虽然LDA和GGA计算，对于Si（以及大部分其他半导体材料）得不到合适的带隙，但这些“简单”的泛函却能够很好的预测几何结构性质。在本文中，将演示如何使用ATK研究所谓的Si（100）表面不对称二聚重构。

本文着重关注物理以及如何正确的设置模型，而非如何操作VNL。本文假定读者已经有了建模队经验（例如切开表面），以及设置计算、查看结果，因此提到具体步骤，不再非常详尽的解释。

1，启动VNL并打开Builder

2，从数据库添加alpha硅晶体结构（Add ‣ From Database）

3，打开Builders ‣ Surface (Cleave)

  * 通过输入对应的米勒指数，沿100面切开晶体
        * 因为二聚重构只发生在2x1超胞，所以需要创建较大的表面单胞，而不是用最小表面单胞。因此在第二页窗口中设置V<sub>2</sub>=2u<sub>2</sub>

在表面建模工具的最后一页选择Slab厚度为4.5层（默认真空厚度是合适的）

4，将结构沿所有方向居中（Coordinate Tools ‣ Center）

5，选择z坐标值最小的两个Si原子，点击几次Rattle工具，对这两个原子的位置产生随机的小扰动。这是因为完全对称的状态是超稳定的结构，最好不要从这种状态开始优化

6，选择Z坐标值最大的两个Si原子，使用加氢钝化，从而使得所有的Si原子饱和

生成的结构如下图所示：