2018年6月23日至26日，费米科技参展了由中国材料研究学会计算材料学分会主办，河南师范大学承办的第11届计算纳米科学与新能源材料国际研讨会（CNNEM11）。 来自海内外的近500位研究者参加了本次盛会，众多杰出学者分享了自己优秀的工作。其中也包含多位费米科技的资深用户。 本届大会费米科技申请了分会报告，董栋博士与大家分享了Synopsys公司2017年的新工作“基于DFT和格林函数的材料表面模型的原理与应用”。 功能介绍 PPT下载
计算化学应用基础与ADF软件入门培训（2018年西安站和南京站）成功举办
2018年5月25日-26日，在西北大学召开的“ 计算化学应用基础与ADF软件入门培训（2018年西安站）”与2018年6月2日-3日在南京工业大学召开的“ 计算化学应用基础与ADF软件入门培训（2018年南京站）”已圆满结束。共有来自全国的近百位老师和同学参加了本次上机培训。本次培训班旨在帮助研究生新生、没有接触过计算化学的实验工作者熟练使用、深层次理解计算化学。并帮助计算化学高级用户熟悉ADF软件特色的功能，从浅入深，达到能够正确使用、理解数据的程度。 为了保证教学质量，培训名额有限。对于没有成功报名的学员，我们表示由衷地感谢和抱歉。欢迎关注费米科技微信公众号（FermiTech），及时获取培训信息、最新计算化学教程。
在线讲座：QuantumATK O-2018.06新版网络发布会（附功能亮点）
欢迎参加即将正式发布的QuantumATK 材料模拟平台O-2018.06新版功能介绍免费在线会议。QuantumATK O-2018.06即将于六月初发布，这将是自2017年9月加入Synopsys公司后的首次新版发布。 演讲人：Synopsys模拟专家Anders Blom, PhD和Umberto Martinez Pozzoni, PhD 本次在线会议共有两场，内容相同，请任选一场注册。本次大会包括40分钟现场展示和20分钟的提问时间 时间1：2018年6月13日（星期三）下午15：00-16：00 时间2：2018年6月14日（星期四）凌晨1：00-2：00 本次网络发布将重点介绍QuantumATK O-2018.06的以下新功能： 全新的平面波计算引擎（含HSE06杂化泛函） 全新的赝势 DFT计算性能的提升：块体材料和器件体系（NEGF方法） 高级的StudyObject框架，可以用于设计各种复杂的计算过程，例如： 全面的器件体系结构优化 计算IV曲线特性时同时扫描栅-源电压和源-漏偏压 模拟块体材料和界面中的电中性和带电的点缺陷 生成Special Quasi-random Structure (SQS)，模拟合金 其他新的建模功能 还有更多新功能等待你来发现！ 报名链接：报名请点击 成功注册后，你会收到一封确认信，其中含有如何参与的信息。有疑问请与quantumatk@sysnopsys.com联系。 访问www.quantumwise.com 网站获取更多QuantumATK材料模拟软件相关信息。 参加本次网络发布会的系统要求：View System Requirements。
在线讲座：使用原子级别的无参数方法模拟材料中由声子限制的电子迁移率
时间： 2018年5月23日15时-15时30分（北京时间） 2018年5月24日1时-1时30分（北京时间） 两场内容相同，请任选一个时间参加。 报名链接：报名请点击 欢迎参加本次免费在线讲座，讲座将演示如何使用第一原理方法在原子尺度上模拟声子限制的电子迁移率，考察多种材料的声子限制的电子迁移率以进一步提高器件的电子性能。例如，将具体材料的计算结果与实验数据比较来确定是否需要进一步优化加工技术和器件设计才能增强器件性能。 听众在本次在线讲座中可以了解如何使用QuantumATK（VNL-ATK）软件快速、可靠的模拟声子限制的电子迁移率。 了解Boltzmann输运方程（BTE）求解方法的基本概念，如何包含电子-声子散射效应。 学习如何使用高级图形界面NanoLab和Python脚本完成迁移率的BTE模拟，得到迁移率与载流子浓度和温度的的关系。 了解如何更好的理解材料中的电子输运。 学习石墨烯和其他二维材料和金属中的声子限制的电子迁移率计算实例。 在线讲座包含答疑时间。 QuantumATK中提供了三种计算电子弛豫时间和迁移率的方法： (k,q)-dependent全角度方法； E-dependent各向同性方法； 手动设置常数电子弛豫时间方法。 下面实例中了解介绍了BTE方法。 https://docs.quantumwise.com/tutorials/mobility/mobility.html
费米科技参加第十五届全国磁学理论会议
2018年4月13日-16日，“第十五届全国磁学理论会议”在福州成功举办，费米科技参加并参展此次会议。本次大会获得了广大的专家、学者的热烈响应，共有来自全国高校和研究机构的近300名代表参加，55位报告人做了精彩的报告，其中QuantumATK软件的用户浙江大学陆赟豪老师，华中科技大学的高国营老师和朱琳老师与大家分享了自己的工作。 会议中费米科技工程师们向参会代表展示了 通用的材料与器件模拟平台QuantumATK（原ATK）和 跨尺度计算化学平台ADF，并与众多参会代表就其关心的课题进行了深入的讨论。
