参考文献：
V. M. Bermudez, J. T. Robinson, Effects of Molecular Adsorption on the Electronic Structure of Single-Layer Graphene Langmuir, 27, 11026-11036 (2011).
US Naval Research Laboratory通过实验与理论的结合研究表明，虽然二氧化硅（使用β-方石英结构作为无定形二氧化硅模型）衬底不会影响单层石墨烯的能带结构，但它却影响了水分子如何在表面的吸附。本文使用BAND的色散修正泛函DFT (revPBE-D3)研究了真空中以及在二氧化硅沉底上的单层石墨烯上，水分子的吸附状态。对于吸附能为正的情况，有必要采用Grimme’s D3色散修正。而如果不使用DFT的话，无法得到石墨烯湿润的结果。
虽然二氧化硅衬底没有影响石墨烯的电子结构，但将真空石墨烯上，水分子的结合能从207meV增大到257meV。二者吸附结构也完全不同。
另外，实验表明石墨烯上的CH2缺陷与非绝热电子激发耦合，这是一种修饰石墨烯电子结构性质的可能途径。
关键词：BAND周期性密度泛函；色散修正DFT(GGA-D3)；吸附；能带结构