背景 场效应晶体管被公认为上世纪最重要的发明之一。基于互补金属氧化物半导体(CMOS)场效应晶体管的大规模集成电路是信息时代的基石。在过去的半个多世纪,遵循摩尔定律,FET的尺寸不断缩小,芯片上FET数量得以不断增加,芯片功能日趋多元化。如今,市场上的硅基晶体管尺寸已经降至18 nm栅长。由于受到短沟道效应的影响,继续缩短栅长,器件性能会大幅度下降,这引发了半导体业界对于摩尔定律失效的担忧。相比于三维体材料,二维半导体具有良好的静电控制能力(体现在极小的特征长度λ)和载流子传输能力(图 1)。基于二维半导体沟道的晶体管有可能在避免器件性能明显下降的前提下,将栅极长度缩小到10纳米以下。许多亚10纳米栅极长度的晶体管在实验室中已经制造出来了。其中,二维晶体管显示出巨大的技术潜力,可以很好地工作。国际半导体技术发展路线图(ITRS)及其继承者国际器件与系统路线图(IRDS)把二维材料列为替代硅的潜在沟道材料。 实验制备亚10 nm栅长的二维晶体管是一项极具挑战的工作,而理论上预测可剥离的二维材料种类高达千余种。因此,需要找到精确且不依赖参数的理论工具评估二维晶体管的性能。基于密度泛函理论和非平衡格林函数方法相结合的第一性原理量子输运模拟可以严格计算原子间的跃迁矩阵元,无需人为设置参数;利用它来评估亚10 nm二维晶体管性能,可以在极大节约研发成本的同时保持较高的预测精度。 研究工作 北京大学物理学院凝聚态物理与材料物理研究所、人工微结构和介观物理国家重点实验室吕劲研究员课题组系统地发展了按照ITRS和IRDS标准采用原子级上无参数的第一性原理量子输运模拟精确评估二维半导体晶体管性能的研究范式,相关系列研究成果发表于《物理评论应用》(Physical Review Applied 14: 024016 (2020); 10: 24022 (2018))、《纳米尺度》(Nanoscale 11: 532 (2019))、《美国化学会▪应用材料与界面》(ACS Applied Materials & Interfaces 9: 3959 (2017))、《材料化学》(Chemistry of Materials 29: 2191 (2017))、《先进电子材料》(Advanced Electronic Materials, 2: 1600191 (2016))、《纳米快报》(Nano Letters 12: 113 (2012))、《亚洲材料》(NPG Asia Materials 4: e6 (2012))等。前不久,课题组与中国空间技术研究院钱学森空间技术实验室、北京邮电大学、北京大学深圳研究生院等单位合作,应邀在《物理进展报道》(Reports on Progress in Physics 84: 056501 (2021))发表长篇综述介绍了二维晶体管界面肖特基势垒的研究进展。 近日,吕劲课题组与北京邮电大学理学院雷鸣教授、北京大学深圳研究生院新材料学院潘锋教授等合作者再次受邀撰写题为“亚10 nm二维场效应晶体管:理论与实验”(Sub-10 […]