分子掺杂无序有机半导体器件的三维动力学蒙特卡洛建模

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研究背景 近日,华南师范大学华南先进光电子研究院彩色动态电子纸研究所周国富教授团队刘飞龙副研究员课题组在《Journal of Applied Physics》发表题为“Three-dimensional kinetic Monte Carlo modeling of disordered organic semiconductor devices with molecular doping”的研究论文。该工作面向含分子掺杂注入层的完整有机发光二极管(OLED)器件,系统比较三维动力学蒙特卡洛(3D-KMC)模拟与传统一维漂移-扩散(1D-DD)模型,揭示了离散库仑作用、载流子局域化和能级无序对器件电流、耗尽层及瞬态响应的关键影响,并用统一的微观参数较好复现了实验电流密度-电压特性。 分子掺杂是提升 OLED 性能的重要手段。通过在电极附近引入掺杂注入层,可以促进载流子跨越较大的电极/有机界面能垒,降低器件开启电压并改善电荷注入。然而,无序有机半导体中的载流子并非在连续能带中自由运动,而是在能量无序的局域分子位点之间跳跃;电离掺杂分子还会与载流子发生库仑相互作用,形成整数电荷转移复合物(ICTC)。这些微观效应能否被常用的 1D-DD 连续模型准确描述,是实现 OLED 器件预测性模拟需要回答的关键问题。 研究内容 传统 1D-DD 模型通常把电离掺杂剂简化为空间电荷密度写入泊松方程,具有计算高效、便于开展完整器件模拟等优势,但难以显式描述能级无序、离散跳跃以及载流子-掺杂剂之间的库仑束缚。为此,研究团队采用Bumblebee软件中的3D-KMC 方法,从分子尺度追踪载流子的注入、跳跃、输运与复合,并在参数一致的条件下与 1D-DD 模型进行对照。研究对象由单掺杂层器件进一步扩展到双极性 P-N 结和含掺杂层的多层 OLED,从而把此前针对局部金属/有机界面的认识推进到完整工作器件。 在未掺杂参照器件中,经统一标定后的 1D-DD 模型与 3D-KMC 模拟能够较好吻合;一旦引入分子掺杂,两种方法便在特定条件下出现明显差异。尤其在低掺杂浓度、较高注入势垒和较强库仑作用条件下,1D-DD 会系统性高估器件电流。3D-KMC 结果表明,注入载流子会受到电离掺杂剂的库仑束缚并形成 ICTC,使掺杂层中的有效迁移率下降,而这一离散俘获机制在连续模型中被平均化处理。随着掺杂浓度升高,静电屏蔽增强、移动载流子增多,ICTC 引起的迁移率抑制减弱,分子掺杂可逐步将肖特基型注入接触转变为近欧姆接触。 图1 不同注入势垒、温度和掺杂浓度下的模拟 J-V 特性。实线为 1D-DD 结果,点线为 3D-KMC 结果 载流子空间分布进一步揭示了两类模型差异的来源。在较低注入势垒下,两种方法给出的稳态载流子浓度分布较为接近,电流差异主要来自有效迁移率;在 0.5 eV 的高注入势垒下,1D-DD […]

