石墨醚纳米带中优异的自旋热电表现【QuantumATK亮点文章】

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背景 在自旋相关塞贝克效应(SDSE)中,自旋向上和自旋向下的电子在温度梯度的驱动下沿相反的方向流动,使电荷电流相互抵消,可以在器件中产生纯自旋流。作为一种制造自旋流的高效途径,近年来二维材料中的SDSE被广泛研究,如石墨烯、氮化硼、硅烯、磷烯等。人们一直致力于寻找自旋热电表现更出色的材料平台。 研究内容 作者基于新型二维材料石墨醚的纳米带结构设计构建了两类自旋热电器件,独特的能带结构及输运性质使其在热梯度之下可以产生纯自旋流。 图1 (a) 扶手椅边缘石墨醚纳米带 (AGENR) 的结构图,数字表示纳米带宽度。 (b、c) I型和II型AGENR纳米带的结构,自旋密度分布证实其边缘成功引入了磁性。(d、e)AGENR自旋热电器件的示意图,冷热端的温差为ΔT。 图2  AGENR的 (a) 能带结构和 (b) 透射谱。 (c、d) SDSE的形成机制,自旋向上和向下的电子具有符号相反的电流谱,表征其形成反向的电流。 第一性原理计算表明器件的SDSE对纳米带宽度具有鲁棒性,并表现出高自旋塞贝克系数和巨大的自旋热电优值。 图3 基于不同宽度的I型和II型AGENR器件的热致电流,表现出鲁棒的SDSE。 图4  AGENR器件的(a-d)自旋依赖塞贝克系数和(e、f)自旋热电优值。 小结 本文设计了两类基于石墨醚纳米带(AGENR)的自旋热电子器件,并通过第一性原理计算证实了其优异的自旋热电性能,在自旋热电子学中具有良好的应用前景。 参考文献 Yue Jiang, Yan-Dong Guo, Li-Yan Lin, and Xiao-Hong Yan, A robust spin-dependent Seebeck effect and remarkable spin thermoelectric performance in graphether nanoribbons. Nanoscale, 2022, 14, 10033-10040. https://doi.org/10.1039/d2nr02175g(杂志封面文章)

稀土掺杂单层二硫化钨的电子和光学性质【QuantumATK亮点文章】

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概述 此项研究了计算了含钬取代杂质(HoW)单层二硫化钨(WS2)的电学和光学性质。虽然 Ho 比 W 大得多,但使用包括自旋-轨道耦合的密度泛函理论(DFT)表明 Ho:SL WS2 是稳定的。自旋分辨 DFT 计算给出 Ho 杂质的磁矩为 4.75µB。在光谱中识别出的光学选择规则与用群论推导的光学选择规则完全匹配。中性杂质的存在导致了带结构中具有f轨道特征的局域杂质态(LIS)。利用 Kubo-Greenwood 公式计算得到的光学响应 χ‖ 和 χ⊥ 的平面内和平面外分量中获得了类似原子的尖锐跃迁,光学谐振峰与实验数据吻合良好。 研究内容 图1.(a)8×8×1 SL WS2 超胞中 HoW 杂质示意图。(b)本征 SL WS2 的能带和态密度,显示面内带隙 1.6 eV,面外带隙3.2 eV。 价带边缘由于自旋轨道耦合(SOC)发生了大小为 433 meV 的劈裂。DOS 中的灰色区域为总态密度,红线为 W 的 d 轨道;蓝线为 S 的 p 轨道,黑线为二者之和。(c)本征 WS2 的光学响应,显示了面内和面外的带隙。 图2. HoW 掺杂的 8×8×1 WS2 超胞的能带和态密度。灰色区域为总态密度,彩色曲线为态密度投影(蓝:Ho 原子的f轨道;绿:邻近 S 原子的 p 轨道;红:次紧邻 W 原子的 […]