在线培训：使用QuantumATK在原子尺度上模拟电子器件中的界面
界面（比如金属-半导体界面），在尺寸越来越小的电子器件体系里起着越来越重要的作用。例如，在原子水平上理解金属-半导体界面接触电阻对调控器件接触电阻很有必要。关于使用QuantumATK模拟界面的更多介绍参见TCAD News, December 2017。 课程内容 了解最先进的材料界面模拟方法（密度泛函理论+非平衡态格林函数） 创建、弛豫界面结构，对半导体进行掺杂 计算界面的电子态（能带图）以及表征界面的最重要参数：肖特基势垒和接触电阻 进行有物理意义的分析，与实验结果进行比较 了解Global Foundries和IBM Research如何使用QuantumATK研究TiGe/Ge界面；以及Imec如何使用QuantumATK研究TiSi/Si界面 最后是答疑时间。 时间：2018年2月27日16时-17时（北京时间） 2018年2月28日1时-2时（北京时间） 两场内容相同，请任选一个时间参加。 时长：1小时（含15分钟答疑） 主讲人： Daniele Stradi, PhD （Synopsys QuantumWise公司高级应用工程师） Petr Khomyakov, PhD（Synopsys QuantumWise公司高级应用工程师） 报名链接：报名请点击 费用：本次课程免费。 面向听众：本次课程主要面向电子领域的研究者和工程师，也欢迎电池、太阳能电池和其他材料学领域的研究人员参加，因为在这些领域里材料界面的模拟也是非常重要的课题。
QuantumATK独有的新功能：考虑电声耦合效应的用于更有效和准确的模拟真实的整流器和晶体管新方法
Synopsys QuantumWise公司与丹麦科技大学的研究组开发了一种处理电声耦合（EPC）效应的用低成本进行大尺度计算的方法，称为“特殊热位移（STD）-Landauer方法”[1]。EPC效应（例如声子辅助隧穿）在大尺度电子器件性能中起到核心作用，并且无论从实验和模拟角度考虑都是这一领域的主要挑战之一。STD-Landauer方法概念非常简单（见下文图片）并且在第一性原理方法模拟真实的整流器和晶体管方面比任何已有的考虑EPC效应的第一性原理输运方法都更高效。 概念 与实验结果比较 在文献[1]中，考虑了EPC效应后计算得到的二维硅n-i-n双栅场效应管和硅p-n结的伏安特性（I-V）曲线计算中和硅纳米线和块体的载流子迁移率，都与实验结果和最先进微扰理论计算结果高度吻合。因此，STD-Landauer方法将成为对下一代器件和纳米材料进行原子尺度设计的有力工具。 相关资源 案例研究：请参考根据文献[1]准备的案例研究学习如何使用STD-Landauer方法计算硅p-n节器件伏安特性曲线和投影局域态密度（PLDOS）。您可以使用VNL用户界面进行二维硅n-i-n双栅场效应管，硅p-n结和硅纳米线以及块体的建模。STD-Landauer方法和另外一种考虑电声耦合效应的计算方法MD-Landauer [3] 已经由Synopsys QuantumWise公司在International Workshop on Computational Nanotechnology研讨会上发布（幻灯片下载） 参考文献 [1] T. Gunst, T. Markussen, M. L. N. Palsgaard, K. Stokbro and M. Brandbyge, “First principles electron transport with phonon coupling: Large scale at low cost”, Phys. Rev. B 96, 161404 (R) (2017). arXiv, pages 1706.09290, 2017. URL: arXiv:1706.09290. […]
QuantumATK独有的新功能：考虑电声耦合效应能够准确和高效的计算电阻率和迁移率的新方法
Synopsys QuantumWise公司与丹麦科技大学的研究组使用QuantumATK软件发表了一篇Phys. Rev. B文章[1]。文章介绍了一种 MD-Landauer 的新方法，将格林函数输运计算和分子动力学模拟结合，准确、高效的考虑 电声耦合（EPC）效应 的影响下的电阻率和迁移率。电声耦合效应在大部分电子器件中扮演着至关重要的作用。在各种体系（如硅和金纳米线，硅和金块体，碳纳米管和石墨烯，见图表1）中，MD-Landauer方法都得到了实验结果和使用目前流行的玻尔兹曼输运方程（BTE）方法计算的验证[2]。迁移率和电阻率的计算半定量的与BTE方法计算和实验结果一致，变化趋势完全重现。这表明 MD-Landauer 方法在考虑大体系和复杂体系（如非晶，缺陷和替位）的电声耦合效应中可以代替BTE方法。全尺度密度泛函电声耦合计算已成为可实现的方法，并且MD-Landauer方法在计算时间上更为合理。 Fig.1.MD-Landauer方法的图解: 1. 