电子杂化调控稀土RE₂In合金相变性质

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研究背景 相变是凝聚态物理与功能材料领域的核心研究方向,相变性质直接影响材料的应用性能。在新兴的磁制冷技术中,一阶相变伴随潜热、熵变数值大,但普遍存在磁/热滞损耗;二阶相变无滞后、循环稳定性优异,制冷温区更宽,但磁熵变峰值偏低。近年来,科研人员发现在磁制冷材料中引入外来元素,不仅能调节相变温度,在某些情况下甚至还能改变材料本身的相变性质。例如,本征的 Eu2In 铁磁材料发生一阶相变,但当掺杂非磁性 Yb 形成 Eu1.25Yb0.75In 时,相变转变为二阶相变;当两个本身都发生一阶相变的铁磁材料 Pr2In 和 Nd2In 形成 PrNdIn 合金时,竟出现所谓的“边界一阶相变”。针对掺杂改变相变性质的科学问题,现有研究仅聚焦单一母相的本征电子结构,相变性质演化的微观电子起源缺失,从而制约了相变性质的定向设计。南京大学陆海鸣副教授课题组以稀土 RE2In 合金为研究对象,结合第一性原理计算与朗道-金兹堡自由能展开理论,系统探究了相变性质演化的电子起源。以 Yb 掺杂的 Eu2In 体系为模型体系,定量引入模-模耦合系数b作为相变判据(b为负对应一阶相变,b为正则对应二阶相变),通过计算费米能级附近的态密度,揭示驱动相变性质演化的特定位点轨道杂化作用;并借助化学掺杂、静水压双重调控手段验证机制,澄清 PrNdIn “边界一阶相变”的本质为弱一阶相变;最终基于杂化工程理论设计出新型一阶磁制冷材料 ErPrIn,实现了从机理阐释到材料预测的闭环。 研究内容 图 1、Eu2-xYbxIn的无磁态电子结构与模-模耦合系数。(a)Eu2In、(b)Eu1.75Yb0.25In、(c)Eu1.50Yb0.50In、(d)Eu1.25Yb0.75In在费米能级附近的总态密度、和(e)模-模耦合系数随Yb掺杂浓度的变化关系 Eu2In 金属间化合物因兼具巨磁热效应、低热磁滞后等优势,成为理想的磁制冷材料。其具有正交 Co2Si 型结构,存在两种不等价的 Eu 位点——Eu-I 和 Eu-II。由于 Yb 掺杂的 Eu2In 体系有充足的相变性质演变的实验数据可供参考,作者选取 Eu2-xYbxIn(x 为 Yb 掺杂浓度)作为模型体系。通过第一性原理计算,发现当Yb 逐渐替代 Eu 时,Yb 优先占据与 In 键合更强的 Eu-II 位点。通过计算不同 Yb 浓度下 Eu2-xYbxIn 的无磁态电子结构与模-模耦合系数 b(图 […]

从单轴到双轴:电势驱动下 IrN₄ 活性位点配位构型的动态演变与 C-N 偶联前体锁定(Nano Research 2026)

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研究背景 甲烷(CH4)作为天然气的主要成分,是极其丰富的碳基资源。然而,由于甲烷具有极其牢固的 C-H 键(键能高)以及非极性特征,其在温和条件下的选择性活化与高值化利用一直是化学与催化领域极具挑战性的科学难题。传统的甲烷转化工艺往往依赖于高温高压的蒸汽重整或甲醇中介胺化,不仅能量消耗巨大,且伴随着极低的碳利用效率与显著的温室气体排放。近年来,电化学甲烷活化技术重塑了这一领域,实验研究已证实可在温和条件下实现甲烷的氨化反应生成甲胺,但微观反应机理尚不明确,且传统氧化物催化剂的活性位点结构复杂,深层反应机制与选择性调控规律仍不清晰。石墨烯负载的氮掺杂碳单原子催化剂(M-N-C)凭借其明确且可调控的活性中心,成为阐明反应机理的理想平台。其中,具备 IrN4 活性中心的 Ir-N-C 单原子催化剂因 5d 过渡金属 Ir 具备空间延伸且能量灵活的 d 轨道,且对氧亲和力相对较弱,在选择性活化甲烷及抑制析氧副反应(OER)方面展现出独特潜力。基于此,清华大学化学系肖海教授团队在期刊《Nano Research》上发表了题为“Potential-induced bis-axial coordination in Ir-N-C single-atom catalyst delivers selective C-N coupling for efficient methane amination”的最新研究论文。作者采用巨正则系综密度泛函理论(GCE-DFT)结合周期性能量分解分析(PEDA/EDA-NOCV)及活化应变模型(ASM),系统揭示了阳极电势下 IrN4 单原子活性位点的轴向配位动态演变机制及其对 C-N 偶联选择性的调控本质。 研究内容 作者利用恒定电位下的巨正则系综密度泛函理论(grand-canonical ensemble density functional theory, GCE-DFT)计算,系统解析了工况条件下 IrN4 活性中心随电势和 pH 变化的结构演化规律(图1)。在 U = 1.20 V v.s. RHE 和 pH = 10 的典型阳极环境中,IrN4 位点展现出独特的化学选择性:CH4 优先吸附活化脱氢生成单轴配位的 *CH3 […]

QuantumATK 低维电子材料与器件合集(九)

