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    • 弯曲 CrSBr 单层中的自驱动纯自旋光电流地址 嘉会坊 西安 中国 研究背景 在近年来二维材料研究的迅猛发展中,二维磁性半导体因其在自旋电子学和光电子学领域的潜在应用而受到广泛关注。CrSBr 作为一种新兴的二维铁磁材料,兼具层状结构、稳定的磁序和各向异性的电子性质,为实现多功能集成器件提供了理想平台。特别是在无外加电压条件下实现的自驱动光电流效应,能够显著降低器件功耗,是发展新一代低功耗光电器件的重要方向。同时,纯自旋光电流的产生可避免能量损耗与散射限制,有望在自旋输运、信息存储与量子计算等前沿领域发挥关键作用。 然而,在传统二维材料中实现纯自旋光电流面临诸多挑战,如缺乏稳定磁序、对称性抑制光生自旋分离等问题。研究发现,通过施加应变或引入弯曲形变,可以有效打破材料的空间反演对称性,从而诱导内部电场并激发新型光电效应。因此,探索在二维磁性材料中通过弯曲构型实现自驱动且自旋极化的光电响应,具有重要的理论价值与应用前景。该工作正是在这一背景下开展,旨在揭示弯曲 CrSBr 单层中自驱动纯自旋光电流的物理机制,并推动二维材料在低维自旋光电子器件中的应用探索。 [...]
    • 炔烃插入-双金(I)络合物引发金催化机制新思考地址 嘉会坊 西安 中国 背景 过去二十年,金(I)络合物因其优异的 π 活化能力,在均相催化领域大放异彩。特别是在炔烃的活化转化方面,阳离子型金(I)络合物已被广泛应用。然而,中性、配位饱和的金(I)络合物通常被认为催化能力弱、难以实现插入反应等过渡金属常规反应步骤。尽管已有零星研究报道了金(I)–X 键(X 为氢或杂原子)与炔烃发生插入反应,但几乎全部集中在单金属体系,且普遍需要高温或过量底物。近日,西班牙塞维利亚大学 [...]
    • QuantumATK X-2025.06新版发布地址 嘉会坊 西安 中国 DFT-LCAO性能增强 使用 GGA、MetaGGA、Hubbard U 选项的 DFT [...]
    • 打破禁区,首例s区-镧系金属成键配合物问世地址 嘉会坊 西安 中国 研究背景 镧系金属由于其 4f 轨道高度屏蔽、径向扩展性弱,难以与其他原子轨道有效重叠,长期被视为不参与共价成键的“惰性”金属。在多数配合物中,镧系元素仅通过静电作用与配体中的 O 或 [...]
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