在《原子级模拟促进磁存储技术的发展》系列活动中，来自 Martin-Luther-Universitat Halle Wittenberg、University of York和Synopsys QuantumATK的专家将介绍如何使用从头计算 DFT 方法和 MTJ 的原子级别自旋动力学模拟来指导和加速 STT/SOT-MRAM 等磁存储器的技术发展。
- 研究新型磁性隧道结（MTJ）材料和概念在提高磁存储性能方面的潜力。
- 使用机器学习力场生成逼真的 MTJ 结构。
- 基于计算的 MTJ 自旋电子学财产评估性能，如隧道磁电阻（TMR）、电流整流、自旋传递和自旋-比特转矩（STT 和 SOT）、吉尔伯特阻尼、居里温度和热稳定性。
- 对磁化动力学、STT 和 SOT 开关机制有了更深入的了解。
本次主题：利用原子自旋动力学模拟推进 MRAM 技术
- 主讲人
- Richard Evans, Associate Professor, Developer of Vampire software, University of York, UK
- Troels Markussen, Manager R&D
- 时间
- 2023 年 5 月 24 日（星期三），下午3:00~4:00
- 报名链接： 点击报名
内容
Evans 博士将介绍他的团队用原子自旋动力学代码 Vampire 模拟 MTJ 的工作。他将特别关注展示 Vampire 研究 STT-SOT-MRAM、spin-torque 纳米振荡器和反铁磁体的 MTJ 中的温度和尺寸效应、磁化动力学和反转、STT 和 SOT 切换机制的能力。
Markussen 博士将展示 Vampire 与 QuantumATK NanoLab GUI 的集成，从而可以轻松地使用预先计算的从头算参数设置 Vampire 模拟，并分析获得的结果。