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铁电调控能带排列增强 BAs/In2S3 铁电隧道结的隧穿电阻 本研究设计了基于 BAs/In2S3 范德华异质结构的二维铁电隧道结,并研究其输运特性。在低偏压下,不同极化态的电流幅值存在显著差异,产生高达 108% 的巨大隧穿电阻(TER)比。投影能带分析表明,铁电极化反转使能带排列由 III 型转变为 I 型。进一步分析发现,极化反转改变了总电荷转移,并相应调节 BAs 与 In2S3 层中费米能级的位置,进而导致金属态与半导体态之间的转变,实现高 TER 比。结果显示,这类高性能二维铁电隧道结在非易失存储器和铁电场效应晶体管中具有重要应用潜力。(Computational Materials Science, 2025, 253: 113823. DOI: 10.1016/j.commatsci.2025.113823.) 双层 GaN 纳米片:面向下一代晶体管的潜在沟道材料 氮化镓(GaN)是一种很有前景的第三代半导体,氢钝化翘曲双层 GaN 具有独特的电子特性。本研究利用第一性原理量子输运模拟评估栅长为 5 nm 的双层 GaN 金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)。器件性能对电极掺杂浓度和欠叠长度高度敏感。优化后的 n 型/p 型器件在低功耗应用中的导通电流分别为 1059/689 μA/μm,在高性能应用中分别为 2037/1247 μA/μm;对应延迟时间分别为 0.053/0.078 ps 和 0.047/0.073 ps,功耗分别为 0.033/0.032 fJ/μm 和 0.057/0.054 fJ/μm。这些指标超过 IRDS 对“5 Å 等效节点”的目标。在相同工作条件下,双层 GaN MOSFET 的导通电流优于单层 MoS2、InSe、InP、硅烯和锗烷。总体而言,双层 […]

面外极化增强的亚 5 nm Janus MoSiGeN4 场效应晶体管设计

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研究背景 随着晶体管栅长缩小到亚 10 nm,传统硅基场效应晶体管不可避免地受到短沟道效应限制,难以同时满足高性能(HP)和低功耗(LP)应用需求。二维半导体具有原子级厚度和无悬挂键表面,有利于增强栅控能力、抑制短沟道效应,因此成为后硅时代超短沟道晶体管的重要候选材料。本研究以 Janus MoSiGeN4 单层为沟道材料,利用 QuantumATK 中基于密度泛函理论的非平衡格林函数方法(DFT-NEGF)系统研究亚 5 nm FET 的工作机理、性能极限和优化策略,重点揭示内禀面外极化场在增强器件性能中的作用。 研究内容 研究首先比较了非极性二维半导体和极性 Janus 二维半导体在短沟道 FET 中的差异。对于 MoSi2N4、MoGe2N4 等非极性材料,上下表面对称,顶栅和底栅器件在零偏压和零栅压下具有相同电子势垒。相比之下,Janus MoSiGeN4 由于结构反演对称性破缺,形成面外极化,使顶栅和底栅器件具有不同势垒,从而为提高开态电流和改善亚阈值特性提供可能。 图 1.(a)基于“非极性”和“极性”二维半导体的场效应晶体管(FET)示意图。非极性(b1–d1)和极性(b2–d2)二维半导体的几何结构、有效势能及静电势差,分别以 MoSi2N4/MoGe2N4 和 MoSiGeN4 表示。在零偏压和栅极电压下,(e1)MoSi2N4 和(e2)MoSiGeN4 基 FET 的顶栅(Φe(TG))与底栅(Φe(BG))电子势垒。(f1)MoSi2N4 和(f2)MoSiGeN4 基 FET 的亚阈值斜率(SS)。 随后分析 MoSi2N4、MoSiGeN4 和 MoGe2N4 三种单层材料的几何结构和电子结构。计算结果表明,Janus MoSiGeN4 是稳定半导体,带隙约为 1.31 eV,介于 MoSi2N4(1.81 eV)和 MoGe2N4(1.02 eV)之间。由于面外电势不对称,MoSiGeN4 中存在从 Si 原子层指向 Ge 原子层的极化方向。在器件性能方面,构建以 MoSiGeN4 为沟道的双栅 FET,并与 MoSi2N4、MoGe2N4 器件进行对比。结果显示,7 nm 栅长 MoSiGeN4 FET 的开态电流达到 1030 μA/μm,更接近 HP 标准;5 nm 栅长器件开态电流达到 1015 μA/μm,超过 HP 标准约 12.8%。同时,MoSiGeN4 器件的亚阈值摆幅优于对照材料,说明面外极化有助于提高栅控效率。 图 2. 单层(a)MoSi2N4、(b)MoSiGeN4 和(c)MoGe2N4 的顶视图、侧视图及能带结构,虚线标记的菱形代表晶胞。(d)双栅极场效应晶体管的示意图。(e)7 nm 和(f)5 nm 栅长 MoSi2N4/MoSiGeN4 和 […]

