摘要 文章（Surface Science 600 (2006) 5080–5083）研究了单个π共轭分子吸附或夹在两个电极上的电流特性，尤其是载流子通过有机/金属界面的注入。首次使用第一性原理方法研究了分子的取向和电极材料对电流对影响：过去的电流计算都是假设分子与电极之间通过共价键连接。研究模拟的两个体系中，萘分子夹在金或铝电极之间。 首先，通过分子的电流与分子的取向有关系，这表示电子主要通过π通道（也就是分子的π轨道与电极电子轨道的交叠）传输；其次，金-萘-金体系的电流比铝-萘-铝体系的电流强，这表明金比铝更适合做电极。   参考文献 First-principles study on current through a single p conjugate molecule for analysis of carrier injection through an organic/metal interface Kenji Toyoda *, Kiyoshi Morimoto, Kiyoyuki Morita Advanced Technology Research Laboratories, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd, 3-4 Hikaridai, Seika-cho, Soraku-gun, Kyoto 619-0237, Japan Surface Science 600 […]

摘要 文章（JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 117, 054504 (2015)）对铜掺杂SiO2和Al2O3在热力学、动力学和电子性质方面进行了原子尺度的模拟研究，得到不同浓度（9.91×1020 cm-3和3.41×1022 cm-3）的铜掺杂下的定量结果。金属－绝缘体界面导致体系的形成能与块体相比降低大约4eV。另外，本文还介绍了Cu-Cu相互作用对降低化学势的重要性。这些概念的讨论是在关于阻变存储器（RRAM-M）局域传导路径的形成及其稳定性的背景下展开的。电子态密度以及通过这些局域路径的非平衡透射研究确认了透射增大了三个数量级。本文通过原子尺度的漂移－扩散计算，研究了这些传导路径的动力学行为。本文最后对RRAM-M的原胞进行了分子动力学模拟，试图将上述所有现象用统一的自洽的模型结合起来。   参考文献 Cu impurity in insulators and in metal-insulator-metal structures: Implications for resistance-switching random access memories Sumeet C. Pandeya), Roy Meade, and Gurtej S. Sandhu Emerging Memory Group, Process R&D, Micron Technology Inc., Boise, Idaho 83707-0006, USA JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 117, 054504 (2015) 参考 […]

摘要 文章（PHYSICAL REVIEW B 92, 115413 (2015)）使用密度泛函理论以及密度泛函紧束缚近似模型，对直径约 1 nm 和 3 nm 的铜纳米线的不同晶向和表面端基原子的电子输运性质进行了研究。发现无论何种直径、晶向、端基原子均不影响其金属性。电子透射强烈的依赖于晶向和端基原子，沿 [110] 方向的铜纳米线透射最强。与无端面的纳米线相比，表面氧化纳米线的电子透射显著降低。 文章计算了每种情况的单位面积透射；对给定晶向，文章指出对于无端基原子的纳米线，该数值随着直径增大而降低，而表面氧化纳米线对直径的依赖则不大（至少对于本文研究的直径范围是如此）。对透射路径的分析表明，无端基原子纳米线表面的透射强于内部；纳米线表面的透射，会由于表面氧化而显著降低。本文基于透射路径的结果，提出了解释单位面积输运与与直径的依赖关系的一个简单模型。   参考文献 Electron transport properties of sub-3-nm diameter copper nanowires Sarah L. T. Jones1, Alfonso Sanchez-Soares1, John J. Plombon2, Ananth P. Kaushik2, Roger E. Nagle3, James S. Clarke2, and James C. Greer1,* 1Tyndall National Institute, University College Cork, Dyke […]