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- QuantumATK在自旋热电子学研究中的应用地址 西安交通大学主楼B-102 西安 中国 概述 自旋电子学是关于凝聚态物质和器件中的电子自旋和电荷如何耦合输运的。最近活跃的自旋热电子学领域主要关注自旋与热流的相互作用，目标是新发现的物理效应和改进现有热电器件的策略，以便在热传感器和废热回收装置中获得应用。已知的现象要么被归类为金属中的独立电子效应（如自旋相关的塞贝克效应），可以通过两个具有不同热电性质的平行自旋传输通道模型来理解，要么被归类为也存在于绝缘铁磁体中的由自旋波引起的集体效应（如自旋塞贝克效应）。QuantumATK中完善的器件模型、自旋相关以及电声耦合等方面的方法在这类体系和现象研究中有独特优势。 界面电荷转移掺杂对黑磷烯-F4TCNQ纳米器件热电输运性能的影响 利用基于第一性原理的密度泛函理论（DFT）结合非平衡格林函数（NEGF）方法，系统的研究了扶手椅型和锯齿型黑磷纳米带（APNR 和 ZPNR）的热电输运特性，以及 [...]
- QuantumATK亮点文章：具有可调载流子输运和电子特性以及高电流开关比的二维GeC2地址 西安交通大学主楼B-102 西安 中国 概述 二维材料中大部分都具有优异的电学和光学性能，这使得它们在纳米电子学、光电子学和热电学等各种各样的应用场景下具有很大的潜力，但是性能仍然需要优化。例如，硅烯和锗带隙太小（带隙值<0.1 eV）难以实现晶体管的电流开关。MoS2 具有理想的带隙，但其较低的迁移率限制了其在某些器件中的应用。磷烯不仅具有理想的带隙，而且拥有高各向异性载流子迁移率，但其在空气中易氧化的特性是器件应用中的主要限制。 研究者仍需继续努力探索具有合适带隙、高载流子迁移率和高稳定性的新型二维半导体材料，并通过应变工程、多层堆叠等技术来改善现有二维半导体材料的电子特性。应变工程是调整二维材料电子特性的一种常用技术，因为二维材料本身可以承受比其块体材料更大的机械应变，这就拓宽了它们在纳米电子和光电器件中的应用。多层堆叠是调节二维材料特性的另一种策略，可以产生新的电子器件，因为许多二维材料的带隙大小变化很大程度上取决于层数。 在众多电子器件中，具有负微分电导效应的二维材料非常受欢迎。目前，大多数具有负微分电导效应的二维材料主要还是范德华异质结。然而，由于异质结的层间隧穿效率有限，想要实现高峰值电流仍然面临诸多挑战。因此，能产生负微分电导效应的单层二维材料也是有前途的。常州大学徐月华副教授课题组和美国内布拉斯加州立大学林肯分校的 [...]
- 文献重现：锌酞菁的基态与激发态计算（第二部分）地址 西安交通大学主楼B-102 西安 中国 参考文献：Ground and Excited States of Zinc [...]
- 基于CrI3的磁隧穿结中磁阻的层数依赖行为【QuantumATK亮点文章】地址 西安交通大学主楼B-102 西安 中国 简介 磁隧穿结广泛应用于磁头、磁随机存储器等自旋电子学器件中，其磁电阻大小直接决定了器件的存储密度大小。基于二维磁性材料的磁隧穿结相比于传统的基于块体的磁隧穿结，由于具有表面平整无悬挂键等优点，在磁电阻上表现出明显的优势。目前实验上已经在以 2 层、3 层，4 层和 [...]
- AMS2026 发布地址 西安交通大学主楼B-102 西安 中国 AMS2026 现已发布，带来了机器学习势、模拟工作流程及易用性方面的强大新进展。凭借更广泛的化学覆盖范围和更优的性能，开展自动化、可重复的研究比以往任何时候都更加便捷。立即升级，亲身体验其卓越表现。 机器学习势 新模型系列（eSEN、MACE、UMA等）基于大规模数据集训练，在提升机器学习势能的效率与精度的同时，进一步拓展了其适用范围。 扩展的覆盖范围包括： 带电及磁性分子 [...]
- 首例稳定低价态铟氢化物：合成瓶颈的突破与亲核反应性得的探索地址 西安交通大学主楼B-102 西安 中国 导语 较重主族元素的低氧化态氢化物因极度不稳定而长期被视为“难以捉摸”的研究难题，然而，Oriol Planas 教授团队近期在《Journal of the [...]
- 激发态成键的奥秘：N2L2 型二氮配合物的稳定性与成键本质研究地址 西安交通大学主楼B-102 西安 中国 导语 在传统的化学认知中，氮气（N2）常被视为一种结合较弱、惰性极强的配体。然而，由 Gernot Frenking 教授团队近期发表于《Chemical Science》上的研究论文 [...]
- QuantumATK 低维电子材料与器件合集（七）地址 西安交通大学主楼B-102 西安 中国 基于 WTe2 单层的超灵敏、可回收 FET 型有毒气体传感器 场效应晶体管（FET）型气体传感器因其功耗低、灵敏度高而吸引了大量研究人员的关注。然而，对其传感能力和内在机理的理论探索仍然十分匮乏。本文以单层纯 WTe2 和缺陷 WTe2 为传感平台，利用第一性原理计算和统计热力学模型，系统地研究了 FET 型气体传感器对 [...]
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- AMS2026 发布 2026年5月7日
- 首例稳定低价态铟氢化物：合成瓶颈的突破与亲核反应性得的探索 2026年5月6日
- 激发态成键的奥秘：N2L2 型二氮配合物的稳定性与成键本质研究 2026年5月6日
- QuantumATK 低维电子材料与器件合集（七） 2026年4月29日
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