FIG. 1. (a) Structure of a single Cu impurity in a c-Al2O3 (R-3c) 2 2 1 super-cell. Red, brown, and yellow spheres represent O, Cu, and Al atoms, respec- tively. (b) Electron localization function in the plane passing through the center of the Cu impurity bonded to Al and O. Blue-green-red represents low-me- dium-high electron concentration from 0-0.5 to 1.0 e/A ̊ 3, respectively. (c) Cu interaction with Si and O in a-quartz c-SiO2. Red, brown, and green spheres are O, Cu, and Si atoms, respectively. (d) The computed formation energy (eV per Cu atom) (circles) and the average charge transfer (squares) as a function of Cu impurity concentration in SiO2.

QuantumATK在半导体和微电子工业研究中的应用—名企系列论文(2)绝缘体中的金属杂质的影响与阻变存储器

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摘要 文章(JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 117, 054504 (2015))对铜掺杂SiO2和Al2O3在热力学、动力学和电子性质方面进行了原子尺度的模拟研究,得到不同浓度(9.91×1020 cm-3和3.41×1022 cm-3)的铜掺杂下的定量结果。金属-绝缘体界面导致体系的形成能与块体相比降低大约4eV。另外,本文还介绍了Cu-Cu相互作用对降低化学势的重要性。这些概念的讨论是在关于阻变存储器(RRAM-M)局域传导路径的形成及其稳定性的背景下展开的。电子态密度以及通过这些局域路径的非平衡透射研究确认了透射增大了三个数量级。本文通过原子尺度的漂移-扩散计算,研究了这些传导路径的动力学行为。本文最后对RRAM-M的原胞进行了分子动力学模拟,试图将上述所有现象用统一的自洽的模型结合起来。   参考文献 Cu impurity in insulators and in metal-insulator-metal structures: Implications for resistance-switching random access memories Sumeet C. Pandeya), Roy Meade, and Gurtej S. Sandhu Emerging Memory Group, Process R&D, Micron Technology Inc., Boise, Idaho 83707-0006, USA JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 117, 054504 (2015) 参考 […]

FIG. 1. (Color online) Structures of the geometry optimized 1-nm NWs. (a)–(c) show the unterminated [100], [110], and [111] NWs, (d)–(f) show the respective O-terminated NWs. Cu is orange and O is red.

QuantumATK在半导体和微电子工业研究中的应用—名企系列论文(1)铜纳米线的电子输运特性

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摘要 文章(PHYSICAL REVIEW B 92, 115413 (2015))使用密度泛函理论以及密度泛函紧束缚近似模型,对直径约 1 nm 和 3 nm 的铜纳米线的不同晶向和表面端基原子的电子输运性质进行了研究。发现无论何种直径、晶向、端基原子均不影响其金属性。电子透射强烈的依赖于晶向和端基原子,沿 [110] 方向的铜纳米线透射最强。与无端面的纳米线相比,表面氧化纳米线的电子透射显著降低。 文章计算了每种情况的单位面积透射;对给定晶向,文章指出对于无端基原子的纳米线,该数值随着直径增大而降低,而表面氧化纳米线对直径的依赖则不大(至少对于本文研究的直径范围是如此)。对透射路径的分析表明,无端基原子纳米线表面的透射强于内部;纳米线表面的透射,会由于表面氧化而显著降低。本文基于透射路径的结果,提出了解释单位面积输运与与直径的依赖关系的一个简单模型。   参考文献 Electron transport properties of sub-3-nm diameter copper nanowires Sarah L. T. Jones1, Alfonso Sanchez-Soares1, John J. Plombon2, Ananth P. Kaushik2, Roger E. Nagle3, James S. Clarke2, and James C. Greer1,* 1Tyndall National Institute, University College Cork, Dyke […]

