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| atk:quantumatk在半导体领域的计算实例教程 [2021/12/06 15:34] – fermi | atk:quantumatk在半导体领域的计算实例教程 [2022/03/22 10:33] (当前版本) – [界面] fermi |
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| ====== QuantumATK在半导体领域的计算实例教程 ====== | ====== QuantumATK在半导体领域的计算实例教程 ====== |
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| ===== 半导体材料性质研究 ===== | ===== QuantumATK在半导体材料与电子器件模拟中的应用方案 ===== |
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| * **[[atk:生成能|形成能]]** | * [[https://www.fermitech.com.cn/solutions/electronics/|费米科技半导体材料与电子器件解决方案]] |
| * **[[atk:硅材料中载流子有效质量|载流子有效质量（EffectiveMass）]]** | * [[https://www.fermitech.com.cn/quantumatk/app-electronics/|QuantumATK在电子材料与器件中的应用]] |
| * **[[atk:迁移率|载流子迁移率（Mobility）]]** | * [[https://www.fermitech.com.cn/quantumatk/app-photovoltaic/|光伏材料的计算模拟与器件仿真]] |
| * **[[atk:带电点缺陷的形成能（手动方法）|带电点缺陷的形成能（手动方法）]]** | |
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| | ===== 半导体材料性质模拟 ===== |
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| | ==== 电子态 ==== |
| * [[atk:DFT-1/2和DFT-PPS密度泛函方法计算电子态|DFT-1/2和DFT-PPS密度泛函方法计算电子态]]([[https://docs.quantumatk.com/tutorials/dft_half_pps/dft_half_pps.html|英文教程]]) | * [[atk:DFT-1/2和DFT-PPS密度泛函方法计算电子态|DFT-1/2和DFT-PPS密度泛函方法计算电子态]]([[https://docs.quantumatk.com/tutorials/dft_half_pps/dft_half_pps.html|英文教程]]) |
| | * 半导体能带结构的自旋轨道分裂 |
| | * InGaAs随机合金模拟的虚拟晶体近似 |
| | * [[atk:dft-1:2和dft-pps密度泛函方法计算电子态|DFT-1/2 和 DFT-PPS 密度泛函方法计算电子态]] |
| | * [[拓扑绝缘体|Bi2Se3拓扑绝缘体]] |
| | * [[InGaAs随机合金的有效能带结构]] |
| | * [[Si(100) 表面的复数能带]] |
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| | ==== 载流子性质 ==== |
| | * [[atk:硅材料中载流子有效质量|载流子有效质量（EffectiveMass）]] |
| | * [[atk:迁移率|载流子迁移率（Mobility）]] |
| * [[https://docs.quantumatk.com/tutorials/elastic_scattering_impurity_in_si_nanowire/elastic_scattering_impurity_in_si_nanowire.html|硅纳米线中的弹性散射、自由程和迁移率]]（英文教程） | * [[https://docs.quantumatk.com/tutorials/elastic_scattering_impurity_in_si_nanowire/elastic_scattering_impurity_in_si_nanowire.html|硅纳米线中的弹性散射、自由程和迁移率]]（英文教程） |
| * **[[atk:半导体材料点缺陷研究]]** | |
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| | ==== 光学性质 ==== |
| | * [[硅的光学性质]] |
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| | ==== 点缺陷 ==== |
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| | * [[atk:生成能|形成能]] |
| | * [[atk:带电点缺陷的形成能（手动方法）|带电点缺陷的形成能（手动方法）]] |
| | * [[atk:半导体材料点缺陷研究]] |
| | * 带电缺陷的形成能和跃迁能级 |
| | * [[半导体材料点缺陷研究|使用Sentaurus Materials Workbench研究点缺陷]] |
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| | * QuantumATK与Synopsys工具的耦合 |
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| | ==== 界面 ==== |
| | * [[atk:NiSi2-Si界面]] |
| ===== 电子器件性能仿真 ===== | ===== 电子器件性能仿真 ===== |
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| * **[[使用IVCharacteristics工具计算分析器件的电流电压特性]]** | * [[使用IVCharacteristics工具计算分析器件的电流电压特性]] |
| * **[[atk:使用ATK研究电子输运|使用QuantumATK研究电子输运]]** | * [[atk:使用ATK研究电子输运|使用QuantumATK研究电子输运]] |
| * **[[atk:如何弛豫器件体系的几何结构|如何弛豫器件体系的几何结构]]** | * [[atk:如何弛豫器件体系的几何结构|如何弛豫器件体系的几何结构]] |
| * **[[atk:伏安特性曲线（IV曲线）]]** | * [[atk:伏安特性曲线（IV曲线）]] |
| * **[[atk:分子器件模拟]]** | * [[atk:分子器件模拟]] |
| * **[[atk:硅p-n结中的非弹性电流]]**([[https://docs.quantumatk.com/tutorials/inelastic_current_in_si_pn_junction/inelastic_current_in_si_pn_junction.html|英文教程]]) | * [[atk:硅p-n结中的非弹性电流]]([[https://docs.quantumatk.com/tutorials/inelastic_current_in_si_pn_junction/inelastic_current_in_si_pn_junction.html|英文教程]]) |
| * **[[atk:硅p-n结中的光电流]]**([[https://docs.quantumatk.com/tutorials/photocurrent/photocurrent.html|英文教程]]) | * [[atk:硅p-n结中的光电流]]([[https://docs.quantumatk.com/tutorials/photocurrent/photocurrent.html|英文教程]]) |
| * **[[atk:使用OptimizeDeviceConfiguration Study Object弛豫器件结构]]**([[https://docs.quantumatk.com/tutorials/optimize_device_configuration/optimize_device_configuration.html|英文教程]]) | * [[atk:使用OptimizeDeviceConfiguration Study Object弛豫器件结构]]**([[https://docs.quantumatk.com/tutorials/optimize_device_configuration/optimize_device_configuration.html|英文教程]]) |
| | * [[硅p-n结]] |
| | * [[InAs p-i-n 结]] |
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| | ===== Sentaurus Materials Workbench工具 ===== |
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| | * [[http://docs.quantumatk.com/tutorials/deposition_si/deposition_si.html|模拟用硅烷进行硅沉积的过程]]（英文） |
| | * [[http://docs.quantumatk.com/tutorials/smw_defects/smw_defects.html|使用Sentaurus Materials Workbench研究点缺陷]]（英文） |
| | ===== 全部相关的英文教程 ===== |
| | * [[https://docs.quantumatk.com/tutorials/semiconductors.html]] |
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| | {{tag>[半导体 教程]}} |
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