Cl©Zn6O6−:首个平面六配位氯超卤素,兼具超强稳定性与独特电子结构

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研究背景 探索平面超配位及非常规键合模式,在半个多世纪以来不断挑战着经典化学键理论的边界。自 1968 年 Monkhorst 提出平面四配位碳的设想以来,该领域已从碳元素逐步拓展至硼等其他主族及过渡金属等诸多元素。然而,卤素因极高的电负性和局域轨道特性,难以实现有效的电子离域,一直被视为平面超配位设计的难题,直至近年才相继实现了平面四配位和五配位卤素结构的突破。面对能否将这一理论极限延伸至六配位结构的科学疑问,近日,Gabriel Merino 教授团队在 Chemical Science 期刊发表了题为“Planar hexacoordinate chlorine”的研究论文,报道了首个设计成功的热力学稳定平面六配位氯团簇。这不仅证实了平面六配位卤素的可行性,更将其与超卤素化学相结合,为主族元素化学研究提供了全新的设计思路。 研究内容 通过理论计算确立了Cl©Zn6O6−(1)的几何构型,其呈现出完美的 D6h 星型对称结构,中心氯原子被六个锌原子和六个氧原子包围。该结构在所有测试理论水平下均无虚频,确证为真正的能量极小点。键长与 Wiberg 键级(Wiberg bond indices, WBIs)分析表明,Cl–Zn 键长(2.94 Å)远长于标准共价单键,且键级仅为 0.08。自然布居分析(natural population analysis, NPA)揭示了独特的“负-正-负”电荷分布模式(Cl: −0.76; Zn: +1.39; O: −1.43 |e|),表明该结构具有一个稳定的平面核-壳(planar core–shell assembly)组装体[Cl−]©[Zn6O6] (图1)。这种特殊的静电环境有效缓解了 Zn6O6 环内的排斥力,使得 Cl− 的插入反应释放出高达 -70.5 kcal/mol 的能量,证明了其极强的热力学稳定性。进一步的研究发现,中心原子与配体环的尺寸匹配是实现稳定的平面六配位的关键:F 原子因半径过小、而 Br 原子因半径过大均导致结构存在虚频而无法稳定存在,唯有 Cl 原子与刚性 Zn6O6 环完美契合。动力学模拟(Born–Oppenheimer molecular dynamics, BOMD)结果显示,该团簇在高达 900 K […]

Janus MoSi2N2P2 单层在纳米器件和光电晶体管中的应用

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研究背景 二维 MA2Z4 材料因具有优异的热稳定性、力学稳定性、可调电子结构和较高载流子迁移率,已成为低维电子学和光电子学中的重要候选体系。Janus 结构通过在材料上下表面引入不同原子层,打破面外对称性,为调控能带、极化、输运和光响应提供了新的自由度。此前 Janus MoSi2N2P2 的稳定性和光学性质已有理论预测,但其电子输运、场效应调控和光电响应等器件行为仍需进一步阐明。 研究内容 该研究首先构建了 α1 和 α2 相的 MoSi2N2P2、Mo(SiNP)2-A 和 Mo(SiNP)2-B 单层,并对其进行结构优化。声子谱、AIMD 热稳定性和弹性常数计算表明,这些二维单层具有良好的结构稳定性、热稳定性和力学稳定性。其中 MoSi2N2P2 单层兼具较好的柔性和尺寸稳定性,适合进一步用于柔性、超薄纳米电子器件的设计。 图 1. α1 和 α2 相的 MoSi2N2P2、Mo(SiNP)2-A 和 Mo(SiNP)2-B 单层的俯视图和侧视图(不同颜色小球分别表示 Mo、Si、N 和 P 原子) 在电子结构方面,能带和态密度结果显示,MoSi2N2P2 单层具有较窄带隙,有利于低电压下载流子注入和调制。进一步计算载流子迁移率,发现 Janus MoSi2N2P2 在 x 方向的迁移率高于 y 方向;其中 α1 相在 x 方向的载流子迁移率相较 MoSi2N4 有明显提升,并可与 MoSi2P4 的性能相媲美。 图 2. MoSi2N4、MoSi2P4 以及不同 Janus MoSi2N2P2 相关单层的投影能带结构和态密度。 随后,构建基于 Janus MoSi2N2P2 的 p-n 结二极管,并分别考察 zigzag 与 armchair 方向的电子输运特性。结果表明,该类器件具有明显整流效应;其中 α1 相 Z-type p-n 结在中等掺杂浓度下峰值电流密度达到 270.37 mA/mm2,并表现出负微分电阻现象,显示其在低维整流器和多值逻辑器件中的应用潜力。 […]

