概述
片层(Slab)模型
与其他的周期性模型程序类似,QuantumATK 也可以用传统的 Slab 模型来描述界面体系,但Slab模型有很大的缺陷和局限:
- Slab 最大的不足是无法模拟实际表面下方通常是无限大的块体材料;
- 由于厚度有限,Slab 中的电子容易体现出量子限制的效应;
- 两个表面之间、表面与界面之间存在相互影响;
- 很难正确的在表面方向模拟外加电场;
- 经常需要表面钝化、偶极校正等额外补救措施。
双电极界面(Two-probe interface)模型与性质计算
采用双电极界面模型模拟材料界面,比Slab模型更加便捷,可以避免Slab模型的上述问题。此外,双电极模型还可以更好的研究:
- 异质结的电流-电压特性,例如:
- 漏电流
- 金属-半导体界面的肖特基势垒
- 磁性隧道结的自旋输运
- 缺陷(杂质和空位)对输运性质的影响;
- 界面上的电荷转移
使用QuantumATK研究界面体系的优势
通用、高效的计算引擎
- 传统金属-半导体界面
- 高k介电材料
- 金属、半导体纳米线
- 纳米管、金属纳米管接触
- 原子簇
- 等等
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- 快速构建各种结构模型
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亮点文章
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QuantumATK 在材料界面的最优超胞建模中的应用(D. Stradi, L. Jelver, S. Smidstrup and K. Stokbro, “Method for determining optimal supercell representation of interfaces”, J. Phys.: Condens. Matter 29 (2017) 185901 (7pp))
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界面处能带收窄导致CZTS太阳能电池开路电压损失(A. Crovetto, M. Palsgaard, T. Gunst, T. Markussen, K. Stokbro, M. Brandbyge and O. Hansen “Interface band gap narrowing behind open circuit voltage losses in Cu2ZnSnS4 solar cells”, Appl. Phys. Lett. 110, 083903 (2017).)
- 使用QuantumATK中的非平衡态格林函数方法研究材料界面(M. Palsgaard, A Crovetto, T. Gunst, T. Markussen, O. Hansen, K. Stokbro and M. Brandbyge, “Semiconductor band alignment from first principles: a new nonequilibrium Green’s function method applied to the CZTSe/CdS interface for photovoltaics”, 2016 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (sispad) – 2016, pp. 377-380.)
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非水溶锂-空气(Li-air)电池中Li2O2@Li2CO3界面对电荷输运的影响(Yedilfana S. Mekonnen, Juan M. Garcia-Lastra, Jens S. Hummelshøj, Chengjun Jin, and Tejs Vegge, “Role of Li2O2@Li2CO3 Interfaces on Charge Transport in Nonaqueous Li–Air Batteries”, The Journal of Physical Chemistry C 2015 119 (32), 18066-18073)
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金属-半导体界面接触电阻(Ganesh Hegde and R. Chris Bowen. Effect of realistic metal electronic structure on the lower limit of contact resistivity of epitaxial metal-semiconductor contacts. APPLIED PHYSICS LETTERS 105, 053511 (2014))
实例教程
- 构建Ag(100)与Au(111)的界面模型
- 如何优化材料界面的几何结构
- 原子尺度的电容
- 石墨烯-镍的界面
- 构建Si-Si3N4 的界面结构模型
- 磁性隧道结的自旋输运研究
- NiSi2–Si的界面性质
- 更多发表的文章参见【文章列表】。