文章使用密度泛函理论研究了肖特基势垒高度（Schottky Barrier Height）对界面形态的依赖，以及如何通过在 NiSi2/Si界面替位掺杂进行调制。使用 meta-GGA 交换相关泛函预测出相当精确的Si带隙。本文的研究表明，（n型半导体的）电子肖特基势垒高度在（001）方向显著低于（111）方向。这些结果定性上与界面形态依赖的肖特基势垒高度的实验结果一致。肖特基势垒高度能够通过 NiSi2/Si 界面替代掺杂显著降低，本文讨论了 Si 掺杂位点、杂质类型以及晶向对优化肖特基势垒高度的影响。 参考文献 ab-initio study on Schottky-Barrier modulation in NiSi2/Si interface Jiseok Kim[1], Byounghak Lee[2], Yumi Park[2],Kota V R M Murali[2], Francis Benistant[3] [1]GLOBALFOUNDRIES, Albany, NY 12203, USA [2]GLOBALFOUNDRIES, Malta, NY 12020, USA [3]GLOBALFOUNDRIES, Singapore 528830, Singapore SISPAD 2015, Septempber 9-11, 2015, Washington, DC, USA 参考 更多半导体领域的应用方案和实例见：http://www.fermitech.com.cn/vnl-atk/semiconductor/ 立即试用 QuantumATK！ […]

  摘要 文章（APPLIED PHYSICS LETTERS 105, 053511 (2014)）使用密度泛函理论和密度泛函紧束缚近似研究了n-Si在[100]方向电阻率下限的理想金属电子结构效应。结果表明，在高掺杂浓度时，“理想金属”假设在某些情况下会失效，因此对n-Si的接触电阻下限至少低估了一个数量级。金属和半导体在横向动量空间的失配，也就是所谓的“谷过滤效应”，对使用的原胞的横向边界情况的细节非常敏感。因此在金属－半导体接触面的电子输运的原子尺度模拟，需要明确所包含的金属原子和电子结构。 参考文献 Effect of realistic metal electronic structure on the lower limit of contact resistivity of epitaxial metal-semiconductor contacts Ganesh Hegde and R. Chris Bowen Advanced Logic Lab, Samsung Semiconductor R&D Center, Austin, Texas 78754, USA APPLIED PHYSICS LETTERS 105, 053511 (2014) 参考 更多半导体领域的应用方案和实例见：http://www.fermitech.com.cn/vnl-atk/semiconductor/ 立即试用 QuantumATK！ 下载QuantumATK软件安装包 申请QuantumATK的全功能试用许可 […]

  摘要 文章（Surface Science 600 (2006) 5080–5083）研究了单个π共轭分子吸附或夹在两个电极上的电流特性，尤其是载流子通过有机/金属界面的注入。首次使用第一性原理方法研究了分子的取向和电极材料对电流对影响：过去的电流计算都是假设分子与电极之间通过共价键连接。研究模拟的两个体系中，萘分子夹在金或铝电极之间。 首先，通过分子的电流与分子的取向有关系，这表示电子主要通过π通道（也就是分子的π轨道与电极电子轨道的交叠）传输；其次，金-萘-金体系的电流比铝-萘-铝体系的电流强，这表明金比铝更适合做电极。   参考文献 First-principles study on current through a single p conjugate molecule for analysis of carrier injection through an organic/metal interface Kenji Toyoda *, Kiyoshi Morimoto, Kiyoyuki Morita Advanced Technology Research Laboratories, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd, 3-4 Hikaridai, Seika-cho, Soraku-gun, Kyoto 619-0237, Japan Surface Science 600 […]

摘要 文章（JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 117, 054504 (2015)）对铜掺杂SiO2和Al2O3在热力学、动力学和电子性质方面进行了原子尺度的模拟研究，得到不同浓度（9.91×1020 cm-3和3.41×1022 cm-3）的铜掺杂下的定量结果。金属－绝缘体界面导致体系的形成能与块体相比降低大约4eV。另外，本文还介绍了Cu-Cu相互作用对降低化学势的重要性。这些概念的讨论是在关于阻变存储器（RRAM-M）局域传导路径的形成及其稳定性的背景下展开的。电子态密度以及通过这些局域路径的非平衡透射研究确认了透射增大了三个数量级。本文通过原子尺度的漂移－扩散计算，研究了这些传导路径的动力学行为。本文最后对RRAM-M的原胞进行了分子动力学模拟，试图将上述所有现象用统一的自洽的模型结合起来。   参考文献 Cu impurity in insulators and in metal-insulator-metal structures: Implications for resistance-switching random access memories Sumeet C. Pandeya), Roy Meade, and Gurtej S. Sandhu Emerging Memory Group, Process R&D, Micron Technology Inc., Boise, Idaho 83707-0006, USA JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 117, 054504 (2015) 参考 […]