Synopsys 将举办QuantumATK P-2019.03新版在线发布会新功能推介会。 时间：2019年3月20日下午4点-5点（北京时间） 演讲人：Anders Blom, PhD and Umberto Martinez, PhD 欢迎参加。点击下面链接注册： 注册链接 QuantumATK P-2019.03将于2019年3月中旬正式发布，亮点功能： 新方法 MetaGGA SCAN 泛函 Time-stamped force-bias Monte Carlo 方法 Projector-Augmented Wave (PAW) 方法，用于 DFT PlaneWave 更快速 DFT和NEGF计算性能显著提升，特别是针对离子动力学（NEB，MD，结构优化，动力学矩阵） 经验力场计算MPI并行化 更方便 全新的脚本创建工具，支持更多自定义计算脚本功能 增强二维作图工具，支持复杂的作图编辑、创建合并作图，支持将预设作图格式用于新数据分析 新增分析工具：magnetic anisotropy energy, partial electron density, surface band structure, eigenvalues 运行基础环境升级至 Python 3 更多新功能等你来发现！ 立即试用 QuantumATK！ 申请QuantumATK的全功能试用许可  

  欢迎参加即将正式发布的QuantumATK 材料模拟平台O-2018.06新版功能介绍免费在线会议。QuantumATK O-2018.06即将于六月初发布，这将是自2017年9月加入Synopsys公司后的首次新版发布。   演讲人：Synopsys模拟专家Anders Blom, PhD和Umberto Martinez Pozzoni, PhD   本次在线会议共有两场，内容相同，请任选一场注册。本次大会包括40分钟现场展示和20分钟的提问时间 时间1：2018年6月13日（星期三）下午15：00-16：00 时间2：2018年6月14日（星期四）凌晨1：00-2：00   本次网络发布将重点介绍QuantumATK O-2018.06的以下新功能： 全新的平面波计算引擎（含HSE06杂化泛函） 全新的赝势 DFT计算性能的提升：块体材料和器件体系（NEGF方法） 高级的StudyObject框架，可以用于设计各种复杂的计算过程，例如： 全面的器件体系结构优化 计算IV曲线特性时同时扫描栅-源电压和源-漏偏压 模拟块体材料和界面中的电中性和带电的点缺陷 生成Special Quasi-random Structure (SQS)，模拟合金 其他新的建模功能 还有更多新功能等待你来发现！   报名链接：报名请点击   成功注册后，你会收到一封确认信，其中含有如何参与的信息。有疑问请与quantumatk@sysnopsys.com联系。 访问www.quantumwise.com 网站获取更多QuantumATK材料模拟软件相关信息。 参加本次网络发布会的系统要求：View System Requirements。

  时间： 2018年5月23日15时-15时30分（北京时间） 2018年5月24日1时-1时30分（北京时间） 两场内容相同，请任选一个时间参加。 报名链接：报名请点击   欢迎参加本次免费在线讲座，讲座将演示如何使用第一原理方法在原子尺度上模拟声子限制的电子迁移率，考察多种材料的声子限制的电子迁移率以进一步提高器件的电子性能。例如，将具体材料的计算结果与实验数据比较来确定是否需要进一步优化加工技术和器件设计才能增强器件性能。   听众在本次在线讲座中可以了解如何使用QuantumATK（VNL-ATK）软件快速、可靠的模拟声子限制的电子迁移率。 了解Boltzmann输运方程（BTE）求解方法的基本概念，如何包含电子-声子散射效应。 学习如何使用高级图形界面NanoLab和Python脚本完成迁移率的BTE模拟，得到迁移率与载流子浓度和温度的的关系。 了解如何更好的理解材料中的电子输运。 学习石墨烯和其他二维材料和金属中的声子限制的电子迁移率计算实例。 在线讲座包含答疑时间。   QuantumATK中提供了三种计算电子弛豫时间和迁移率的方法： (k,q)-dependent全角度方法； E-dependent各向同性方法； 手动设置常数电子弛豫时间方法。   下面实例中了解介绍了BTE方法。 https://docs.quantumwise.com/tutorials/mobility/mobility.html

  界面（比如金属-半导体界面），在尺寸越来越小的电子器件体系里起着越来越重要的作用。例如，在原子水平上理解金属-半导体界面接触电阻对调控器件接触电阻很有必要。关于使用QuantumATK模拟界面的更多介绍参见TCAD News, December 2017。   课程内容 了解最先进的材料界面模拟方法（密度泛函理论+非平衡态格林函数） 创建、弛豫界面结构，对半导体进行掺杂 计算界面的电子态（能带图）以及表征界面的最重要参数：肖特基势垒和接触电阻 进行有物理意义的分析，与实验结果进行比较 了解Global Foundries和IBM Research如何使用QuantumATK研究TiGe/Ge界面；以及Imec如何使用QuantumATK研究TiSi/Si界面 最后是答疑时间。   时间：2018年2月27日16时-17时（北京时间）             2018年2月28日1时-2时（北京时间） 两场内容相同，请任选一个时间参加。 时长：1小时（含15分钟答疑） 主讲人： Daniele Stradi, PhD （Synopsys QuantumWise公司高级应用工程师） Petr Khomyakov, PhD（Synopsys QuantumWise公司高级应用工程师）   报名链接：报名请点击   费用：本次课程免费。 面向听众：本次课程主要面向电子领域的研究者和工程师，也欢迎电池、太阳能电池和其他材料学领域的研究人员参加，因为在这些领域里材料界面的模拟也是非常重要的课题。