QuantumATK 低维电子材料与器件合集(八)

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Cs3Cu2I5 中双功能氨基酸的烷基链工程实现优异的光电性能 无铅的 Cs3Cu2I5 钙钛矿具有低维结构和自捕获激子发射的特点,在可持续光电子学方面具有重要的前景。虽然机械球磨有环境友好和可扩展的优势,但合成 Cs3Cu2I5 的光电性能往往受到铣削过程中引起的晶格畸变、表面缺陷和颗粒团聚的限制。为了克服这些挑战,通过理论计算和实验验证相结合的方法,提出一种基于氨基酸的烷基链工程钝化策略。密度泛函理论表明,多功能氨基酸和烷基链协同钝化了 Cs3Cu2I5 表面缺乏配位的 Cu+ 和易于产生深层次缺陷的碘空位。有趣的是,延长的烷基链显著增强了改性效果。随后的实验和计算进一步证实,较长的烷基链通过氢键网络、位阻和内部电场与多个官能团相互作用,有效增强了光致发光、延长载流子寿命、抑制聚集、提高晶粒致密性。值得强调的是,5 – AVA 修饰的 Cs3Cu2I5 获得 75.6% 的 PLQY(增强 56.8%),延长了 12.6% 的载流子寿命,并显著增强紫外区光响应。此外,用这种分子工程绿色钙钛矿制作的光电探测器在 PDRC 和开关比方面分别提高了近 4 倍和 171%。这种理论指导的烷基链工程分子协同多官能团钝化策略为绿色合成光电性能优越、环保无铅的铜基钙钛矿建立了强大的框架。(Journal of Materials Chemistry C, 2025, 46: 23134-23148. DOI:10.1039/D5TC02973B)  单层 1T’ ZrCl2 中的铁弹性相变调制电子传输和光电特性 单层 1T’ ZrCl2 具有独特的铁弹性行为,具有三种结构不同的变体(O1、O2、O3),为下一代纳米电子和光电子器件提供了潜力。本文研究了 O1 和 O3 变体的电子输运和光电子性质,其中 O3 由于其结构对称而成为 O2 和 O3 的代表。第一性原理计算和非平衡格林函数分析表明,O1 变异体具有优异的电子特性,包括高电子迁移率(1.44 × 104 cm2/V·s)和大电流开关比(106),而 O3 变异体在两个晶体学方向上都表现出高导电性。光电性能方面,O1 变体具有较强的各向异性,最大光电流密度为 6.57 μA/mm2,光响应率为 0.37 A/W,沿 a 方向的外量子效率为 41.08%,优于许多二维材料,而沿 b 方向的响应可以忽略不计。相比之下,O3 变体表现出更平衡的光响应,在两个方向上具有相当的性能。这些发现为铁弹性二维材料的结构-性能关系提供了见解,并为开发基于相变的多功能器件铺平了道路,这些器件可用于信息处理、能量转换和传感。(Physical Chemistry Chemical Physics, 2024, 3: 1648-1660. DOI:10.1039/D4CP04315D) 二维 Si2Te2 单层及 Si2Te2/Sb2Te3 异质结:有前景的红外光电探测器材料 近年来,基于硅的二维材料(如 Si2Te2 单层和 Si2Te2/Sb2Te3 范德华(vdW)异质结)的实验实现,因其具有窄带隙特性而被广泛应用于光电设备中,这对红外(IR)光谱范围至关重要。本文基于密度泛函理论计算和非平衡格林函数模拟,系统研究了 Si2Te2 单层及 Si2Te2/Sb2Te3 vdW 异质结的光电性能,揭示 Si2Te2/Sb2Te3 vdW 异质结的堆叠构型、化学键合特征及电子结构。此外,p-i-n 结的模拟结果表明,Si2Te2 单层在中红外区域实现了高达 0.64 A W-1 的最大光响应率,同时保持良好的光电流密度。值得注意的是,基于 Si2Te2/Sb2Te3 vdW 异质结的 p-i-n 结在近红外区域达到了显著的最高光电流密度 27.33 A m-2 和 1.24 A W-1 的光响应率。这项工作有望为利用基于 Si2Te2 的二维材料设计高性能红外光电探测器提供宝贵的见解。(Journal of Materials Chemistry C, 2025, 30: 15372-15383. DOI:10.1039/D5TC01609F) 二维 Bi2O2S 中的线缺陷强红外区域光电流 二维 Bi2O2S 是近年来实验合成的一种离子层状材料,本研究结合密度泛函理论和非平衡格林函数方法,研究了二维 Bi2O2S 中吸附型、空位型、反位型和交换型线缺陷的结构、电子和光电性质。结果表明,吸附型线缺陷能增强二维 Bi2O2S 的热力学稳定性,而空位型和交换型线缺陷则会削弱其热力学稳定性。然而,反位型线缺陷具有复杂的热力学行为。线缺陷通常会对二维 Bi2O2S 的空穴有效质量产生巨大影响,并观察到线缺陷诱导的金属化现象或可调带隙。此外,线缺陷在可见光区具有丰富的光电子特性,在紫外区则抑制光电流。特别的是,在红外区域发现了增强的光电流。(Journal of Materials Chemistry C, 2024, […]

