迈向超低功耗和高速电子产品：基于单链碲的隧道晶体管 在小于 5.1 纳米尺度下，遂川场效应晶体管（TFETs）的应用面临诸多挑战，包括低开态电流（Ion）、较高的漏电流（Ileak）。本文通过设计环栅（GAA）结构的单链碲（1Te）TFETs，使亚阈值摆动（SS）特性在近六个数量级的漏电流范围内得以保持，从而克服了上述挑战。通常，最大 Ion 和最小 Ileak 之间存在权衡关系，但本文优化设计的 5.1 纳米 GAA 1Te TFET 突破了这一常规。其快速开启特性导致超低的 Ileak（7.9 × 10⁻¹⁰ μA/μm）和高的 Ion（1352 μA/μm），性能优于其他基于低维材料设计的 FETs。这些优异性能归因于 1Te 的优势特性，包括中等带隙、各向异性有效质量和缩短的电场屏蔽长度。更为关键的是，该器件展现出数字电子器件的关键性能指标，满足国际半导体技术路线图（ITRS）对高性能与低功耗器件的双重要求，显示出其作为节能、高速电子开关的巨大潜力。我们的研究有望推动对亚 5.1 纳米准一维材料 TFETs 的进一步探索，并为其性能优化提供宝贵的理论指导。（Materials Today Physics, 2024, 40: 101313. DOI:10.1016/j.mtphys.2023.101313） 高k栅电介质WSe2 / SnSe2隧穿场效应晶体管中的量子输运 该研究通过量子输运模拟，探讨了采用不同高介电常数（high-k）栅介质材料的 WSe₂/SnSe₂ 隧穿场效应晶体管（TFET）的性能。结果表明，使用高-k 栅介质材料（如 TiO₂ 和 La₂O₃）可以使得电子穿隧长度缩短，传输效率提高，电子穿隧概率增大。其中，采用 TiO₂ 栅介质的优化器件在导通状态下实现了 1560 μA/μm 的电流和 48 mV/dec 的亚阈值摆幅（SS）。此外，研究还发现，器件性能受 underlap 区域的影响，且使用 La₂O₃ 介质的器件可以缩小至 3 纳米，同时满足国际半导体技术路线图（ITRS）对高性能器件的要求。（Journal of Materials Science & Technology, 2024, 201: 149-156. DOI:10.1016/j.jmst.2024.01.098） 多态非易失性存储器中范德华异质的各向异性输运和铁电极化 该研究旨在开发高密度、多状态的非易失性存储器。​作者设计了一种基于 α-tellurene/In2Se3 范德华异质结构的面内铁电隧道结（in-plane FTJ）。通过铁电极化控制金属-半导体转变，实现了在不同传输方向上的各向异性隧穿电阻比（TER），并且在低偏压下TER保持在 5×104 % 以上。此外，结合各向异性传输和铁电极化，器件可实现四个独立的存储状态，无需擦除步骤即可在这些状态之间直接切换，从而简化了操作流程，为多状态非易失性存储器提供了新的实现途径。（Physical Review Applied, 2024, 22(6): 064016. DOI: 10.1103/PhysRevApplied.22.064016） 边缘修饰的锯齿形GeS纳米带器件的可调电子特性和显著的负微分电阻效应：第一性原理研究 该研究利用密度泛函理论（DFT）结合非平衡格林函数（NEGF）方法，探讨了通过氢（H）、氟（F）和氯（Cl）原子对锯齿形锗硫（ZGeSNRs）纳米带边缘进行单侧和双侧修饰对其结构、电子和输运性质的影响。研究发现，边缘修饰消除了悬挂键，提高了纳米带的稳定性。单侧修饰保持了ZGeSNRs的金属性质，而双侧修饰使其表现出半导体特性。此外，某些修饰结构展示了强烈的负微分电阻（NDR）效应，其中氢修饰的 ZGeSNR 在 0.49–1.07 V 的偏压范围内，峰谷电流比达到 1.01×105，显示出在低功耗高性能纳米电子器件中的应用潜力。（Surfaces and Interfaces, 2024, 46: 104201. DOI:10.1016/j.surfin.2024.104201） 二维XYN3 (X=V, Nb, Ta；Y=Si, Ge)：有前途的光电探测器材料 […]

