序化研究。从2010年起担任ADF软件中国技术支持,曾到荷兰ADF软件开发组学习。 培训内容: ADF参数物理意义,以及如何设置 ADF生成各种图像数据及其处理:  拉普拉斯电子密度  键径,原子、键、环、笼临界点  电子局域函数,成键类型 片段相互作用与键能分解 氢键的电子转移NOCV分析 转移积分与电子迁移率 过渡态搜索 荧光与磷光寿命、辐射跃迁速率 自旋轨道耦合的应用(SOCME) 开壳层的NMR计算 激发态几何结构优化 溶液中的Gibbs自由能、溶剂化自由能 表面吸附结构的健能分解、NOCV 周期性体系的图像数据及其处理:  拉普拉斯电子密度  键径,原子、键、环、笼临界点  电子局域函数,成键类型 反应力场:  系综  温度控制  基元反应与反应速率常数、反应网络 真诚的欢迎各位老师、同学莅临指导! 在线报名(报名后,会在半小时内收到确认邮件,如果没有收到请查看垃圾箱,或联系sales@fermitech.com.cn):

VNL-ATK材料模拟平台培训课程(2016年长沙站)邀请通知

Posted · Add Comment

为了使各位老师和同学更好的了解 VNL-ATK 材料模拟平台的新功能,更好的开展相关领域的研究,费米科技将于2016年11月12日至11月13日举办“VNL-ATK材料模拟平台培训课程(2016年长沙站)”,活动现场提供 VNL-ATK 的试用版,欢迎各位老师和同学积极参加。 课程时间:2016年11月12—13日(共两天) 课程地点:湖南师范大学 量子楼410 具体地址:长沙市岳麓区桃子湖路15号 培训课程内容: 第一天上午(9:00-12:00) 报告:VNL-ATK平台概述、新功能和开发展望 专题1:器件体系电子输运模拟 构建合理的器件模型 器件体系的结构优化 器件体系计算设置 电子输运性质分析计算 第一天下午(14:00-17:00) 专题2:半导体材料与器件的模拟 带隙问题与掺杂问题 静电势模型与FET器件模拟 局域投影态密度方法及其应用 肖特基势垒研究 专题3:VNL-ATK在材料模拟中的应用 VNL-ATK中的第一原理方法介绍 使用VNL-ATK模拟块体材料性质 材料表面的模拟新进展 半无限表面(Surface)模型 材料界面的模拟 分子动力学方法 NEB过渡态搜索 第二天上午(9:00-12:00) 软件试用版安装和实例演示 实例1:材料结构优化和电子态计算 第二天下午(14:00-17:00) 实例2:器件体系建模、计算与分析 培训形式:讲座+自由上机练习(自带笔记本电脑,现场安装最新版试用软件)。 培训费用:免费(食宿交通等费用自理) 主讲人:董栋博士 联系人:石小杰 (13811530064;shi.xiaojie@fermitech.com.cn) 欢迎各位老师和同学的关注费米科技微信(FermiTech),及时获取费米科技举办的其他活动信息: VNL-ATK 材料模拟平台培训课程(2016年成都站) ADF 软件高级培训班(2016年成都站)

【QuantumATK亮点文章】用石墨烯包裹实现二维氮化镓(Nature Materials, 2016)

Posted · Add Comment

Nature Materials 上最新发表了《用石墨烯包裹实现二维氮化镓(Two-dimensional gallium nitride realized via graphene encapsulation)》的文章(DOI:http://dx.doi.org/10.1038/nmat4742 ;原文pdf共享链接)。文中使用ATK-DFT对实验上得到的多层结构进行了模拟,得到了与实验一致的结果。文中使用DFT-D2范德华力泛函(注:QuantumATK最新版现已支持DFT-D3)对结构进行了优化,用GGA进行了结合能的计算,使用MetaGGA进行了精确带隙的计算。作为比较,又使用FHI-aims(注:VNL完整支持FHI-aims计算)进行了HSE06杂化泛函的DOS计算。VNL-GUI图形用户界面则为构建二维材料、设置计算与结果分析提供方便易用的工具。文章对QuantumATK的运用清楚表明了QuantumATK已经成为了成熟的通用材料模拟平台。

