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atk:模拟气相沉积薄膜生长过程

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atk:模拟气相沉积薄膜生长过程 [2016/09/19 17:58] – [参考文献] nie.hanatk:模拟气相沉积薄膜生长过程 [2018/03/20 22:15] (当前版本) – liu.jun
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 在本实例中你将模拟在晶体碳化硅（SiC）基底上生长SiC，与文献[1]中的研究类似。你将使用半经验势，相比从头算方法（譬如DFT方法），它能进行更大系统和更大时间规模的模拟。本例中的模拟主要是物理气相沉积（PVD）方法。当然，如果包含了描述化学反应的合适的力场，或者有充足的计算资源来使用从头算方法，化学气相沉积（CVD）过程原则上也是可以进行模拟的。 在本实例中你将模拟在晶体碳化硅（SiC）基底上生长SiC，与文献[1]中的研究类似。你将使用半经验势，相比从头算方法（譬如DFT方法），它能进行更大系统和更大时间规模的模拟。本例中的模拟主要是物理气相沉积（PVD）方法。当然，如果包含了描述化学反应的合适的力场，或者有充足的计算资源来使用从头算方法，化学气相沉积（CVD）过程原则上也是可以进行模拟的。
  
-对于本实例来说，你需要熟悉在[[atk:分子动力学基础|分子动力学基础]]中描述的分子动力学基本功能。你将学到如何使用Python脚本语言和ATK分子动力学常规中的挂钩功能（hook functionality）来运行高级的模拟。+对于本实例来说，你需要熟悉在[[atk:分子动力学基础|分子动力学基础]]中描述的分子动力学基本功能。你将学到如何使用Python脚本语言和QuantumATK分子动力学常规中的挂钩功能（hook functionality）来运行高级的模拟。
  
 <WRAP center round info 100%> <WRAP center round info 100%>
 **小提示 ！** **小提示 ！**
-在文献[1]中使用的修正嵌入原子模型（MEAM）目前在VNL-ATK中不可用。你将使用Tersoff势来代替，它并不会产生如参考文献中那样的层状晶体。模拟技术显然独立于势能的选取，因此对各种材料都适用。+在文献[1]中使用的修正嵌入原子模型（MEAM）目前在QuantumATK中不可用。你将使用Tersoff势来代替，它并不会产生如参考文献中那样的层状晶体。模拟技术显然独立于势能的选取，因此对各种材料都适用。
 </WRAP> </WRAP>
  
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 ===== 模拟策略 ===== ===== 模拟策略 =====
  
-运行一个沉积模拟需要一些不同的技术。与通常的平衡态分子动力学模拟最主要的不同是，随着蒸汽原子或分子的引入，整个系统的粒子数随之增加。在VNL-ATK中有两种策略来实现：+运行一个沉积模拟需要一些不同的技术。与通常的平衡态分子动力学模拟最主要的不同是，随着蒸汽原子或分子的引入，整个系统的粒子数随之增加。在QuantumATK中有两种策略来实现：
  
 1.为每个新引进的原子或者分子运行一次新的模拟。通过在已沉积原子/分子上连续添加新的原子/分子可以实现整个沉积的模拟。 1.为每个新引进的原子或者分子运行一次新的模拟。通过在已沉积原子/分子上连续添加新的原子/分子可以实现整个沉积的模拟。
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 2.将所有需要沉积的原子或分子放在模拟晶胞的库（reservoir）中。对于每个新的沉积过程，从库中取出一个原子把它放在基底上方。 2.将所有需要沉积的原子或分子放在模拟晶胞的库（reservoir）中。对于每个新的沉积过程，从库中取出一个原子把它放在基底上方。
  
-第一个方法的好处是只有真正需要的原子才出现在模拟晶胞中，这提高了模拟效率。然而，由于原子数在变化，在VNL-ATK中不可能将整个模拟保存在一个[[http://www.quantumwise.com/documents/manuals/latest/ReferenceManual/index.html/ref.mdtrajectory.html|MD Trajectory]]中用以后续的可视化和分析。所以，本实例选取了第二种方法。当准备模拟时，我们必须注意在库中的原子不会与系统活跃部分有显著的相互作用，尤其是吸附发生的表面。在本实例中，库将会呈现为放在紧挨着基底底部的晶体。+第一个方法的好处是只有真正需要的原子才出现在模拟晶胞中，这提高了模拟效率。然而，由于原子数在变化，在QuantumATK中不可能将整个模拟保存在一个[[http://www.quantumwise.com/documents/manuals/latest/ReferenceManual/index.html/ref.mdtrajectory.html|MD Trajectory]]中用以后续的可视化和分析。所以，本实例选取了第二种方法。当准备模拟时，我们必须注意在库中的原子不会与系统活跃部分有显著的相互作用，尤其是吸附发生的表面。在本实例中，库将会呈现为放在紧挨着基底底部的晶体。
 {{ :atk:reservoir_schematic.png?400 |}} {{ :atk:reservoir_schematic.png?400 |}}
  