利用机器学习原子间势实现单层MoS2–WS2合金的热性能模拟【QuantumATK亮点文章】

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背景 二维量子材料有望改变传统电子学,实现涵盖化学科学的广泛应用。为了研究单层(1L)或多层过渡金属二卤化物(TMD)中的热输运,作者探索了密度泛函理论(DFT)和训练算法的结合,生成了模拟 1L-MoS2、1L-WS2 及其合金(混合结构)的矩张量势(MTP)力场,并展示了理论技术的协同将在该领域发挥重要作用。从高性能计算的角度来看,所产生的非常方便的原子间势(或分子间势),可用于预测量子材料对热扰动或其他驱动力的响应。 研究内容 作者将数百个来自原子位置微扰和分子动力学轨迹的单层结构作为训练集用于 MTP 力场的训练,对比了用所得到的 MTP 力场计算的声子性质与 DFT 和 SW 力场计算的结果。训练得到的 MTP 力场很好的描述了体系的振动特性及其热导率。 图:多种方法得到的声子谱对比。 图:多种方法计算得到的特定声子振动模式频率随组分的变化。 作者将得到的 MTP 力场用于晶格声子热导率的计算,对比了非平衡分子动力学(NEMD)和非平衡格林函数(NEGF)两种方法的结果。 图:将 MTP 机器学习力场用于NEMD和NEGF方法的热导率计算。 结论 作者的结果表明,机器学习的 MTP 力场可以准确地再现原始和合金 1L TMD 的声子结构和热传输特性。1L-MoxW1-xS2 合金结构在不同浓度下具有独特的声子谱特征,但观察到的热传输特性对组分的依赖性非常低,这使得通过混合不同原子种类来设计类似材料的热传输特性成为可能。此外,2D 合金结构对硫空位不敏感,热导率几乎不受硫空位的影响,这一行为可能有助于微调材料的热性能,以用于热管理和能量存储和转换应用。这也提示我们可以不依赖于获得无缺陷晶体材料的昂贵技术来制造器件。最后,模拟精度在更大程度上取决于参考 DFT 方法和训练集,因此,对于实际模拟体系来说,可以不需要计算成本高、冗长的优化步骤,就能获得合理的结果。 参考 Juan M. Marmolejo-Tejada et al. Thermal properties of single-layer MoS2–WS2 alloys enabled by machine-learned interatomic potentials. Chem. Commun., 2022, 58, 6902–6905. https://doi.org/10.1039/D2CC02519A更多信息:机器学习力场ML-MTPs与流程自动化新兴的低维电子材料研究