费米科技独家赞助第六届全国计算原子与分子物理学术会议

Posted · Add Comment

2016年8月6至7日,由全国计算物理学会、计算原子与分子物理专业委员会主办,河南师范大学物理与材料科学学院承办的第六届全国计算原子与分子物理学术会议在新乡召开。来自全国各高校、研究所的近300位研究者参加了本次会议。费米科技作为独家赞助商有幸参展了本届盛会。 本次会议的主题是交流近年来计算原子与分子物理方面的研究现状、动态,探讨计算原子与分子物理领域今后发展的方向。费米科技与新老用户分别就一般性第一原理计算、自旋电子学、磁性等问题进行了深入交流。

费米科技参展“第二届凝聚态物理会议”(CCMP-2016)

Posted · Add Comment

费米科技于2016年7月20日至23日参加了“第二届凝聚态物理会议”(CCMP-2016)。作为会议的主要赞助商,费米科技为广大研究者带来了最新版本的VNL-ATK 2016和ADF 2016的产品信息和试用版,获得了热烈的响应和广泛的好评。大家普遍反映,VNL-ATK功能丰富的图形用户界面和新颖强大的计算功能为材料计算模拟科研提供了更加便捷的工具,比其他同类产品和开源软件更加高效、可靠、易用。 本届“凝聚态物理会议”由南京大学物理学院、人工微结构科学与技术协同创新中心、中国科学院物理研究所主办。会议基于中国科学院物理研究所成功举办的系列“凝聚态物理与材料计算国际会议”以及2015年7月由清华大学、量子物质科学协同创新中心、中国科学院物理研究所和北京大学联合举办的“第一届凝聚态物理会议”,旨在配合凝聚态物理在中国的迅速发展和国际地位的全面提升,进一步加强凝聚态物理实验和理论的交流合作。与会者以大会邀请报告、分会邀请报告、口头和张贴报告等形式,交流了凝聚态物理前沿领域的研究进展。

费米科技参加第三十三届国际半导体物理大会(ICPS2016)

Posted · Add Comment

2016年7月31日-8月5日,第三十三届国际半导体物理大会(ICPS2016)在北京国际会议中心成功举办。包括Klaus von Klitzing、Hiroshi Amano、Shuji Nakamura三位诺贝尔物理学奖得主在内的来自38个国家的千余位研究者参加了本届盛会。在六天的会议中代表们通过报告与墙报就半导体物理与凝聚态物理领域的各个研究方向进行了广泛的讨论。ICPS会议自创办半个多世纪以来,已发展成为半导体物理学领域最具学术权威性、最具国际影响力的学术盛会。北京大学半导体物理学科有着光荣、悠久的历史。上世纪50年代,在黄昆、谢希德院士主持下,我国第一个半导体专门化培训班在北大创办,培养了我国新兴半导体事业的第一批骨干力量,由此奠定了我国在半导体物理和凝聚态物理领域飞速发展的坚实基础。本届会议在北京大学信息科学技术学院组织下成功举办尤为有意义。 QuantumWise公司和费米科技作为主要赞助商参展,为参会者带来了VNL-ATK软件2016版的最新功能(详见:http://www.quantumwise.com/publications/quantumwise-news/item/962-vnl-atk-2016-preview-version。)、应用案例和试用许可。参会期间,我们的工程师与国内外参会者们就相关领域的软件应用问题进行了深入交流,并为老师们提供了专业的解决方案。        

