概述
BAND用于周期性边界条件体系的第一性原理计算,因此主要用于三维晶体、二维固体表面与一维纳米线、纳米管、聚合物体系。对固体表面、低维材料的计算,精度与效率均高于平面波程序。能够对材料的谱学性质、光的吸收与折射、静电势、电子密度、原子电荷、费米面、有效质量、态密度、能带与化学键分析,电荷分析与谱学性质,表面化学反应、表面吸附问题进行研究。
对于1000原子的1维体系,使用PBE泛函、7000个基函数、1个k点(由于体系很大,设置为1个k点是合适的),进行几何优化(CPU:4节点*16核),优化十步后几何结构收敛,耗时10小时。
主要功能:
- 周期性边界条件:
- 三维(体材料)
- 二维(材料表面)
- 一维(聚合物、纳米管线等)
- 0维(分子)周期性体系的结构优化
- 相对论与重元素:
- 标量相对论
- 自旋轨道耦合
- 全电子基组、冻心基组
- 支持元素周期表所有元素,不依赖赝势
- 泛函:
- 各种常见GGA与meta-GGA泛函,如SCAN等
- 适用于吸附与氢键体系的色散修正泛函,如:-D3(BJ)、-D4(EEQ)
- 杂化泛函HSE03、HSE06
- 丰富的libxc泛函库
- DFT-1/2方法得到更好的带隙
- 基组:NTO/STO、纯STO基组、GTO基组
- 对低维体系的优越性:
- 由于平面波方法只能通过添加真空层,来模仿低维度体系,但静电作用是长程作用,乃至50埃以外仍然有明显影响,因此一般通过添加真空层,并不能完全解决这个问题,因此平面波方法还会通过添加一个偶极较正,来近似地达到“屏蔽”层与层之间远程静电作用的效果。BAND本身就可以实现真正二维、一维、0维,外部本就是无限大的真空,因此无需再进行偶极较正。
- 一维、二维体系计算速度优于流行的平面波程序(因为不需要处理真空层带来的计算量)
- 一维、二维体系的表面溶剂化更合理,支持COSMO、SM12溶剂化方法
- 与平面波程序相比,更适合描述局域成键行为
- 外场与特殊模型:
- 物理性质:
- 能带结构与态密度(pDOS、LDOS)、有效质量、费米能级、费米面
- 形成因子、结合能XPS
- 动态极化率、介电常数
- 弹性张量及其相关性质(例如体积模量)
- 声子谱与热力学性质计算
- 光谱性质:
- 吸收与折射光谱
- 单电子激发
- EELS、EFG、Q-tensor、 ESR、g-tensor、A-tensor
- 化学分析:
- AIM、ELF、Mulliken电荷
- 核电子密度、通过Laplacian电子密度与键关键点区分化学键类型
- Crystal Orbital Overlap Populations (COOP)
- 化学键分析:PEDA-NOCV键能分解与化学价自然轨道:
- 表面吸附结构的成键分析
- 聚合物的的成键分析
- 多孔材料、框架结构材料内部吸附小分子的的成键分析
- 分子的Unrestricted碎片成键分析:
- 化学反应:
- 软件特性:
- 高效并行化
- 图形界面易用性强:初学者也可以很快正确使用
- 支持晶体结构数据库中cif文件导入