atk:使用pbe和hse06泛函计算gaas的能带结构
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| 我们将使用PBE和HSE06密度泛函来计算GaAs的能带结构。后者使用准确交换（exact exchange）的一种带有屏蔽的变体。HSE06计算量更大，但是通常比标准GGA方法准确。请见参考文献[HSE03], | 我们将使用PBE和HSE06密度泛函来计算GaAs的能带结构。后者使用准确交换（exact exchange）的一种带有屏蔽的变体。HSE06计算量更大，但是通常比标准GGA方法准确。请见参考文献[HSE03], | ||
| - | <WRAP center info 80%> | + | <WRAP center info> |
| ==== 提示 ==== | ==== 提示 ==== | ||
| - | 要使用VNL-ATK中的FHI-aims计算，license文件中需要包括ATKFHIAIMS功能。请[[http:// | + | * 要使用QuantumATK中的FHI-aims计算，license文件中需要包括QuantumATKFHIAIMS功能。 |
| + | * QuantumATK 从 2017 版开始不再包含FHI-aims吗，原有的永久版权用户可以继续使用。 | ||
| + | * QuantumATK从2018版开始包含自主开发的平面波程序（ATK-DFT-PlaneWave），支持HSE06杂化泛函计算。ATK-DFT-PlaneWave支持更多的计算选项。 | ||
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| - | <WRAP center info 80%> | + | <WRAP center info> |
| ==== 提示 ==== | ==== 提示 ==== | ||
| - | 本教程假定您在使用Virtual Nanolab（VNL）计算并查看结果方面有一定的经验。如果您之前没有用过VNL，请参考基本[[atk: | + | 本教程假定您在使用Virtual Nanolab（VNL）计算并查看结果方面有一定的经验。如果您之前没有用过VNL，请参考基本[[atk: |
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| ==== 警告 ==== | ==== 警告 ==== | ||
| 本教程为了缩短计算时间，使用了较低准确度的设置。在进行需要发表的科学研究工作中，请记得仔细考察K点网格、基组和积分网格的相关设置的收敛性。 | 本教程为了缩短计算时间，使用了较低准确度的设置。在进行需要发表的科学研究工作中，请记得仔细考察K点网格、基组和积分网格的相关设置的收敛性。 | ||
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| - | 这个计算应该只需要几分钟，之后GaAs能带结构将会出现在 LabFloor 窗口中。使用 Bandstructure Analyzer 可以进行可视化，还可以在费米能级附近放大。 | + | 这个计算应该只需要几分钟，之后GaAs能带结构将会出现在 |
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| ==== 注意 ==== | ==== 注意 ==== | ||
| 请注意以上结果仅仅是由中等准确度（“Light” 积分网格 和 “Tier 1” 基组）和粗糙的K点网格得到。如果使用 Tight 设置，更多的基函数和更多K点可以给出不同的结果（很好的收敛）。详见下面。 | 请注意以上结果仅仅是由中等准确度（“Light” 积分网格 和 “Tier 1” 基组）和粗糙的K点网格得到。如果使用 Tight 设置，更多的基函数和更多K点可以给出不同的结果（很好的收敛）。详见下面。 | ||
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