由陕西省纳米科技学会主办,西安交通大学自旋电子材料与量子器件研究中心和费米科技承办“VNL-ATK材料模拟平台高级课程(2017年西安站)” ,将于2017年05月06-07日(周六日)在西安交通大学兴庆校区举办。本次课程重点介绍VNL-ATK在半导体材料与器件模拟、自旋电子学研究中的应用,费米科技真诚的邀请各位老师和同学共同研讨。费米科技的工程师将现场为您讲解并演示VNL-ATK的新功能,并与您深入地交流、探讨软件的最新应用及技术前景,同时解答您的疑问。
- 时间:05月06日-07日 9:00~12:00 & 14:00~17:00。
- 地点:陕西省西安市咸宁西路28号
- 具体地址: 新材料大楼第一会议室
- 培训费用:免费(食宿交通等费用自理)
- 联系人:石小杰 (13811530064;shi.xiaojie@fermitech.com.cn)
- 主讲人:董栋博士
- 人数限制:100人
课程内容:
第一天上午
专题一:半导体器件体系电子输运模拟
- 器件模型构建、结构优化与性质计算
- 掺杂与栅极的影响
- 非弹性电流计算
专题一相关教程链接:
第一天下午
专题二:半导体材料性质研究
- 块体材料电子态研究
- 能带、态密度、费米面
- 随机合金与有效能带
- 载流子性质研究
- 有效质量分析
- 电声耦合与迁移率
- 表面态研究(传统的Slab模型)
- 分数氢表面钝化 InAs p-i-n结(教程a)
- Ghost atom的应用
- 全新的单边电极(One-probe)模型
- 复数能带简介与应用
- 块材缺陷扩散动力学与 Adaptive Kinetic Monte Carlo 方法简介
专题二相关教程链接:
- 硅单晶中能带与有效质量(教程a,教程b)
- 费米面计算(2017新功能演示)
- InGaAs随机合金的有效能带(教程a)
- Bi2Se3的表面能带(教程a,教程b,one-probe的新实例)
- Si(100)表面复数能带(教程a)
- 迁移率(教程a,教程b)
- 半导体材料中的缺陷扩散(教程a,教程b)
第二天上午
专题三:自旋电子学
- 磁性体系计算简介
- 在ATK中使用自旋轨道耦合(SOC)和 Habbard+U
- 磁性隧道结研究
- 非共线自旋计算与 Spin Transfer Torque
专题三相关教程链接:
第二天下午
上机练习与自由讨论。
本次高级课程主要侧重原理和应用的讲解和演示,因此建议VNL-ATK的初学者请预先熟悉VNL图形界面的基本操作、材料和器件建模计算的基本概念和方法:
衷心感谢广大新老学员的关注和支持!我们欢迎您提出宝贵的意见和建议,便于我们持续提高课程质量,让我们共同进步,期待您的参与!
请填写报名表格,我们会将VNL-ATK软件试用版本、课程资料和实例文件发给您,便于您提前在笔本电脑上安装和尝试。
报名表
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