Synopsys QuantumWise公司与丹麦科技大学的研究组使用QuantumATK软件发表了一篇Phys. Rev. B文章[1]。文章介绍了一种 MD-Landauer 的新方法，将格林函数输运计算和分子动力学模拟结合，准确、高效的考虑 电声耦合（EPC）效应 的影响下的电阻率和迁移率。电声耦合效应在大部分电子器件中扮演着至关重要的作用。在各种体系（如硅和金纳米线，硅和金块体，碳纳米管和石墨烯，见图表1）中，MD-Landauer方法都得到了实验结果和使用目前流行的玻尔兹曼输运方程（BTE）方法计算的验证[2]。迁移率和电阻率的计算半定量的与BTE方法计算和实验结果一致，变化趋势完全重现。这表明 MD-Landauer 方法在考虑大体系和复杂体系（如非晶，缺陷和替位）的电声耦合效应中可以代替BTE方法。全尺度密度泛函电声耦合计算已成为可实现的方法，并且MD-Landauer方法在计算时间上更为合理。 Fig.1.MD-Landauer方法的图解: 1. 体系在Maxwell-Boltzmann分布的随机初始速度和目标温度下用分子动力学平衡一系列（10-50）MD轨迹，得到该温度下的一组结构；2. 使用ATK-DFT-NEGF方法对所有得到的结构进行电子透射计算，并将透射函数进行平均得到目标温度下的透射；3. 温度相关的电阻率由得到；4. 进一步由电阻率和态密度可以得到迁移率。 相关资源 Synopsys QuantumWise公司根据此文制作了金块体电阻率计算的案例。在网站上您可以找到关于 计算透射/电阻率 和 评估迁移率（使用BTE方法）的教程。其中所涉及的如硅和金纳米线和块体，碳纳米管和石墨烯都可以使用VNL图形用户界面进行建模和结构优化。 QuantumATK在处理电声耦合效应方面更高效的方法文章也已经发表，主要介绍特殊热位移（STD）-Landauer方法(STD-Landauer)以及其在超大尺度硅器件中的应用[3]。 MD-Landauer和STD-Landauer两种方法都已经由Synopsys QuantumWise公司在International Workshop on Computational Nanotechnology会议上发布。 参考文献 [1] T. Markussen, M. Palsgaard, D. Stradi, T. Gunst, M. Brandbyge and K. Stokbro, “Electron-phonon scattering from Green’s function transport combined with molecular dynamics: Applications to mobility […]
