背景 晶体管的尺寸微缩是推动微电子电路发展的关键。然而,由于严重的短沟道效应,传统硅基晶体管正在接近其物理极限。当栅极长度小于 10 纳米时,实验制备的硅基晶体管的已经不能满足国际半导体技术发展路线图(ITRS)的开电流标准。为了延续摩尔定律,目前主流的一种解决方案是将沟道替换为更高迁移率的材料。其中,III-V 化合物半导体有着比硅更高的电子迁移率和电子注入速度,被认为是硅的有力继任者。而砷化镓(GaAs)因其具有良好的n型和p型器件性能,在一系列 III-V 半导体中脱颖而出。为了尽可能延长摩尔定律的寿命,探索n型和p型GaAs晶体管的性能极限十分必要。 研究内容 具有较薄沟道的晶体管可以进一步增强栅极控制力和对短沟道效应的免疫力。单层氢化 GaAs(ML GaAsH2)是超薄 GaAs 的极限形式,因此,模拟 ML GaAsH2 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)可以给出超薄 GaAs FET 的性能上限。本文报道了作者对 n 型和 p 型双栅 ML GaAsH2 MOSFET 的第一性原理与量子输运模拟研究。作者引入 underlap 结构,得到了器件从5纳米栅长一直微缩至 1 纳米的转移特性。 图1 (a) ML GaAsH2 结构图。(b、c) ML GaAs 和 ML GaAsH2 的能带结构。(d) 双栅 ML GaAsH2 MOSFET 的示意图。(e) 5 纳米栅长的转移特性曲线 作者发现,n 和 p 型ML GaAsH2 晶体管的性能极限分别位于 3(4)和3(5)nm 栅长处。与其他模拟工作中的典型二维器件进行横向对比,只有 ML GaAsH2 器件的开电流在亚 5 纳米栅长范围内,可以同时满足NMOS、PMOS 在高性能、低功耗应用下的 ITRS […]