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 **注意** **注意**
- +在2016版ATK中，NVT Nose–Hoover方法是通过NVTNoseHoover级来实现，所需脚本如上面下载提供。但是在2015版的ATK或者更早的版本，这级命名为NVTNoseHooverChain。所需脚本请在{{ :atk:script_deposit_sic_atk2015.rar |Script_deposit_SiC_atk2015.py}}下载。
-In ATK version 2016, the NVT Nose–Hoover method is implemented in the NVTNoseHoover class, which is the one used in the script provided above. However, in ATK version 2015 and earlier, that class is named NVTNoseHooverChain. The script provided above will therefore not work with ATK 2015 and earlier. Use instead this script: Script_deposit_SiC_atk2015.py.+
 </WRAP> </WRAP>
 +
  
  
行 285: 行 285:
  
 这个模拟技术原则上适用于各种材料。当然，你可能会需要在脚本中做一些修改，比如调整元素。除了单原子，你也可以沉积整个分子。对于生产模拟你或许需要增加库的层数来得到一个大的沉积薄膜。你还可以对其他参数比如温度或者沉积间隔进行调整。沉积频率，也就是沉积间隔的倒数，可以通过Hertz- Knudsen方程与蒸汽压建立联系（参见[3]）: 这个模拟技术原则上适用于各种材料。当然，你可能会需要在脚本中做一些修改，比如调整元素。除了单原子，你也可以沉积整个分子。对于生产模拟你或许需要增加库的层数来得到一个大的沉积薄膜。你还可以对其他参数比如温度或者沉积间隔进行调整。沉积频率，也就是沉积间隔的倒数，可以通过Hertz- Knudsen方程与蒸汽压建立联系（参见[3]）:
-\frac{dN_i}{dt} = \frac{p_i A}{\sqrt{2 \pi m_i k_B T}} \, , + 
-其中p_i表示原子/分子i的分压，A表示表面积，m_i表示原子/分子质量。+$\frac{dN_i}{dt}=\frac{p_i A}{\sqrt{2 \pi m_i k_B T}}$, 
 + 
 +其中$p_i$表示原子/分子i的分压，A表示表面积，$m_i$表示原子/分子质量。
  
 插入模拟中的参数，你将会发现相应的蒸汽压大约为66 bar，远远大于典型的实验的近真空状态。这方面显示了此类模拟的一个显著缺点，由于在多数情况下可达到的模拟时间不允许实际压力值的使用，致使时间分辨解析生长动力学很困难。本质上，这意味着粒子以过高的速率撞击，由于反应热从表面到受恒温器控制的块体基底传的不够快，将导致局部加热的增加。然而，所获的沉积薄膜的结构模型在多数情况下可被视为真实薄膜结构的一个很好的近似。你应当记住实行模拟的条件，并考虑这些条件是否会对沉积结构产生影响。 插入模拟中的参数，你将会发现相应的蒸汽压大约为66 bar，远远大于典型的实验的近真空状态。这方面显示了此类模拟的一个显著缺点，由于在多数情况下可达到的模拟时间不允许实际压力值的使用，致使时间分辨解析生长动力学很困难。本质上，这意味着粒子以过高的速率撞击，由于反应热从表面到受恒温器控制的块体基底传的不够快，将导致局部加热的增加。然而，所获的沉积薄膜的结构模型在多数情况下可被视为真实薄膜结构的一个很好的近似。你应当记住实行模拟的条件，并考虑这些条件是否会对沉积结构产生影响。
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 [1] (1, 2, 3) Kang, K.-H; Eun, T.; Jun, M.-C.; Lee, B.-J.: Governing factors for the formation of 4H or 6H-SiC polytype during SiC crystal growth: An atomistic computational approach. J. Cryst. Growth, 389, 120 (2014) [1] (1, 2, 3) Kang, K.-H; Eun, T.; Jun, M.-C.; Lee, B.-J.: Governing factors for the formation of 4H or 6H-SiC polytype during SiC crystal growth: An atomistic computational approach. J. Cryst. Growth, 389, 120 (2014)
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 [2] P. Erhart and K. Albe: Analytical potential for atomistic simulations of silicon, carbon, and silicon carbide. Physical Review B, 71, 035211, (2005) [2] P. Erhart and K. Albe: Analytical potential for atomistic simulations of silicon, carbon, and silicon carbide. Physical Review B, 71, 035211, (2005)
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 [3] K. Reuter: First-Principles Kinetic Monte Carlo Simulations for Heterogeneous Catalysis: Concepts, Status, and Frontiers. in “Modeling Heterogeneous Catalytic Reactions: From the Molecular Process to the Technical System”, Wiley-VCH (2011) [3] K. Reuter: First-Principles Kinetic Monte Carlo Simulations for Heterogeneous Catalysis: Concepts, Status, and Frontiers. in “Modeling Heterogeneous Catalytic Reactions: From the Molecular Process to the Technical System”, Wiley-VCH (2011)
  
atk/模拟气相沉积薄膜生长过程.1474279132.txt.gz · 最后更改: 2016/09/19 17:58 由 nie.han

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