分子电子学研究案例集【一】

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稳定的通用1输入和2输入单分子逻辑门 可控单分子逻辑运算将使高密度计算的可靠极简电路元件的开发成为可能,但需要来自分子结中多个正交输入的稳定电流。利用栅控 Au/S-(CH2)3-Fc-(CH2)9-S/Au(Fc:二茂铁)单电子晶体管的两个独特的相邻导电分子轨道(MOs)提出了一种稳定的单电子逻辑计算器(SELC),它可以实时调制输出电流,并将其作为正交输入偏压(Vb)和栅压(Vg)的函数。可靠低压(ǀVbǀ≤ 80 mV,ǀVgǀ≤ 2 V)下 SELC 的运行取决于电流共振与 MOs 能量位移的明确关联(恒定、较小的能量分离≈100 meV),以响应电压的变化,这已通过电子传输计算得到证实。通过实现通用 1 输入(YES/NOT/PASS_1/PASS_0)和 2 输入(and/XOR/OR/NAND/NOR/INT/XNOR)的所有逻辑门,证明了基于两个共振和库仑阻塞区之间的SELC调制电流转换的稳定多逻辑操作。【Adv. Mater. 2022, 2202135. https://doi.org/10.1002/adma.202202135】 三角形和方形环丙基锂衍生物分子的大负微分电阻 与六边形碳结构不同,最近合成的 [{μc-CSiMe3C2H4}Li]4 环丙基锂衍生物分子同时具有三角形和四边形环,可能显示出有趣的电子特征。基于第一性原理计算,研究了该分子与碳链电极接触时的电子输运。观察到较大的负微分电阻(NDR)现象。此外,发现 NDR 对垂直于输运方向的侧支路上的掺杂具有强壮性,但对主支路上的掺杂敏感。在所有的掺杂案例中都发现了 NDR,表明这是此类体系的固有特征。进一步的分析表明,正是由于费米能级附近的能量状态从离域到局域化的变化所引起的透射峰的抑制触发了NDR。【Physica B: Condensed Matter, 639 (2022) 413989. https://doi.org/10.1016/j.physb.2022.413989】 基于二极管结构的分子三值逻辑门和电路建模 分子电子学中的建模非常重要,使用半导体元件进行此类建模加速了该领域的发展进程。在这项工作中,提出了一个用于模拟分子元件的典型电路模型。因此,对不对称低聚亚苯基乙烯(OPV)分子二极管和联吡啶-联硼酸盐分子二极管进行了建模。所提出的电路模型的电流曲线与分子的原子模拟结果吻合良好。此外,利用密度泛函理论(DFT)结合非平衡格林函数(NEGF)获得并分析了联吡啶-双硼氨酸分子二极管在 + 1V和 −1V电压下的电子密度、分子轨道分布和 电势降落。利用基于分子器件的不同分子门和电路,作者对三值NOT逻辑门、三值NOR逻辑门、三值NAND逻辑门、负三值反相器(NTI)逻辑门、正三值反相器(PTI)逻辑门、三值缓冲器、三值译码器和三值半加器进行了建模。【J Mol Model 28, 130 (2022). https://doi.org/10.1007/s00894-022-05118-7】 通过侧栅官能团施加偏压改善分子结整流性能 分子二极管是最重要的分子器件之一,有望成为分子逻辑电路中的电子元件。控制电子输运以提高分子二极管的整流比是研究人员的重要目标。本文基于密度泛函理论和非平衡格林函数方法,系统地研究了二嵌段共聚低聚物分子的整流性能。数值结果表明,侧栅官能团可以略微提高二嵌段分子二极管的整流比,但对分子结的电子输运产生明显的阻碍作用。利用电极突起与侧栅组接触,引入偏置电压来调节分子结的电子输运。通过这种策略,在正偏压区,最低未占据分子轨道(LUMO)进入偏压窗口的电压明显降低,从而进一步显著提高了分子二极管的整流比。计算还表明,正偏压下LUMO的离域性小于负偏压下LUMO的离域性,这不利于提高二嵌段co低聚物分子二极管的整流性能,因此在实验制作中很难获得很大的整流比。【Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 140(2022), 115186. https://doi.org/10.1016/j.physe.2022.115186】 利用Cucurbit[8]uril超分子配合物在π-堆积吡啶二聚体中有效的分子间电荷输运 通过 π 共轭分子的分子间电荷输运在生物化学氧化还原过程和能量储存应用中起着至关重要的作用。在这项工作中,作者观察到吡啶分子在合成宿主(cucurbit[8]uril,CB[8])空腔中二聚时的高效分子间电荷传输。吡啶分子与CB[8]之间形成稳定的同三元络合物,结合亲和力高,导致主体空腔内两个吡啶的偏移堆积几何结构。利用扫描隧道显微镜断开结(STM-BJ)技术表征了游离吡啶和二聚吡啶的电荷输运性质。作者的结果表明,π堆积吡啶二聚体表现出与孤立的单一吡啶分子相当的分子电导,尽管存在更长的传输路径和从分子内电荷传输到分子间电荷传输的转换。使用 CB[8] 同系物(cucurbit[7]uril,CB[7])进行的对照实验表明,合成宿主主要用于促进二聚体的形成,对分子电导的作用最小。利用密度泛函理论(DFT)进行的分子模拟表明,吡啶分子在主空腔内二聚后平面化,这有利于电荷传输。此外,π 堆积的吡啶二聚体具有较大的分子间 LUMO–LUMO 耦合,导致分子间电荷传输增强。总的来说,这项工作表明超分子组装可以用来控制 π 堆积分子中的分子间电荷输运。【J. Am. Chem. Soc. […]