对称性感知生成发现新型反铁磁材料

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研究背景 自旋电子学通过利用电子自旋而不仅是电荷来存储和处理信息。当前磁随机存储器等器件大多依赖铁磁体的宏观磁矩进行读写,但铁磁体容易受到外部磁场干扰,并会产生杂散场,限制器件高密度集成。反铁磁体(AFMs)中相邻自旋反向排列,净磁矩为零,因此天然具备抗磁场干扰、低杂散场和太赫兹尺度超快磁动力学等优势。 然而,判定一个材料是否具有反铁磁基态,并非仅由化学组成决定。在高对称性的磁性晶体结构中,位于不同空间格点的磁性原子,其自旋构型可能更容易满足空间反演和时间反演的联合对称性。这种对称性将导致自旋向上与自旋向下的能带完全简并,从而形成反铁磁序。因此,反铁磁材料的发现本质上是一个多维度问题,需要同时兼顾化学空间的广度、几何结构的合理性以及晶体对称性等多重约束。 近年来,深度生成模型在晶体逆向设计中展现出巨大潜力1-4。但现有生成模型普遍缺乏对晶体对称性的显式编码,导致其生成高对称结构的效率偏低3,4,往往更倾向于产生低对称性乃至 P1 空间群的结构,难以系统地探索反铁磁材料更可能涌现的高对称空间。 研究内容 杭州电子科技大学张正明副教授等人提出了一种名为SG‑CDVAE的生成框架。他们将晶体对称性这一关键物理信息嵌入到生成模型架构中,从而实现对高对称反铁磁材料的定向设计。SG-CDVAE 以 CDVAE 为基础,同时编码晶体几何结构和空间群仿射矩阵:通过周期图神经网络编码器提取几何隐变量 zgeo,通过二维卷积编码器提取对称性隐变量 zsg,两者拼接后形成融合几何与对称信息的完整隐变量 z。在训练阶段,模型一方面用  z 预测组成、晶格和原子数,另一方面用 zgeo 预测空间群编号;扩散解码器则在 z 条件下对加入噪声的原子坐标和原子类型进行去噪,重构晶体结构。这样做的目标是让隐空间不只学到局部几何,还能学习全局对称性。在生成阶段,引入了匹配采样(matched sampling)策略。首先随机采样 zgeo,预测其对应的空间群及仿射矩阵,再编码得到匹配的 zsg,从而确保生成的晶体结构在初始时就具有较高的对称性。对比实验表明, SG‑CDVAE生成的高对称结构(空间群编号 SG ≥ 25)比例达 19.62%,远高于原始 CDVAE(3.85%)。 图1. SG-CDVAE 同时编码晶体几何与空间群仿射矩阵,并通过匹配采样生成高对称结构 图2. SG-CDVAE显著提升空间群SG >= 25 高对称结构生成比例,并给出不同晶系分布 为快速评估生成晶体的稳定性和磁性,构建了基于 CHGNet5 的高通量筛选流程。首先,用 SG-CDVAE 大量生成晶体结构;然后保留磁性原子数为偶数的结构,这是因为补偿反铁磁序通常需要成对的磁性原子格点;接着使用 CHGNet 快速弛豫晶格和原子位置,并保留形成能 FE < 0 eV/atom 的结构。磁性判断采用两级分类器区分磁有序/非磁,以及反铁磁/铁磁/亚铁磁。最终筛出 80 个 SG >= 25 的高对称反铁磁候选。 图3. 基于 MLIP 的高通量AFM筛选工作流程 […]

