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- QuantumATK在自旋热电子学研究中的应用地址 西安交通大学主楼B-102 西安 中国 概述 自旋电子学是关于凝聚态物质和器件中的电子自旋和电荷如何耦合输运的。最近活跃的自旋热电子学领域主要关注自旋与热流的相互作用，目标是新发现的物理效应和改进现有热电器件的策略，以便在热传感器和废热回收装置中获得应用。已知的现象要么被归类为金属中的独立电子效应（如自旋相关的塞贝克效应），可以通过两个具有不同热电性质的平行自旋传输通道模型来理解，要么被归类为也存在于绝缘铁磁体中的由自旋波引起的集体效应（如自旋塞贝克效应）。QuantumATK中完善的器件模型、自旋相关以及电声耦合等方面的方法在这类体系和现象研究中有独特优势。 界面电荷转移掺杂对黑磷烯-F4TCNQ纳米器件热电输运性能的影响 利用基于第一性原理的密度泛函理论（DFT）结合非平衡格林函数（NEGF）方法，系统的研究了扶手椅型和锯齿型黑磷纳米带（APNR 和 ZPNR）的热电输运特性，以及 [...]
- 基于CrI3的磁隧穿结中磁阻的层数依赖行为【QuantumATK亮点文章】地址 西安交通大学主楼B-102 西安 中国 简介 磁隧穿结广泛应用于磁头、磁随机存储器等自旋电子学器件中，其磁电阻大小直接决定了器件的存储密度大小。基于二维磁性材料的磁隧穿结相比于传统的基于块体的磁隧穿结，由于具有表面平整无悬挂键等优点，在磁电阻上表现出明显的优势。目前实验上已经在以 2 层、3 层，4 层和 [...]
- 文献重现：锌酞菁的基态与激发态计算（第二部分）地址 西安交通大学主楼B-102 西安 中国 参考文献：Ground and Excited States of Zinc [...]
- QuantumATK亮点文章：具有可调载流子输运和电子特性以及高电流开关比的二维GeC2地址 西安交通大学主楼B-102 西安 中国 概述 二维材料中大部分都具有优异的电学和光学性能，这使得它们在纳米电子学、光电子学和热电学等各种各样的应用场景下具有很大的潜力，但是性能仍然需要优化。例如，硅烯和锗带隙太小（带隙值<0.1 eV）难以实现晶体管的电流开关。MoS2 具有理想的带隙，但其较低的迁移率限制了其在某些器件中的应用。磷烯不仅具有理想的带隙，而且拥有高各向异性载流子迁移率，但其在空气中易氧化的特性是器件应用中的主要限制。 研究者仍需继续努力探索具有合适带隙、高载流子迁移率和高稳定性的新型二维半导体材料，并通过应变工程、多层堆叠等技术来改善现有二维半导体材料的电子特性。应变工程是调整二维材料电子特性的一种常用技术，因为二维材料本身可以承受比其块体材料更大的机械应变，这就拓宽了它们在纳米电子和光电器件中的应用。多层堆叠是调节二维材料特性的另一种策略，可以产生新的电子器件，因为许多二维材料的带隙大小变化很大程度上取决于层数。 在众多电子器件中，具有负微分电导效应的二维材料非常受欢迎。目前，大多数具有负微分电导效应的二维材料主要还是范德华异质结。然而，由于异质结的层间隧穿效率有限，想要实现高峰值电流仍然面临诸多挑战。因此，能产生负微分电导效应的单层二维材料也是有前途的。常州大学徐月华副教授课题组和美国内布拉斯加州立大学林肯分校的 [...]
- 分子掺杂无序有机半导体器件的三维动力学蒙特卡洛建模地址 西安交通大学主楼B-102 西安 中国 研究背景 近日，华南师范大学华南先进光电子研究院彩色动态电子纸研究所周国富教授团队刘飞龙副研究员课题组在《Journal of Applied Physics》发表题为“Three-dimensional kinetic [...]
- 电子杂化调控稀土RE₂In合金相变性质地址 西安交通大学主楼B-102 西安 中国 研究背景 相变是凝聚态物理与功能材料领域的核心研究方向，相变性质直接影响材料的应用性能。在新兴的磁制冷技术中，一阶相变伴随潜热、熵变数值大，但普遍存在磁/热滞损耗；二阶相变无滞后、循环稳定性优异，制冷温区更宽，但磁熵变峰值偏低。近年来，科研人员发现在磁制冷材料中引入外来元素，不仅能调节相变温度，在某些情况下甚至还能改变材料本身的相变性质。例如，本征的 Eu2In 铁磁材料发生一阶相变，但当掺杂非磁性 Yb 形成 [...]
- 从单轴到双轴：电势驱动下 IrN₄ 活性位点配位构型的动态演变与 C-N 偶联前体锁定(Nano Research 2026)地址 西安交通大学主楼B-102 西安 中国 研究背景 甲烷（CH4）作为天然气的主要成分，是极其丰富的碳基资源。然而，由于甲烷具有极其牢固的 C-H 键（键能高）以及非极性特征，其在温和条件下的选择性活化与高值化利用一直是化学与催化领域极具挑战性的科学难题。传统的甲烷转化工艺往往依赖于高温高压的蒸汽重整或甲醇中介胺化，不仅能量消耗巨大，且伴随着极低的碳利用效率与显著的温室气体排放。近年来，电化学甲烷活化技术重塑了这一领域，实验研究已证实可在温和条件下实现甲烷的氨化反应生成甲胺，但微观反应机理尚不明确，且传统氧化物催化剂的活性位点结构复杂，深层反应机制与选择性调控规律仍不清晰。石墨烯负载的氮掺杂碳单原子催化剂（M-N-C）凭借其明确且可调控的活性中心，成为阐明反应机理的理想平台。其中，具备 IrN4 活性中心的 Ir-N-C [...]
- QuantumATK 低维电子材料与器件合集（九）地址 西安交通大学主楼B-102 西安 中国 铁电调控能带排列增强 BAs/In2S3 铁电隧道结的隧穿电阻 本研究设计了基于 BAs/In2S3 范德华异质结构的二维铁电隧道结，并研究其输运特性。在低偏压下，不同极化态的电流幅值存在显著差异，产生高达 108% 的巨大隧穿电阻（TER）比。投影能带分析表明，铁电极化反转使能带排列由 [...]
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- 分子掺杂无序有机半导体器件的三维动力学蒙特卡洛建模 2026年8月10日
- 电子杂化调控稀土RE₂In合金相变性质 2026年8月6日
- 从单轴到双轴：电势驱动下 IrN₄ 活性位点配位构型的动态演变与 C-N 偶联前体锁定(Nano Research 2026) 2026年7月30日
- QuantumATK 低维电子材料与器件合集（九） 2026年7月25日
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