超薄砷化镓晶体管的性能极限【QuantumATK亮点文章】

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背景 晶体管的尺寸微缩是推动微电子电路发展的关键。然而,由于严重的短沟道效应,传统硅基晶体管正在接近其物理极限。当栅极长度小于 10 纳米时,实验制备的硅基晶体管的已经不能满足国际半导体技术发展路线图(ITRS)的开电流标准。为了延续摩尔定律,目前主流的一种解决方案是将沟道替换为更高迁移率的材料。其中,III-V 化合物半导体有着比硅更高的电子迁移率和电子注入速度,被认为是硅的有力继任者。而砷化镓(GaAs)因其具有良好的n型和p型器件性能,在一系列 III-V 半导体中脱颖而出。为了尽可能延长摩尔定律的寿命,探索n型和p型GaAs晶体管的性能极限十分必要。 研究内容 具有较薄沟道的晶体管可以进一步增强栅极控制力和对短沟道效应的免疫力。单层氢化 GaAs(ML GaAsH2)是超薄 GaAs 的极限形式,因此,模拟 ML GaAsH2 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)可以给出超薄 GaAs FET 的性能上限。本文报道了作者对 n 型和 p 型双栅 ML GaAsH2 MOSFET 的第一性原理与量子输运模拟研究。作者引入 underlap 结构,得到了器件从5纳米栅长一直微缩至 1 纳米的转移特性。 图1 (a) ML GaAsH2 结构图。(b、c) ML GaAs 和 ML GaAsH2 的能带结构。(d) 双栅 ML GaAsH2 MOSFET 的示意图。(e) 5 纳米栅长的转移特性曲线 作者发现,n 和 p 型ML GaAsH2 晶体管的性能极限分别位于 3(4)和3(5)nm 栅长处。与其他模拟工作中的典型二维器件进行横向对比,只有 ML GaAsH2 器件的开电流在亚 5 纳米栅长范围内,可以同时满足NMOS、PMOS 在高性能、低功耗应用下的 ITRS […]

磁性与自旋电子学研究案例集(三)

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用 Y 位原子替代 Heusler 晶格实现自旋阀的巨磁电阻 ”全Heusler”自旋阀由两个半金属 Heusler 电极和一个非磁性 Heusler 隔断构成,其中包含两个对磁电阻有重要影响的界面。为了减少界面无序度,保护电极在同一区域的半金属性,作者提出了一种方案,通过替换半金属Heusler电极中的Y位原子来构建自旋阀,以获得基于 Slater–Pauling 规则的相应非磁性隔断结构。这样,可以自然地确保两种材料的晶格和带匹配。以 Co2FeAl 为电极,Co2ScAl 为间隔材料,构建了Co2FeAl/Co2ScAl/Co2FeAl(001)自旋阀。基于第一性原理计算,从声子谱和形成能两方面确定了当间隔基 Co2ScAl 生长在电极材料 Co2FeAl 终止的(001)表面时,FeAl/CoCo 界面最稳定。通过将界面原子的投影态密度与体电极材料的相应态密度进行比较,只有Al的自旋上升态值在置换前后从 0.17 态/原子/eV变为 0.06 态/原子/eV,界面处的半金属丰度保持不变。结果表明,自旋相关的输运性质显示出显著的理论磁电阻 MRop,可以达到1010%,远大于以前报道的106%。(Zhang, Lei, Binyuan Zhang, Liwei Jiang, and Yisong Zheng. “Giant magnetoresistance in spin valves realized by substituting Y-site atoms in Heusler lattice.” Journal of Physics: Condensed Matter 34, no. 20 (2022): […]

传感器材料与器件的模拟【QuantumATK亮点文章】

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基于高导电碳纳米管/聚氨酯复合纤维的可穿戴式应变传感器 高导电性和可伸缩性纤维因其在柔性可穿戴电子设备中的潜在应用而受到越来越多的关注。羧基化碳纳米管(c-CNT)被涂覆在柔性纤维上,作为制造可穿戴式应变传感器的方便方法。然而,由于碳纳米管的石墨化结构在羧化过程中被破坏,碳纳米管的导电性降低。如何让 c-CNT 复合纤维具有高导电性仍然是一个重大挑战。此研究通过在聚氨酯(PU)纤维上涂覆金属离子连接的 c-CNT 来制备高导电纤维,以提高 c-CNT 之间的电子传输速率。由 Fe2+ 离子和羧基形成的金属配位结显著提高了 PU 的导电性 /CNT@Fe2+ 纤维(高达 72 S m−1). 密度泛函理论计算证明,这种高导电性是具有强电子态耦合的配位结促进电子输运的结果。由此产生的配位效应增强了碳纳米管之间的相互作用,使导电网络更加灵活。基于聚氨酯的应变传感器/CNT@Fe2+ 纤维具有高灵敏度(50% 应变下的规范系数为 36)、大应变范围、不明显的漂移和耐久性。纤维应变传感器成功地用于监测关节运动和面部表情。【Zaiyu Zhuang, et al. Nanotechnology 31 (2020) 205701】 应变和电场作用下小分子在GeP单分子膜上的可调吸附行为 作者使用第一性原理计算方法研究了 GeP 单层膜对小气体分子(CO、CO2、O2、H2O、NH3、NO 和NO2)的传感特性。根据计算的吸附距离、吸附能和电荷转移,作者发现 GeP 单层膜对 NO2 和 NO 分子最敏感,所有气体分子都作为受体从 GeP 单层膜中获得电子。NO2 分子的吸附能小于 NO 分子的吸附能,这意味着 NO2 更容易从 GeP 中解吸。不同的功函数变化也表明了在无氧环境中识别 NO2 和 NO 的可能性。此外,作者将单轴和双轴应变应用于 GeP 单层膜,发现较小的双轴压缩应变可以有效地提高基于功函数型传感器的 GeP 对 […]