研究背景 随着微电子器件向更小尺寸和更高能效发展，传统场效应晶体管逐渐面临亚阈值摆幅限制和功耗瓶颈。隧穿二极管，尤其是具备负微分电阻（NDR）效应的器件，因其在高速开关、存储及多值逻辑电路中的应用潜力而受到广泛关注。二维材料由于其原子级厚度和出色的电子性能，为新型隧穿器件的设计提供了理想平台。近年来，一类被称为“冷金属”的二维材料引起研究者兴趣，它们在费米能级附近具有孤立电子态，有利于实现高峰值电流密度与超高峰谷电流比（PVCR）。本研究以 NbSi2N4/HfSi2N4/NbSi2N4 横向异质结构为基础，提出一种新型二维隧穿二极管设计，为构建低功耗、高性能的未来电子器件提供了新的思路与理论支持。 研究内容 研究采用密度泛函理论结合非平衡格林函数方法，研究了具有不同势垒厚度的横向隧穿二极管在锯齿形和扶手椅方向上的电流-电压（I-V）特性。与扶手椅取向相比，锯齿形取向的隧穿二极管显示出更高的峰值电流密度，而扶手椅型取向的隧穿二极管显示出更大的峰谷电流比（PVCR）。研究结果表明，MA2Z4 材料是实现具有超高 PVCR 值的 NDR 隧穿二极管有望候选者，可能在存储器、逻辑电路和其他电子器件中有潜在的应用。 通过计算能带结构发现 NbSi2N4 具有“冷金属”二维材料电子特性，HfSi2N4 为直接带隙半导体。 图1. NbSi2N4 与 HfSi2N4 的能带结构 不同于传统的 Esaki 二极管几乎无法获得消失谷电流的特性，本文中的扶手椅型隧穿二极管在 1.0-1.3 V 偏置电压区间内出现消失的谷电流，而对于锯齿形隧穿二极管，从 NDR 过渡到第二个正微分电阻（PDR）发生在一个非常窄的电压窗内。 图2. 不同隧穿势垒长度下 NbSi2N4/HfSi2N4/NbSi2N4 隧穿二极管在扶手椅和锯齿形方向上的电流-电压特性 通过计算复数能带解释扶手椅型和锯齿形两种隧穿二极管的电流密度峰值差异，以及势垒厚度对电流密度的影响。 图3. HfSi2N4 的复能带结构 总结 基于第一性原理计算，本文设计了一种基于二维冷金属材料的横向隧穿二极管。研究选用 NbSi2N₄ 与 HfSi2N₄ 构建异质结构，其中 HfSi2N₄ 作为势垒层，NbSi2N₄ 作为电极。该结构利用 MA2Z₄（M = Nb、Ta；A = Si、Ge；Z = N、P）类二维材料在费米能级附近呈现孤立金属态的“冷金属”特性，在不同晶向（zigzag 与 armchair）上展现出显著的负微分电阻（NDR）效应。计算结果显示，器件可实现超高峰谷电流比（PVCR），armchair 方向可达约 500，远优于现有的 Ge 基或 MoS₂ 基 NDR 器件。这项研究不仅展示了二维冷金属材料在低功耗、高性能隧道电子器件中的应用潜力，也为相关器件设计与优化提供了理论指导，具有重要的科研与应用价值。 参考文献 Bodewei P, Şaşıoğlu E, Hinsche N F, et al. Computational design of tunnel diodes with negative differential resistance and ultrahigh peak-to-valley current ratio […]