用户工具

站点工具


adf:hbd-hba

差别

这里会显示出您选择的修订版和当前版本之间的差别。

到此差别页面的链接

两侧同时换到之前的修订记录前一修订版
后一修订版
前一修订版
adf:hbd-hba [2023/08/22 21:43] liu.junadf:hbd-hba [2023/08/22 22:27] (当前版本) liu.jun
行 12: 行 12:
  
 {{ :adf:hbd-hba.jpg?500 }} {{ :adf:hbd-hba.jpg?500 }}
 +
 +而 σ-potential 则描述对不同屏蔽电荷密度 σ 的亲和程度(负的越多,亲和越强)。因此可以对照组分 A 的 σ-profile 与组分 B 的 σ-potential,来评估 A-B 形成氢键的可能性。当然也可以直接看 A、B 的 σ-profile 是否存在强 HBA、HBD 区来评估。当然这种方法是非常粗略的,没有考虑可能存在的空间位阻的影响。
adf/hbd-hba.1692711783.txt.gz · 最后更改: 2023/08/22 21:43 由 liu.jun

© 2014-2022 费米科技(京ICP备14023855号