atk:半导体材料与器件
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半导体材料与器件
| 中文标题/链接 | 中文状态 | 英文链接 |
|---|---|---|
| 计算晶体能带 | 完成 | 英文 |
| 硅材料中载流子有效质量 | 完成 | 英文 |
| 载流子迁移率 | 完成 | 英文 |
| 硅的声子能带结构 | 完成 | 英文 |
| 硅的光学性质 | 完成 | 英文 |
| 电极化 | 英文 | |
| 单轴、双轴应力下的硅 | 英文 | |
| 半导体能带中的自旋轨道耦合劈裂 | 翻译中 | 英文 |
| 随机合金 InGaAs 的有效能带结构 | 正在上传(X) | 英文 |
| Si(100)表面的复数能带 | 待上传(L) | 英文 |
| 拓扑绝缘体 | 翻译中 | 英文 |
| Ag-Si界面的肖特基势垒和电输运性质 | 完成 | 英文 |
| 硅 p-n 结 | 完成 | 英文 |
| Meta-GGA 和二维受限的砷化铟 | 英文 | |
| InAs p-i-n 结 | 英文 |
atk/半导体材料与器件.1536207136.txt.gz · 最后更改: 2018/09/06 12:12 由 fermi