基于CrI3的磁隧穿结中磁阻的层数依赖行为【QuantumATK亮点文章】

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简介 磁隧穿结广泛应用于磁头、磁随机存储器等自旋电子学器件中,其磁电阻大小直接决定了器件的存储密度大小。基于二维磁性材料的磁隧穿结相比于传统的基于块体的磁隧穿结,由于具有表面平整无悬挂键等优点,在磁电阻上表现出明显的优势。目前实验上已经在以 2 层、3 层,4 层和 10 层 CrI3 为隧穿层的磁隧穿结中观测到了 310%、2000%、8600% 和 106 %的磁电阻,其中的最大值远远高于传统的基于 MgO 隧穿层的磁隧穿结(1000%)。因此,系统地研究基于二维磁性材料的磁隧穿结中磁电阻随层数的变化关系,将有助于突破目前磁隧穿密度的极限。基于此,北京大学吕劲研究员和杨金波教授课题组合作,采用第一性原理结合非平衡格林函数的方法,系统计算了以 2~12 层 CrI3 为隧穿层,以 Ag 为电极的磁隧穿结中的磁电阻变化,同时也探究了偏压、磁化方向等因素对磁电阻的影响。该研究结果为发展具有更高磁存储密度的低维自旋电子学器件提供了新的思路。 图1. CrI3晶格结构与不同层数和磁序下的能带结构   CrI3是一种层内铁磁耦合,层间反铁磁耦合的二维范德华磁性半导体。由于层间耦合较弱,其自旋分辨的能隙随层数变化较小。在以Ag为电极,以CrI3为隧穿层的磁隧穿结中,铁磁态的电导远远高于反铁磁的电导,且铁磁态情形下能够获得接近100%的自旋极化率。铁磁态电导随层数呈现奇偶振荡的变化趋势,而反铁磁态的自旋极化率则随层数呈现奇偶振荡的趋势。 图2. Ag/2~12层CrI3/Ag磁隧穿结结构示意图;电导、自旋极化率随层数变化情况 作者发现,以Ag的电极的磁隧穿结的磁电阻在7层以下呈奇偶振荡的变化的趋势,在7层以上则是呈单调递增的趋势,在12层CrI3的器件中获得了高达109%的磁电阻。通过与以石墨为电极的磁隧穿结计算结果的对比,以及对投影局域态密度的分析,作者图1. CrI3晶格结构与不同层数和磁序下的能带结构发现由金属电极引起的邻近CrI3层的金属化是引起磁电阻奇偶振荡的原因。 图3. 不同磁隧穿结中磁电阻随层数变化情况 图4. 不同电极情况下自旋分辨的投影局域态密度(以4层CrI3为例) 总结   本文利用QuantumATK软件,研究了基于二维CrI3的磁隧穿结的量子输运。研究发现,隧穿磁电阻与隧穿层层数大致呈正相关关系,计算获得了最高达到109%的磁电阻。另外,磁隧穿结中的金属电极是造成隧穿磁电阻振荡的关键。该工作证明了二维磁性材料在自旋电子学研究中的潜力,明确了层数对磁电阻的影响,对器件的实验实现具有指导意义。 参考文献   B. Wu, J. Yang, R. Quhe, S. Liu, C. Yang, Q. Li, J. Ma, Y. Peng, S. Fang, J. Shi, J. Yang, J. Lu […]

