文章使用密度泛函理论研究了肖特基势垒高度(Schottky Barrier Height)对界面形态的依赖,以及如何通过在 NiSi2/Si界面替位掺杂进行调制。使用 meta-GGA 交换相关泛函预测出相当精确的Si带隙。本文的研究表明,(n型半导体的)电子肖特基势垒高度在(001)方向显著低于(111)方向。这些结果定性上与界面形态依赖的肖特基势垒高度的实验结果一致。肖特基势垒高度能够通过 NiSi2/Si 界面替代掺杂显著降低,本文讨论了 Si 掺杂位点、杂质类型以及晶向对优化肖特基势垒高度的影响。
参考文献
ab-initio study on Schottky-Barrier modulation in NiSi2/Si interface
Jiseok Kim[1], Byounghak Lee[2], Yumi Park[2],Kota V R M Murali[2], Francis Benistant[3]
[1]GLOBALFOUNDRIES, Albany, NY 12203, USA
[2]GLOBALFOUNDRIES, Malta, NY 12020, USA
[3]GLOBALFOUNDRIES, Singapore 528830, Singapore
SISPAD 2015, Septempber 9-11, 2015, Washington, DC, USA