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    • 功能化MoS2纳米带在本征冷源晶体管中的应用地址 四川 成都 中国 背景简介 随着电子设备对功耗和性能的要求日益提高,传统的场效应晶体管(FETs)在不断缩小尺寸和提高工作频率的过程中,面临着显著的功耗增加和亚阈值摆幅(SS)限制问题。为了实现更低功耗、更高性能的器件,研究者们开始探索新型材料和结构的设计。二维材料,特别是过渡金属硫化物(TMDs)如MoS2,因其独特的电子性能和可调节的带隙,成为了下一代FET通道材料的重要候选。 然而,尽管二维材料在FET中展现出潜力,它们仍然受到热效应的限制,导致传统FETs在亚阈值区的开关特性不理想,SS无法突破60 mV/decade的热限制。为了解决这一问题,研究者提出了包括隧道FETs(T-FETs)、负电容FETs(NC-FETs)和冷源FETs(CS-FETs)在内的多种新型器件,这些器件通过不同的机制改善了开关特性,从而降低功耗。 本研究通过第一性原理计算,详细探讨了功能化MoS2纳米带在本征冷源场效应晶体管(CS-FETs)中的应用。通过修饰MoS2纳米带表面官能团,研究了不同修饰对FET性能的影响,并发现随着纳米带宽度的增加,SS能够突破热限制,表现出极小的值。该研究为在低功耗、高效能FET设计中应用二维纳米带材料提供了有力的理论支持,推动了下一代电子器件的发展。 研究内容 [...]
    • 自动分割工具加速定制化植入物的设计地址 四川 成都 中国 概述 implantcast GmbH 公司定制植入物的 C-Fit 3D [...]
    • 固定床反应器:基于 CT 研究颗粒尺寸对区域选择的影响地址 四川 成都 中国 概述 甲醇、二甲醚以及硫酸和氨等其他重要化学品主要由固定床化学反应器生产。计算流体动力学(CFD)模型是固定床化学反应器设计、优化和扩大规模的宝贵工具,催化床结构的真实表征和 3D 体积网格质量对于提高 CFD 模拟的准确性至关重要。 [...]
    • 基于 FIB-SEM 研究多孔聚合物薄膜微观结构与力学性能的关系地址 四川 成都 中国 概述 多孔聚合物薄膜由于其制造成本低、结构灵活、容易表面功能化等特点,可广泛应用于选择性吸附剂、电池隔膜、催化剂载体、储能和可生物降解膜等工业领域。提高强度是开发多孔聚合物材料的重要因素,影响产品性能、生命周期和安全问题。为从结构特征角度深入了解多孔聚合物薄膜,本研究基于聚焦离子束扫描电子显微镜(FIB-SEM)图像数据创建三维模型,通过有限元模拟探索薄膜微观结构对单轴拉伸载荷下力学性能的影响。 试样准备与扫描 选取两种聚丙烯(PP)薄膜 A、B,测量计算孔隙率。A 的穿刺强度低于 [...]
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