QuantumATK亮点文章:具有可调载流子输运和电子特性以及高电流开关比的二维GeC2

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概述 二维材料中大部分都具有优异的电学和光学性能,这使得它们在纳米电子学、光电子学和热电学等各种各样的应用场景下具有很大的潜力,但是性能仍然需要优化。例如,硅烯和锗带隙太小(带隙值<0.1 eV)难以实现晶体管的电流开关。MoS2 具有理想的带隙,但其较低的迁移率限制了其在某些器件中的应用。磷烯不仅具有理想的带隙,而且拥有高各向异性载流子迁移率,但其在空气中易氧化的特性是器件应用中的主要限制。 研究者仍需继续努力探索具有合适带隙、高载流子迁移率和高稳定性的新型二维半导体材料,并通过应变工程、多层堆叠等技术来改善现有二维半导体材料的电子特性。应变工程是调整二维材料电子特性的一种常用技术,因为二维材料本身可以承受比其块体材料更大的机械应变,这就拓宽了它们在纳米电子和光电器件中的应用。多层堆叠是调节二维材料特性的另一种策略,可以产生新的电子器件,因为许多二维材料的带隙大小变化很大程度上取决于层数。 在众多电子器件中,具有负微分电导效应的二维材料非常受欢迎。目前,大多数具有负微分电导效应的二维材料主要还是范德华异质结。然而,由于异质结的层间隧穿效率有限,想要实现高峰值电流仍然面临诸多挑战。因此,能产生负微分电导效应的单层二维材料也是有前途的。常州大学徐月华副教授课题组和美国内布拉斯加州立大学林肯分校的 Xiao Cheng Zeng 教授合作,以密度泛函理论结合非平衡格林函数的方法,研究了基于二维 tetrahex-GeC2 器件的电输运特性。该研究结果为基于负微分电导效应构建的器件提供了新选择。 材料结构与性质 tetrahex-GeC2 表现出高各向异性载流子迁移率和热力学稳定性。单层和双层 tetrahex-GeC2 的带隙分别为0.89 eV 和 0.32 eV,两者都属于直接带隙半导体。二维单层 tetrahex-GeC2 沿着 a(b) 方向 4% (-4%) 单轴拉伸(压缩)应变下,带隙可以调控到理想的 1.26 eV (1.32 eV),并且电子(空穴)有效质量保持稳定,约为 0.23 me (0.83 me)。双层tetrahex-GeC2沿着 a(b) 方向 4% (-4%) 单轴拉伸(压缩)应变下,带隙可以调控到 0.75 eV (0.92 eV),而且,在 a 方向 -1% ~ 4% 和 b 方向 -4% ~ 1% 单轴应变范围内,电子有效质量几乎保持不变,大小分别约为 0.19 me 和 […]

QuantumATK在自旋热电子学研究中的应用

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概述 自旋电子学是关于凝聚态物质和器件中的电子自旋和电荷如何耦合输运的。最近活跃的自旋热电子学领域主要关注自旋与热流的相互作用,目标是新发现的物理效应和改进现有热电器件的策略,以便在热传感器和废热回收装置中获得应用。已知的现象要么被归类为金属中的独立电子效应(如自旋相关的塞贝克效应),可以通过两个具有不同热电性质的平行自旋传输通道模型来理解,要么被归类为也存在于绝缘铁磁体中的由自旋波引起的集体效应(如自旋塞贝克效应)。QuantumATK中完善的器件模型、自旋相关以及电声耦合等方面的方法在这类体系和现象研究中有独特优势。 界面电荷转移掺杂对黑磷烯-F4TCNQ纳米器件热电输运性能的影响 利用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)结合非平衡格林函数(NEGF)方法,系统的研究了扶手椅型和锯齿型黑磷纳米带(APNR 和 ZPNR)的热电输运特性,以及 F4TCNQ 分子在其表面的物理吸附。结果表明,APNR/F4TCNQ 体系为 p 型半导体,由于表面电荷从 APNR 转移到 F4TCNQ,APNR 体系的价带边缘移到了费米能级。与纯 APNR 相比,F4TCNQ 吸附的 APNR 的热功率从 270.8 μV/K 增加到 1063 μV/K,这是由于费米能级附近共振能级的出现导致的态密度增加。此外,界面耦合和量子干涉效应显著抑制了A/ZPNR+F4TCNQ 体系的声子热导,室温下,当 μ=−0.5 eV 时,热电优值达 0.72。这项工作为高性能二维有机-无机纳米器件在热电领域的广泛应用提供了可能,也为开发实际应用中的自组装电子器件提供了理论参考。 Dong, Jiwei, Bei Zhang, Shidong Zhang, Yaoxing Sun, and Mengqiu Long. “Effects of interface charge-transfer doping on thermoelectric transport properties of black phosphorene-F4TCNQ nanoscale devices.” […]