Ta缓冲层对化学计量金属间FeAl合金结构和磁性能的影响 具有化学有序顺磁B2和无序铁磁(FM)A2相的 $\mathrm{Fe}_{50}\mathrm{Al}_{50}$ 合金中的磁结构相变在相变磁存储器和磁器件等自旋电子学中有应用。作者首先对 $\mathrm{Fe}_{50}\mathrm{Al}_{50}$ 合金中的A2和B2相进行了系统的第一性原理密度泛函理论研究。对这种等原子合金的电子和自旋动力学性质的理论理解使作者对FM A2相进行了实验探索。因此,作者使用溅射法沉积了 50 nm 的 $\mathrm{Fe}_{50}\mathrm{Al}_{50}$ 合金薄膜,并研究了Ta缓冲层对其结构和磁性能的影响。作者的结果表明,具有缓冲层的膜表现出A2相,其饱和磁化强度(848emu/cc)明显高于没有缓冲层的薄膜(576 emu/cc.)。然而,随着缓冲层的存在,表面粗糙度和吉尔伯特阻尼(α)分别从 0.41 到 0.56 nm 和 $4.35×10^{−3}$ 到 $4.94×10^{−3}$ 。α 的增强是由于表面不均匀性引起的外在贡献。 Bhardwaj, S.; Kumar, P.; Ghosh, R. K.; Kuanr, B. K. Effect of Ta Buffer Layer on the Structural and Magnetic Properties of Stoichiometric Intermetallic FeAl Alloy. AIP Advances 2024, 14 (2), 025226. […]