 
  • Simpleware X-2025.06 新版发布:创建用户的 CAD 器械库和持续推进自动化Simpleware 三维图像处理和模型生成的专业平台于近日发布了 X-2025.06 新版本,将继续推动用户生成自动化和设计效率的边界。新增功能和改进包含扩展与第三方 AI 工具的兼容性(支持 nnU-Net 模型和完整的 MONAI bundle)、导入用户自定义 CAD [...]
  • 基于 ReaxFF MD 和 DFT 的 CaO 催化木质素气化制氢的机理研究研究背景 全球能源转型亟需绿色制氢技术。生物质气化制氢虽具潜力,但水煤气变换反应(WGSR)受高浓度 CO₂ 逆向抑制,限制产氢效率。研究表明,添加 CaO 可通过原位吸附 CO₂ 显著提升 H₂ 产率(实验显示最高可倍增),同时催化焦油重整提升转化率 23–41%。然而,CaO 在复杂气化体系中的”吸附-催化”协同机制尚未明晰。通过联合 ReaxFF MD 与 DFT 模拟,探究 CaO 催化木质素气化制氢的反应机理,为设计高性能钙基催化剂提供理论依据。 研究内容 宁夏大学含碳基质气化课题组,采用 ReaxFF MD 与 DFT 结合的方法,揭示了 CaO 催化木质素气化制氢的多尺度协同机制。研究表明高温下 CaO 解离释放的高活性 Ca2+ 易与气化剂(H2O)或含氧有机物的氧部位结合,促进O-H、C-H、C-O [...]
  • 从核磁共振特征看Pt单原子催化剂的配位环境摘要 将原子分散物种与受控结构结合在一起的负载型金属催化剂,是催化材料设计的前沿领域,对反应性和金属高利用率提供了卓越的控制能力,接近分子级的精度。然而准确解析局部金属配位环境仍然面临挑战,它仍然阻碍着结构-活性关系认知的发展,而结构-活性关系是在不同应用领域中,优化设计所必需的信息。虽然电子显微镜能够揭示原子分散情况,但在多相催化中使用的传统光谱方法只能提供平均化的结构信息。里昂第一大学、苏黎世联邦理工学院、丹麦奥胡斯大学的研究者们,在最近发表于 Nature 的文章中,证明 195Pt 固态核磁共振(NMR)光谱是表征各种载体上原子分散 Pt 位点(即所谓的单原子催化剂 SAC)的有力工具。使用蒙特卡罗模拟,将 NMR [...]
  • 反铁磁隧道结中磁电阻的起源和增强:自旋通道选择规则研究背景 反铁磁材料(AFM)因具有超快自旋翻转速度(太赫兹级)、无净磁矩、高抗干扰性和优异的稳定性,被视为下一代磁阻随机存储器(MRAM)的核心候选材料。然而,反铁磁隧道结(AFMTJs)中的隧道磁阻(TMR)通常较低,其根本原因在于两个自旋通道的对称性导致隧穿电流极化不足,限制了 AFMTJs 的广泛应用。本研究通过创新理论模型:自旋通道选择规则,提出通过结构工程调控界面倾斜角(Interface Tilt Angle ITA)来控制不同自旋通道的隧穿距离,打破对称性;并通过调制倾斜界面使得自旋向上(↑)和向下(↓)电子的隧穿势垒差异,形成高度极化的电流,从而显著提升隧道磁阻。利用 FeTe 作为代表材料,发现隧穿界面的倾斜会使得 AFMTJs 产生明显的自旋极化,并诱导出较大的 TMR。证明 Néel 型 AFMTJs 的隧穿磁阻(TMR)会随着隧穿界面的倾斜角增大而增大。该工作揭示了二维 Néel 型 AFMTJs 中界面与 TMR 的关系,并为实现反铁磁体信息的有效写入和阅读开辟了一条新的途径。 研究内容 研究采用密度泛函理论结合非平衡格林函数方法,预测在共线完全补偿的反铁磁体中会出现极化电流。从自旋电子的散射模型和势垒贯穿模型出发,构建了如图 1 所示的 AFMTJs 模型。 图1. 插图展示了电子在不同界面配置下的隧穿过程。(a)-(c) 是 AFMTJ 隧穿界面中自旋电子在 P 态下的隧穿示意图,分别以矩形、梯形和平行四边形表示;(d)-(f) [...]
  • 标签

  • 关于费米科技

    费米科技以促进工业级模拟与仿真的应用为宗旨,致力于推广基于原子级别模拟技术和基于图像模型的仿真技术,为学术和工业研究机构提供研发咨询、软件部署、技术攻关等全方位的服务。费米科技提供的模拟方案具有面向应用、模型新颖、功能丰富、计算高效、简单易用的特点,已经服务于众多的学术和工业用户。

    欢迎加入我们!(点击链接)

  • 最近更新

  • 联系方式

    • 留言板点击留言
    • 邮箱:sales_at_fermitech.com.cn
    • 电话:010-80393990
    • QQ: 1732167264
  • 订阅费米科技新闻

    • 邮件订阅:
      您可以使用常用的邮件地址接收费米科技定期发送的产品更新和新闻。
      点击这里马上订阅
    • 微信订阅:
      微信扫描右侧二维码。
  •