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  • 面向亚 5 nm MOSFET 的 Si 兼容高性能二维纳电子器件地址 福建师范大学 福州 中国 研究背景 随着集成电路器件尺寸持续向亚 5 nm 尺度推进,传统硅基 MOSFET 在短沟道效应、量子隧穿及功耗控制等方面面临严重瓶颈,难以满足未来高性能与低功耗芯片的发展需求。如何在极限尺度下实现高驱动电流、低泄漏及良好的栅控能力,并能够与现有硅基工艺相兼容,有效利用现有器件制造技术,成为下一代晶体管研究和应用亟须解决的关键问题。 研究内容 该研究针对超短沟道 MOSFET 性能提升这一核心问题,基于一类具有硅基工艺高度兼容性的二维单层材料 MNH2(M N [...]
  • 基于统计形状模型的成人二尖瓣形态变异地址 福建师范大学 福州 中国 概述 二尖瓣反流(MR)影响着全球超过 2400 万人,是发病和死亡的主要原因之一。若不及时治疗,可能会进展为心房颤动、肺动脉高压,最终导致心力衰竭。经导管二尖瓣置换术(TMVR)因二尖瓣解剖结构的复杂性和高度变异性而面临独特挑战。为确保手术成功,TMVR 器械必须实现安全锚定、有效封堵和左心室流出通畅。然而,目前的临床前设计范式因对人群水平的二尖瓣解剖变异性认识不足而受到阻碍。 统计形状模型(SSM)为量化解剖结构变异性和构建具有代表性的 [...]
  • 铜/银立方八面体团簇对卤素阴离子的封装机制及光电性质调控地址 福建师范大学 福州 中国 研究背景 在纳米材料科学的前沿领域,原子级精确的贵金属分子团簇因其卓越的稳定性和明确的结构,被视为构建新型功能材料的理想基石。通过引入阴离子作为模板剂,引导金属纳米团簇形成独特的笼状空间构型,并以此为平台深入探究“结构-性能关系”。然而,相比于研究较深入的金纳米团簇,铜与银团簇,尤其在阴离子封装特性上的对比研究仍显不足。近日,知名学者 Alvaro Muñoz-Castro 在无机化学领域权威期刊 Inorganic [...]
  • 突破传统:单离子源策略实现铁(I)配合物的温和高效合成地址 福建师范大学 福州 中国 研究背景 寻找对现有试剂的低成本、低毒的替代品,一直是均相催化领域的核心诉求。近年来,利用地壳富含的铁元素构建催化剂来取代昂贵且不可持续的贵金属元素,已成为该领域的研究热点。其中,一价铁(Fe(I))分子配合物更是在诸多工业催化反应中展现出优异的催化性能。然而,性能优势的背后暗藏不可忽视的瓶颈。与第9、10族贵金属催化剂不同,低价铁面临着一个致命缺陷——缺乏化学性质稳定的起始物料。传统合成方法只能高度依赖钾石墨(KC8)或格氏试剂(RMgX)等强还原剂,对二价或三价铁前驱体进行原位还原。这不仅导致催化体系结构不明确,还极大地限制了反应的官能团兼容性。尽管此前学界曾尝试通过氧化铁羰基化合物或高价铁化合物还原法制备双夹心铁芳烃配合物,但往往因发生歧化反应难以分离得到纯净产物,最终功亏一篑。针对这一痛点,Oliver P. E. Townrow 等人在国际顶尖化学期刊 [...]
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