体系在Maxwell-Boltzmann分布的随机初始速度和目标温度下用分子动力学平衡一系列（10-50）MD轨迹，得到该温度下的一组结构；2. 使用ATK-DFT-NEGF方法对所有得到的结构进行电子透射计算，并将透射函数进行平均得到目标温度下的透射；3. 温度相关的电阻率由得到；4. 进一步由电阻率和态密度可以得到迁移率。 相关资源 Synopsys QuantumWise公司根据此文制作了金块体电阻率计算的案例。在网站上您可以找到关于 计算透射/电阻率 和 评估迁移率（使用BTE方法）的教程。其中所涉及的如硅和金纳米线和块体，碳纳米管和石墨烯都可以使用VNL图形用户界面进行建模和结构优化。 QuantumATK在处理电声耦合效应方面更高效的方法文章也已经发表，主要介绍特殊热位移（STD）-Landauer方法(STD-Landauer)以及其在超大尺度硅器件中的应用[3]。 MD-Landauer和STD-Landauer两种方法都已经由Synopsys QuantumWise公司在International Workshop on Computational Nanotechnology会议上发布。 参考文献 [1] T. Markussen, M. Palsgaard, D. Stradi, T. Gunst, M. Brandbyge and K. Stokbro, “Electron-phonon scattering from Green’s function transport combined with molecular dynamics: Applications to mobility […]
QuantumATK在半导体和微电子工业研究中的应用—名企系列论文（7）使用QuantumATK研究降低半导体器件中的金属-半导体接触电阻
格罗方德和IBM研究院发表了使用QuantumATK的新工作，提供了原子水平的视角来研究半导体Ge和金属TiGe在亚10纳米节中的接触。此项研究为如何优化界面接触电阻的研究指明了方向。 主要发现： 此工作揭示了TiGe/Ge接触的肖特基势垒主要由TiGe的相和Ge的晶向影响。界面的原子结构对肖特基势垒影响很大，此类研究对于最高级的实验测量来说都是极具挑战性的。因此在这项研究中原子尺度模拟工具起到了至关重要的作用。QuantumATK中的原子尺度模拟工具特别适合用来模拟金属-半导体界面，因为它使用物理上正确的边界条件模拟界面并能够准确的计算半导体的能带和掺杂。 此项工作还揭示通过增加半导体的掺杂浓度，可以降低接触电阻，将肖特基势垒转变为欧姆接触，这对于亚10纳米技术节点十分重要。 与实验吻合良好 许多计算的性质，如Ge的能带，肖特基势垒，伏安特性曲线趋势和掺杂的接触电阻变化趋势都与实验结果吻合良好。结果举例请见下图表。 参考文献: [1] H. Dixit, C. Niu, M. Raymond, V. Kamineni, R. K. Pandey, Member, IEEE, A. Konar, J. Fronheiser, A. V. Carr, P. Oldiges, P. Adusumilli, N. A. Lanzillo, X. Miao, B. Sahu and F. Benistant, “First-principles Investigations of TiGe/Ge Interface and Recipes to Reduce the […]
免费在线讨论会：特殊热位移（STD）-Landauer方法模拟大尺度原子器件电－声散射效应
欢迎参加“特殊热位移（STD）-Landauer方法模拟大尺度原子器件电－声散射效应”免费在线研讨会。电－声散射效应在纳米尺度电子器件，例如整流器、晶体管中，具有重要影响。 时间：2017年12月14日 16:00～16:30（北京时间）， 2017年12月15日 03:00～03:30（北京时间） 两场内容相同，请任选一个时间参加。 报告人：来自Synopsys QuantumWise公司的Daniele Stradi, PhD和Ulrik Grønbjerg Vej-Hansen, PhD 本次研讨会面向： – 从事原子级器件模拟的ATK用户 – 从事TCAD器件模拟的工程师／研发人员 本次研讨会内容： – 为什么电－声散射效应在纳米电子器件中起到核心作用？ – STD-Landauer方法是如何考虑电流中明显包含的电－声耦合的？为何这种方法特别的高效？ – 通过硅p-n结案例（https://docs.quantumwise.com/casestudies/std_transport/std_transport.html），学习如何设置、运行STD-Landauer计算，分析结果； – STD-Landauer方法在计算半导体器件电性质方面的应用案例； – 问题与讨论 注册报名 注册后，您将受到一封确认邮件，包含参加在线研讨会的信息。关于本次在线研讨会的任何问题，请联系info@quantumwise.com 关于STD-Landauer方法，您可以点击这里了解更多：http://bit.ly/2i8wS94