界面（比如金属-半导体界面），在尺寸越来越小的电子器件体系里起着越来越重要的作用。例如，在原子水平上理解金属-半导体界面接触电阻对调控器件接触电阻很有必要。关于使用QuantumATK模拟界面的更多介绍参见TCAD News, December 2017。
课程内容
- 了解最先进的材料界面模拟方法（密度泛函理论+非平衡态格林函数）
- 创建、弛豫界面结构，对半导体进行掺杂
- 计算界面的电子态（能带图）以及表征界面的最重要参数：肖特基势垒和接触电阻
- 进行有物理意义的分析，与实验结果进行比较
- 了解Global Foundries和IBM Research如何使用QuantumATK研究TiGe/Ge界面；以及Imec如何使用QuantumATK研究TiSi/Si界面
最后是答疑时间。
时间：2018年2月27日16时-17时（北京时间）
2018年2月28日1时-2时（北京时间）
两场内容相同，请任选一个时间参加。
时长：1小时（含15分钟答疑）
主讲人：
- Daniele Stradi, PhD （Synopsys QuantumWise公司高级应用工程师）
- Petr Khomyakov, PhD（Synopsys QuantumWise公司高级应用工程师）
报名链接：报名请点击
费用：本次课程免费。
面向听众：本次课程主要面向电子领域的研究者和工程师，也欢迎电池、太阳能电池和其他材料学领域的研究人员参加，因为在这些领域里材料界面的模拟也是非常重要的课题。