VNL-ATK材料模拟平台培训课程(2016年长沙站)邀请通知

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为了使各位老师和同学更好的了解 VNL-ATK 材料模拟平台的新功能,更好的开展相关领域的研究,费米科技将于2016年11月12日至11月13日举办“VNL-ATK材料模拟平台培训课程(2016年长沙站)”,活动现场提供 VNL-ATK 的试用版,欢迎各位老师和同学积极参加。 课程时间:2016年11月12—13日(共两天) 课程地点:湖南师范大学 量子楼410 具体地址:长沙市岳麓区桃子湖路15号 培训课程内容: 第一天上午(9:00-12:00) 报告:VNL-ATK平台概述、新功能和开发展望 专题1:器件体系电子输运模拟 构建合理的器件模型 器件体系的结构优化 器件体系计算设置 电子输运性质分析计算 第一天下午(14:00-17:00) 专题2:半导体材料与器件的模拟 带隙问题与掺杂问题 静电势模型与FET器件模拟 局域投影态密度方法及其应用 肖特基势垒研究 专题3:VNL-ATK在材料模拟中的应用 VNL-ATK中的第一原理方法介绍 使用VNL-ATK模拟块体材料性质 材料表面的模拟新进展 半无限表面(Surface)模型 材料界面的模拟 分子动力学方法 NEB过渡态搜索 第二天上午(9:00-12:00) 软件试用版安装和实例演示 实例1:材料结构优化和电子态计算 第二天下午(14:00-17:00) 实例2:器件体系建模、计算与分析 培训形式:讲座+自由上机练习(自带笔记本电脑,现场安装最新版试用软件)。 培训费用:免费(食宿交通等费用自理) 主讲人:董栋博士 联系人:石小杰 (13811530064;shi.xiaojie@fermitech.com.cn) 欢迎各位老师和同学的关注费米科技微信(FermiTech),及时获取费米科技举办的其他活动信息: VNL-ATK 材料模拟平台培训课程(2016年成都站) ADF 软件高级培训班(2016年成都站)

材料与器件模拟研讨会暨VNL-ATK Workshop 2016在北京大学成功召开

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由北京大学物理学院、QuantumWise和费米科技联合主办的“材料与器件模拟研讨会暨VNL-ATK Workshop 2016”在北京大学成功召开。来自 QuantumWise 公司、北京大学等多个单位的老师和同学在会上向大家介绍了各自的工作,在听众中引起了热烈的讨论。在随后的 Workshop 上机练习中,QuantumWise 公司的 Kurt Stokbro 博士和费米科技董栋博士为大家介绍 VNL-ATK 基本功能和 2016 版新功能的实例,并与老师和同学就各自的研究中的问题进行了深入的交流。Kurt Stokbro 还为各位用户介绍并预览了2017版众多令人瞩目的新功能,激起了很多老师和同学的兴趣。 费米科技秉承为用户服务的宗旨,将在一年一度的全国的 Workshop 基础上组织更多的区域性和在线的研讨会,以为用户之间的交流提供更大的便利,敬请期待。也欢迎 VNL-ATK 用户参与我们的“中文手册计划”和“用户激励计划”。相关活动计划将在费米集合上更新。 费米科技感谢 VNL-ATK 全体中国用户的大力支持,感谢北京大学的吕劲老师课题组为组织本次会议付出了大量的努力;感谢广州五舟科技股份有限公司对会议的赞助。 有关本次会议的照片、报告和其他资料已经上传于费米集合(链接)的VNL-ATK材料与器件模拟平台用户讨论区,欢迎注册、登录费米集合下载。具体方法是: 用学术邮箱注册费米集合(https://www.fermihub.cn/hub),注册之后需要手工批准,请稍等; 登录费米集合,搜索并进入“VNL-ATK材料与器件模拟平台“; 在左侧的“文件“菜单即可下载我们发布的文件。 更多详细情况请咨询费米科技。

【QuantumATK亮点文章】用石墨烯包裹实现二维氮化镓(Nature Materials, 2016)

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Nature Materials 上最新发表了《用石墨烯包裹实现二维氮化镓(Two-dimensional gallium nitride realized via graphene encapsulation)》的文章(DOI:http://dx.doi.org/10.1038/nmat4742 ;原文pdf共享链接)。文中使用ATK-DFT对实验上得到的多层结构进行了模拟,得到了与实验一致的结果。文中使用DFT-D2范德华力泛函(注:QuantumATK最新版现已支持DFT-D3)对结构进行了优化,用GGA进行了结合能的计算,使用MetaGGA进行了精确带隙的计算。作为比较,又使用FHI-aims(注:VNL完整支持FHI-aims计算)进行了HSE06杂化泛函的DOS计算。VNL-GUI图形用户界面则为构建二维材料、设置计算与结果分析提供方便易用的工具。文章对QuantumATK的运用清楚表明了QuantumATK已经成为了成熟的通用材料模拟平台。

