修订记录

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2021/12/06 15:57 DFT-1/2 和 DFT-PPS 密度泛函方法计算电子态 – [DFT-12 和 DFT-PPS 密度泛函方法计算电子态] fermi +1 B (当前版本)
2020/06/01 21:23 DFT-1/2 和 DFT-PPS 密度泛函方法计算电子态 – [参数] xie.congwei +1.1 KB
2020/06/01 21:20 DFT-1/2 和 DFT-PPS 密度泛函方法计算电子态 – [手动设置 DFT-PPS 参数] xie.congwei +1.7 KB
2020/06/01 21:18 DFT-1/2 和 DFT-PPS 密度泛函方法计算电子态 – [Si、SiGe、Ge 的带隙和晶格常数] xie.congwei +4.7 KB
2020/06/01 21:06 DFT-1/2 和 DFT-PPS 密度泛函方法计算电子态 – [DFT-PPS 法] xie.congwei +1.9 KB
2020/06/01 21:04 DFT-1/2 和 DFT-PPS 密度泛函方法计算电子态 – [手动设置 DFT-1/2 参数] xie.congwei +1.6 KB
2020/06/01 21:01 DFT-1/2 和 DFT-PPS 密度泛函方法计算电子态 – [III-V 型半导体的带隙] xie.congwei +833 B
2020/06/01 20:59 DFT-1/2 和 DFT-PPS 密度泛函方法计算电子态 – [采用 PBE-1/2 的 InP 能带结构] xie.congwei +2.2 KB
2020/06/01 20:49 DFT-1/2 和 DFT-PPS 密度泛函方法计算电子态 – [DFT-1/2 法] xie.congwei +1.2 KB
2020/06/01 20:45 DFT-1/2 和 DFT-PPS 密度泛函方法计算电子态 – [DFT-12 和 DFT-PPS 密度泛函方法计算电子态] xie.congwei +1.4 KB
2020/06/01 20:37 DFT-1/2 和 DFT-PPS 密度泛函方法计算电子态 – 创建 xie.congwei +366 B

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