原位聚合限域实现高效蓝光钙钛矿 LED(Nature 2026)

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本文使用元宝 Hy3 preview 模型总结归纳 。 摘要 金属卤化物钙钛矿因其优异的光致发光特性,已成为颇具前景的发光二极管半导体材料。然而,其性能仍受限于在衬底上原位合成钙钛矿纳米晶过程中“高结晶度”与“小尺寸”之间的固有矛盾。本文报道了通过原位聚合驱动的纳米晶限域策略,合成了由高质量纳米晶组成的钙钛矿薄膜,从而实现了高效的蓝色钙钛矿发光二极管。原位形成的聚合物网络在钙钛矿纳米晶生长过程中施加了纳米尺度的空间限域作用,使纳米晶兼具小尺寸和 83% 的高光致发光量子产率。此外,具有足够配位位点的可聚合单体延长了钙钛矿团簇的晶格重排时间,从而提升了纳米晶的结晶度。所合成的钙钛矿纳米晶用于制备发光二极管后,在 491 纳米波长处实现了 21.8% 的外量子效率,这是蓝色钙钛矿发光二极管中最高性能之一。该工作同时调控了钙钛矿结晶的热力学过程与有机配体反应,有助于深入理解配体工程对纳米晶合成的影响,从而推动高效钙钛矿发光二极管及其他光电器件技术的发展。 一、科学问题与策略设计 传统原位合成要么得到微米级大晶粒(高结晶但辐射复合弱),要么得到缺陷多、低结晶的小纳米晶。作者提出用含不饱和乙烯基+多配位醚/羰基的丙烯酸酯单体(如 P-MOA、OEGA、MPEG-MAA)作为可聚合配体: 单体与Pb²⁺/Br⁻配位,延缓初期簇聚集、延长晶格弛豫时间→提高结晶度 热引发(AIBN)在退火中原位自由基聚合形成POEGA网络,空间限域抑制过度生长→晶粒降至~11 nm(最优OEGA 1 wt% vs PbBr₂) 短链非聚合配体(N-MOA、DMM)或预成高分子(MPEG、PAA)均无法实现同等协同效果,证实原位聚合是关键 筛选发现 OEGA(Mn≈480)平衡了聚合速率与配位能力最佳:太小(P-MOA)限域不足,太大(Mₙ=5000)自聚集致尺寸不均。 二、结构、光学与器件性能 相变:受限纳米晶室温稳定为立方相(Pm 3 m),原样为正交相(Pnma),XRD 与 HRTEM-FFT 证实。尺寸效应+表面 OEGA 配位使立方相比表面积能最低,降低正交→立方相变临界温度。 电子–声子耦合减弱:变温 PL 拟合 LO 声子耦合强度 γ_LO 从 228→115.5 meV,E_LO从39.2→28.7 meV;低频 Raman 八面体畸变峰消失 → 非辐射复合被抑制。 PLQY 达 83%,寿命从 7.5 ns 延至 15.2 ns(OEGA)及 […]

 
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    费米科技以促进工业级模拟与仿真的应用为宗旨,致力于推广基于原子级别模拟技术和基于图像模型的仿真技术,为学术和工业研究机构提供研发咨询、软件部署、技术攻关等全方位的服务。费米科技提供的模拟方案具有面向应用、模型新颖、功能丰富、计算高效、简单易用的特点,已经服务于众多的学术和工业用户。

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