VNL-ATK 2016 新版发布

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QuantumWise于7月22日正式发布了2016新版,进一步提升了计算精度、并行效率;发布了全新的分子动力学框架;全新的单边电极的表面模型计算;发布了用于苹果电脑系统的Mac版;改进了License机制,更有效的安排计算。 重要更新功能摘要 新增基组和赝势(SG15):进一步提高 ATK-DFT(GGA)计算的精确度 电子–声子耦合计算更快:原有代码提速约 10 倍,新增近似谱方法更快 电子声子耦合计算支持非共线自旋与自旋轨道耦合 迁移率计算可以得到更多性质:Seebeck 系数、热导率、Hall系数以及Hall电导率张量 多核k点并行默认打开:不用修改输入文件即可实现块体材料计算可以多至几百核并行 改进输入脚本生成器(Scripter) :更方便的实现更多的高级功能 改进 MD/NEB/AKMC 框架:多级别并行,高度灵活的全新计算引擎代码 MD 计算中新的恒压器( Martyna-Tobias-Klein 恒压器) 丰富新颖的作图方法 表面结构模型(单电极模型):不需要片层(slab)模型,采用NEGF方法和物理上更合理的边界条件模拟真实表面 超大规模体系(10000+原子数)DFT计算:基于 PEXSI 求解器实现 新的k格点方案:Gamma–中心的偶数点;透射谱计算中采用规则的取点方式,并包含布里渊区边界 新的 Hubbard+U 方法:按角动量设置赝势投影算符的能量移动(平面波代码中的类似方法) Ozaki 平衡态积分环路:器件平衡态密度矩阵计算十分稳定,尤其是电子能级谱很深的时候 输出冗繁度控制 Mac OS 版本 License 要使用此版本需要 license 支持 16.0(2016版),请检查您的lic文件。 已经购买了 2016 版本需要更换 license 的用户请与我们联系:sales@fermitech.com.cn。 需要购买新版的用户请与我们联系:sales@fermitech.com.cn。 申请试用License 申请免费学术版VNL。 新版的说明文档和教程 英文文档主站:http://docs.quantumwise.com/ 教程:http://docs.quantumwise.com/index.html 说明文档:http://docs.quantumwise.com/index.html 下载最新版 VNL-ATK下载页面 注意 […]

QuantumATK在拓扑绝缘体研究中的应用

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概述 拓扑绝缘体(TI)块体材料本身是具有带隙的普通绝缘体,但是却可以有导电的表面态,并且这种表面态受材料的非平凡拓扑指数保护。拓扑表面态的二维能量-动量关系表现为“狄拉克锥”结构(与二维石墨烯类似),这种奇异的特性未来可能应用在电子器件中。 使用 QuantumATK 可以: 构建 TI 的晶体结构 研究块体的能带结构、态密度 研究表面 Slab 模型的能带和态密度 表面态的深度与分布 计算中考虑非共线自旋和自旋轨道耦合 作出表面态的自旋分辨的费米面,研究费米面上的自旋取向 右图显示了在 NanoLab 中得到的狄拉克锥附近的费米面和自旋取向情况 计算拓扑不变量 研究表面态控制的量子输运情况 最新发表的文章:拓扑绝缘体的表面态与自旋输运性质 右图显示了 Bi2Se3 体系的 slab 模型的表面态以及相关的透射谱。图中也显示了 QuantumATK 和 VASP 对同一体系进行能带计算的结果比较。 【详见:Phys. Rev. B, 92:201406, 2015】 相关实例教程 拓扑绝缘体的能带、态密度、表面态与拓扑不变量 英文教程 自旋输运与自旋电子学系列 英文教程 立即试用 QuantumATK! 下载QuantumATK软件安装包 申请QuantumATK的全功能试用许可 获取永久免费学术版的NanoLab图形界面

【QuantumATK亮点文章】第一原理方法计算电子-声子耦合和电子迁移率

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Synopsys QuantumWise和DTU Nanotech联合发表了题为“第一原理方法计算电子-声子耦合和电子迁移率:在二维材料中的应用”的文章(Phys. Rev. B 93, 035414 (2016))。 文章摘要 “我们采用密度泛函理论计算了n-型单层石墨烯、硅烯和MoS2的声子限制的电子迁移率。包括电子-声子耦合在内的材料的性质都采用第一原理完成。我们详细叙述了归一化的全能带弛豫时间近似与线性的玻尔兹曼方程(BTE)的方法来描述非弹性散射过程。块体电子-声子耦合采用超胞方法计算。这是一种完全的数值方法,因此不需要任何解析方法来处理问题,尤其是可以保留电声耦合和能带的各向异性信息。进一步计算可以得到低场的迁移率及其对载流子浓度和温度的依赖关系,加深对石墨烯、硅烯和单层MoS2材料的电子输运性质的理解。与石墨烯不同,硅烯中的载流子与面外振动模式相互作用很强。我们发现在硅烯面外振动模式的影响被限制接近于零(由于基底的影响,原子固定等类似情况)的情况下,石墨烯中的迁移率比硅烯仍然高出不止一个数量级。而当硅烯的面外振动模式没有限制时,硅烯中的迁移率基本为零。对于MoS2,我们得到的迁移率数值比石墨烯中低几个数量级,这与最近的其他理论计算吻合。模拟结果表明了新实现的基于第一原理和局域基组的BTE方法和模拟可以很好的预测材料的输运性质。” 相关实例教程 迁移率: 使用QuantumATK可以方便的研究: 由DFT方法计算电子布洛赫态和能量、声子模式和能量以及电子-声子耦合等信息使用玻尔兹曼输运方程计算电子迁移率 计算声子态、分析畸变势、电声耦合(右图),并在此基础上计算温度对迁移率的影响 使用大规模MPI并行可以大大减少计算时间   教程链接 更多QuantumATK在半导体材料研究的应用详见【这里】。  

