研究背景 随着集成电路特征尺寸持续向纳米甚至原子级别缩小，传统铜互连材料在高密度三维集成和垂直互连结构中的导电性能正面临严峻挑战。器件微缩导致的尺寸效应、界面散射与量子输运问题，使得金属互连的电阻率急剧上升，严重限制了器件的速度与能效。因此，寻找具有低界面电阻、高导电性和稳定尺寸标度行为的新型材料体系已成为先进互连技术的重要研究方向。 近年来，拓扑半金属因其独特的能带结构和高载流子迁移率，成为下一代电子互连材料的潜在候选。拓扑半金属在费米能级附近存在线状或点状狄拉克态，其电子输运特性受拓扑保护，能够显著抑制界面散射，从而在纳米尺度下保持较低的电阻率。这一特性为突破传统金属互连的性能瓶颈提供了新的可能。 然而，在器件实际应用中，界面效应仍是决定互连电阻的关键因素。随着器件尺寸的不断缩小，界面电阻率不再是常数，而表现出明显的标度行为，即其值随通道长度、厚度或界面粗糙度等几何参数变化而改变。理解并量化拓扑半金属界面的电阻率标度规律，对于准确评估其在垂直互连结构中的导电性能至关重要。 研究内容 本研究聚焦于拓扑半金属界面电阻率的标度行为及其在垂直互连体系中的应用。通过理论分析与计算模拟，探讨不同拓扑半金属在界面处的电子输运特征及尺寸依赖规律，旨在揭示拓扑保护态在降低界面散射、保持电阻稳定性方面的作用机制。这一研究不仅为理解拓扑材料的界面输运提供了新的物理图景，也为设计高性能、低功耗的三维互连结构提供了理论基础。 图 1. 所考虑各种界面结构的示意图（a）单界面结构（b）双界面结构，（c）和（d）是与（a）和（b）相同的界面结构，但在 y 方向上添加了真空以模拟薄膜。 对于单界面和双界面模型两种结构，考虑电子在体和薄膜中的传输，并通过在垂直于传输方向上添加真空来模拟。 图 2. 结构示意图（a）Cu(100)/Ta(100)（b）CoSi(100)/Ta(100)，动量分辨电子透射谱（c）Cu(100)/Ta(100)（d）CoSi(100)/Ta(100) k 分辨透射谱显示 Cu/Ta 界面的透射谱透射率可达 T= 7 的区域，而靠近 Γ 点处透射率较低。CoSi/Ta 界面的透射谱在 BZ 边界有 4 个小的 T= 2 的区域，而其他地方的透射谱为零。CoSi/Ta 界面结构的低透射率是由于 BZ 中 CoSi 的体电子态密度（DOS）极低，集中在区角的 Weyl 节点附近。与 Cu 相比，CoSi/Ta 界面上的低电子透射率转化为高比电阻率。 图 3.（a）Cu/Ta 和（b）CoSi/Ta 的局域电子态密度（LDOS），（c）Cu/Ta 和（d）CoSi/Ta 在不同薄膜厚度下的动量分辨电子透射谱 从计算的域态密度（LDOS）可以发现，对于 Cu/Ta 界面是均匀的 LDOS，在薄膜表面附近没有明显变化。然而，在 CoSi/Ta 界面，Ta 区域的 LDOS 分布均匀，但在 CoSi 表面处 LDOS 强烈局域化，CoSi 内部区域的 LDOS 几乎为零。这是由于存在的 Weyl 节点和由此产生的拓扑保护表面态从布里渊带的中心延伸到角落，在 CoSi 薄膜中产生相对较少的靠近费米能级的体态和大量的导电表面态所导致的。 从计算的动量分辨电子透射谱可以发现，对于 Cu/Ta，使薄膜更厚（从 […]
