第五主族二维衍生物BiN的电子性质与输运特性的理论研究

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摘要

在当今后摩尔时代下,器件芯片的高性能、低功耗特性对于物联网、人工智能和 5G 等关键领域而言将变得至关重要。然而,随着摩尔定律的发展,传统晶体管的节点推进和尺寸缩小的趋势逐渐放缓,难度也逐渐增大。因此,技术创新是后摩尔时代微电子器件实现多样化发展的关键,特别是晶体管的沟道材料。最近,新兴的二维半导体材料受到了研究者们的广泛关注,其凭借着传统半导体不具备的超薄的厚度、自然钝化的表面、良好的栅控能力、高的迁移率等优异性质,在下一代微纳电子器件的发展进程中发挥了关键作用。

近日,南京理工大学张胜利教授团队基于有效质量差异性设计了高性能、低功耗亚 10 纳米二维 BiN 晶体管,结合第一性原理和非平衡格林函数理论,探索了有效质量、态密度、开态电流、亚阈值摆幅等性质受能带散射程度的影响,揭示了二维 BiN 晶体管在窄沟道器件应用上的潜力,为开发新一代二维微电子器件提供了新的思路。相关研究成果以“Designing sub-10-nm Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors via Ballistic Transport and Disparate Effective Mass: The Case of Two-Dimensional BiN”为题发表于应用物理类期刊《Physical Review Applied》,博士生周文瀚为第一作者。

参考文献

  • H. Zhou, S. L. Zhang, S. Y. Guo, Y. Y. Wang, J. Lu, X. Ming, Z. Li, H. Z. Qu, H. B. Zeng, “Designing sub-10-nm Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors via Ballistic Transport and Disparate Effective Mass: The Case of Two-Dimensional BiN”, Physical Review Applied, 2020, 13, 044066. DOI: 10.1103/PhysRevApplied.13.044066

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