QuantumATK:更强大、更灵活的材料动力学模拟

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概述 动力学模拟是一种重要的原子级模拟方法,通过求解原子运动的经典力学牛顿方程对相空间进行采样,不仅可以研究体系在相空间的演化过程,还可以通过产生的系列结构(系综)通过统计方法得到体系在非零温度下的各种性质。 动力学过程中的原子间相互作用力则可以通过多种方法求得,可以是密度泛函理论,也可以是经验力场。 使用QuantumATK进行材料动力学模拟 可以用多种能量-力计算方法密度泛函理论(DFT-LCAO 和 DFT-PlaneWave):支持几千原子级别超大体系的计算半经验量子力学模型(SemiEmpirical):支持密度泛函紧束缚近似(DFTB)经验力场(Forcefield):支持几百种经验势参数(含ReaxFF)机器学习力场:高效率平衡DFT的精度和力场的速度支持多种系综和理论方法NVE velocity verletNPT with stress maskNPT/NVT(Berendsen)NPT MelchionnaNPT with stress maskLangevin多种方法初始化速度灵活的结构限制固定部分原子分别固定 x、y、z 坐标MD 过程中固定质心限定布拉维格子(可同时设定目标应力)刚性限定原子相对位置关系支持多种动力学方法平衡态分子动力学非平衡态分子动力学(RNEMD)计算热导time-stamped force-bias Monte Carlo长时域的动力学方法Metadyamics(PLUMED):更快的对能量(自由能)面进行采样,获得大范围的结构-能量信息自适应动力学蒙特卡罗方法(adaptive kinetic Monte Carlo):研究结构变化与机理可控制局域温度、设定升温速率所有恒温器、恒压器支持线性升温或降温计算过程中分析Python 脚本支持计算过程中分析或添加其他限制条件部分电荷分析可视化原子速度轨迹或单个结构分析工具(同时支持导入 VASP、LAMMPS 结果分析)径向分布、角分布函数速度自相关函数局域质量密度分布配位数分析均方位移最近邻数中子散射结构因子速度/动能分布局域结构(Voronoi)中心对称性从轨迹计算声子态密度使用脚本可以方便的对超大体系的部分原子进行以上各种分析力学性质力和应力(解析 Hellmann-Feynman)弹性常数(应力-应变曲线)局域应力 QuantumATK:高效的动力学引擎 基于QuantumATK高效的DFT、SE和ForceField计算引擎和MD代码的优化,分子动力学计算速度有明显优势。其中DFT、SE、ForceField均支持MPI大规模并行,并获得极大的速度提升。 基于DFT的MD计算速度测试结果 7056原子的分子动力学(水分子):在64MPI并行时,第一步MD耗时4分钟。 3220原子的分子动力学(硅固体):144MPI进程并行,1步耗时约10分钟。 基于ForceField的MD并行加速测试(1百万SiO2原子) DFT+ForceField混合方法动力学 QuantumATK提供更灵活的分子动力学模拟框架,可以在一个动力学模拟过程中混合使用DFT和ForceField。 图:LiFePO4中Li在外电场下的扩散动力学模拟。考虑电场的同时,DFT的引入可以反映原子电荷在动力学过程中的涨落。 time-stamped force-bias Monte Carlo方法 使用time-stamped force-bias Monte Carlo方法(基于DFT、DFTB、力场)代替普通的分子动力学,可以研究更长时间的平衡、沉积、无定型化、扩散、快速熔化–退火、对罕见事件采样。模拟过程可以恒定温度,也可以是线性升温降温。 与MD类似,但是原子位移使用Monte Carlo方法采样将结构在给定温度下平衡并采样(图:HfO2的fbMC与普通MD的结果比较) 模拟时长可以是传统MD的100倍(图:SiO2 的 800 ps fbMC动力学轨迹分析) 与普通MD混合使用(图:fbMC恒温—fbMC降温—NPT MD恒温) […]

 
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