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- QuantumATK在自旋热电子学研究中的应用地址 西安交通大学主楼B-102 西安 中国 概述 自旋电子学是关于凝聚态物质和器件中的电子自旋和电荷如何耦合输运的。最近活跃的自旋热电子学领域主要关注自旋与热流的相互作用，目标是新发现的物理效应和改进现有热电器件的策略，以便在热传感器和废热回收装置中获得应用。已知的现象要么被归类为金属中的独立电子效应（如自旋相关的塞贝克效应），可以通过两个具有不同热电性质的平行自旋传输通道模型来理解，要么被归类为也存在于绝缘铁磁体中的由自旋波引起的集体效应（如自旋塞贝克效应）。QuantumATK中完善的器件模型、自旋相关以及电声耦合等方面的方法在这类体系和现象研究中有独特优势。 界面电荷转移掺杂对黑磷烯-F4TCNQ纳米器件热电输运性能的影响 利用基于第一性原理的密度泛函理论（DFT）结合非平衡格林函数（NEGF）方法，系统的研究了扶手椅型和锯齿型黑磷纳米带（APNR 和 ZPNR）的热电输运特性，以及 [...]
- 基于CrI3的磁隧穿结中磁阻的层数依赖行为【QuantumATK亮点文章】地址 西安交通大学主楼B-102 西安 中国 简介 磁隧穿结广泛应用于磁头、磁随机存储器等自旋电子学器件中，其磁电阻大小直接决定了器件的存储密度大小。基于二维磁性材料的磁隧穿结相比于传统的基于块体的磁隧穿结，由于具有表面平整无悬挂键等优点，在磁电阻上表现出明显的优势。目前实验上已经在以 2 层、3 层，4 层和 [...]
- 文献重现：锌酞菁的基态与激发态计算（第二部分）地址 西安交通大学主楼B-102 西安 中国 参考文献：Ground and Excited States of Zinc [...]
- QuantumATK亮点文章：具有可调载流子输运和电子特性以及高电流开关比的二维GeC2地址 西安交通大学主楼B-102 西安 中国 概述 二维材料中大部分都具有优异的电学和光学性能，这使得它们在纳米电子学、光电子学和热电学等各种各样的应用场景下具有很大的潜力，但是性能仍然需要优化。例如，硅烯和锗带隙太小（带隙值<0.1 eV）难以实现晶体管的电流开关。MoS2 具有理想的带隙，但其较低的迁移率限制了其在某些器件中的应用。磷烯不仅具有理想的带隙，而且拥有高各向异性载流子迁移率，但其在空气中易氧化的特性是器件应用中的主要限制。 研究者仍需继续努力探索具有合适带隙、高载流子迁移率和高稳定性的新型二维半导体材料，并通过应变工程、多层堆叠等技术来改善现有二维半导体材料的电子特性。应变工程是调整二维材料电子特性的一种常用技术，因为二维材料本身可以承受比其块体材料更大的机械应变，这就拓宽了它们在纳米电子和光电器件中的应用。多层堆叠是调节二维材料特性的另一种策略，可以产生新的电子器件，因为许多二维材料的带隙大小变化很大程度上取决于层数。 在众多电子器件中，具有负微分电导效应的二维材料非常受欢迎。目前，大多数具有负微分电导效应的二维材料主要还是范德华异质结。然而，由于异质结的层间隧穿效率有限，想要实现高峰值电流仍然面临诸多挑战。因此，能产生负微分电导效应的单层二维材料也是有前途的。常州大学徐月华副教授课题组和美国内布拉斯加州立大学林肯分校的 [...]
- 电场执笔、层自由度传信：一体化交错磁隧道结实现全电控读写地址 西安交通大学主楼B-102 西安 中国 研究背景 交错磁体（altermagnet）兼具反铁磁体与铁磁体的优势：在实空间中具有补偿的磁矩，因而几乎不产生杂散场；同时又能在动量空间中形成非相对论性自旋劈裂，为自旋选择性输运提供基础。这些特性使交错磁体成为高密度、低功耗自旋电子器件的重要候选材料。 磁隧道结通常通过平行态（P）和反平行态（AP）之间的电阻差异存储和读取信息。在已有交错磁隧道结方案中，这两种状态往往依赖 Néel 矢量翻转来切换。然而，交错磁体的总磁矩严格补偿，利用自旋转移力矩（STT）或自旋轨道力矩（SOT）实现确定的 Néel 矢量翻转仍然困难，复杂的界面结构还可能带来效率损失和额外的能耗。研究关注的核心问题是：能否不翻转 Néel 矢量，只借助电场就完成交错磁隧道结的写入与切换？ 为此，研究者把目光转向具有自旋—层耦合的双层交错磁半导体 V2Se2O。该体系的上下两层具有符号相反的自旋极化。零电场下，空间反演与时间反演的联合对称性使能带保持整体自旋简并；施加垂直电场后，层间电势差打破这一对称性，隐藏的自旋劈裂便可在不同层上显现。只需反转电场方向，就能够反转自旋劈裂的符号，而 [...]
- 基于图像的 C/SiC 复合材料在多次电弧射流暴露下的可重复使用性评估地址 西安交通大学主楼B-102 西安 中国 概述 可重复使用热防护系统（TPS）对于确保飞行器在反复承受高热流和氧化环境条件下的任务可靠性至关重要。应用于鼻锥和前缘的 TPS 必须由具备优异高温性能和抗氧化能力的热防护材料（TPMs）构成。碳/碳化硅（C/SiC）复合材料因其优异的抗氧化和抗烧蚀性能以及卓越的高温力学性能，被认为是可重复使用热防护系统的理想候选材料。 本研究建立了一种基于图像的评估程序，用以评估 TPMs [...]
- 基于 ReaxFF 模拟揭示废弃胶片超临界水气化制氢机理地址 西安交通大学主楼B-102 西安 中国 研究背景 废弃X射线胶片是医学成像中产生的典型危险废物，其含银乳剂层与难降解聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）基材的高效处理直接关系到重金属污染与塑料污染的防控。传统处理方法中，湿法冶金相对环保且能生产高纯度产品，火法冶金操作简便、适合大规模处理，但二者均无法高效、环保地转化胶片中的有机组分。超临界水气化（SCWG）则可实现有机组分的均相气化与制氢，在废弃胶片资源化方面表现出明显优势。然而，SCWG 过程涉及复杂的自由基反应，其微观反应机理仍未得到系统阐明。因此，结合实验与分子动力学模拟系统研究废弃X射线胶片在超临界水中的气化特性与内在机理，将有助于推动这类医疗危险废物的可持续处置与高值化利用。 研究内容 本研究以废弃X射线胶片中的主要有机成分 PET [...]
- 分子掺杂无序有机半导体器件的三维动力学蒙特卡洛建模地址 西安交通大学主楼B-102 西安 中国 研究背景 近日，华南师范大学华南先进光电子研究院彩色动态电子纸研究所周国富教授团队刘飞龙副研究员课题组在《Journal of Applied Physics》发表题为“Three-dimensional kinetic [...]
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- 电场执笔、层自由度传信：一体化交错磁隧道结实现全电控读写 2026年8月20日
- 基于图像的 C/SiC 复合材料在多次电弧射流暴露下的可重复使用性评估 2026年8月20日
- 基于 ReaxFF 模拟揭示废弃胶片超临界水气化制氢机理 2026年8月16日
- 分子掺杂无序有机半导体器件的三维动力学蒙特卡洛建模 2026年8月10日
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