概述
BAND用于周期性边界条件体系的第一性原理计算，因此主要用于三维晶体、二维固体表面与一维纳米线、纳米管、聚合物体系。对固体表面、低维材料的计算，精度与效率均高于平面波程序。能够对材料的谱学性质、光的吸收与折射、静电势、电子密度、原子电荷、费米面、有效质量、态密度、能带与化学键分析，电荷分析与谱学性质，表面化学反应、表面吸附问题进行研究。
对于1000原子的1维体系，使用PBE泛函、7000个基函数、1个k点（由于体系很大，设置为1个k点是合适的），进行几何优化（CPU：4节点*16核），优化十步后几何结构收敛，耗时10小时。
主要功能：
- 周期性边界条件：
- 三维（体材料）
- 二维（材料表面）
- 一维（聚合物、纳米管线等）
- 0维（分子）周期性体系的结构优化
- 相对论与重元素：
- 标量相对论
- 自旋轨道耦合
- 全电子基组、冻心基组
- 支持元素周期表所有元素，不依赖赝势
- 泛函：
- 各种常见GGA与meta-GGA泛函，如SCAN等
- 适用于吸附与氢键体系的色散修正泛函，如：-D3(BJ)、-D4(EEQ)
- 杂化泛函HSE03、HSE06
- 丰富的libxc泛函库
- DFT-1/2方法得到更好的带隙
- 对低维体系的优越性：
- 二维表面的边界条件，正确处理垂直于表面的极化效应（表面的极化对催化效果有很大的影响，因为电荷的分布能够左右反应路径 ）
- 一维、二维体系计算速度优于流行的平面波程序（因为不需要处理真空层带来的计算量）
- 一维、二维体系的表面溶剂化更合理，支持COSMO、SM12溶剂化方法
- 与平面波程序相比，更适合描述局域成键行为
- 外场与特殊模型：
- 磁场
- 均匀静电场
- 外压强与应力
- 虚晶近似：允许某些原子位以一定比例掺杂
- 物理性质：
- 能带结构与态密度（pDOS、LDOS）、有效质量、费米能级、费米面
- 形成因子、结合能XPS
- 动态极化率、介电常数
- 弹性张量及其相关性质（例如体积模量）
- 声子谱与热力学性质计算
- 光谱性质：
- 吸收与折射光谱
- 单电子激发
- EELS、NMR、EFG、Q-tensor、 ESR、g-tensor、A-tensor
- 化学分析：
- AIM、ELF、Mulliken电荷、NMR、
- 核电子密度、通过Laplacian电子密度与键关键点区分化学键类型
- Crystal Orbital Overlap Populations (COOP)
- 化学键分析：PEDA-NOCV键能分解与化学价自然轨道：
- 表面吸附结构的成键分析
- 聚合物的的成键分析
- 多孔材料、框架结构材料内部吸附小分子的的成键分析
- 分子的Unrestricted碎片成键分析：
- 化学反应：
- 软件特性：
- 高效并行化
- 图形界面易用性强：初学者也可以很快正确使用
- 支持晶体结构数据库中cif文件导入