atk:inas_p-i-n_结

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--- atk:inas_p-i-n_结 [2017/03/21 17:13] – [建立FET器件结构模型] dong.dong
+++ atk:inas_p-i-n_结 [2018/03/20 22:06] (当前版本) – liu.jun
@@ 行 82: / 行 82: @@
 </WRAP>
-将脚本用Editor打开。ATK中缺少定义 H-端基的 InAs 紧束缚基组，下面脚本中提供了这个基组。在 ''InAs_5nm.py'' 中，将 Calculator一段用以下替代：
+将脚本用Editor打开。QuantumATK中缺少定义 H-端基的 InAs 紧束缚基组，下面脚本中提供了这个基组。在 ''InAs_5nm.py'' 中，将 Calculator一段用以下替代：
 <code python>
@@ 行 314: / 行 314: @@
 </code>
-现在结构看上去如下图。
+将脚本发回到Builder，现在结构看上去如下图。
 {{ :atk:inas_pin_viewer.png?600 |}}
+=== 定义掺杂 ===
+在新版的 VNL 中，掺杂变得十分容易，可以直接在图形界面上实现。
+为此，我们先选定左侧三分之一区域的原子（与左电极）设置掺杂为 p 型，浓度 $10^{19}$；右侧设置为 n 型，浓度 $10^{19}$。
+  * 使用表达式选择工具比直接用鼠标拖选要方便得多。打开 ''Selection Tools'' -> ''By Expression''，输入“c<0.33”，按回车键（注意观察选定原子的情况）；
+  * 打开 ''Miscellaneous''->''Doping''，添加一个新的掺杂区域，并设为p型，浓度为默认$10^{19}$；
+  * 打开 ''Selection Tools'' -> ''By Expression''，输入“c>0.66”，按回车键（注意观察选定原子的情况）；（设置 underlap 结构时，输入“c>0.833”）
+  * 打开 ''Miscellaneous''->''Doping''，添加一个新的掺杂区域，并设为n型，浓度为默认$10^{19}$。
 接下来，将结构发送到 **Script Generator** 来设置计算。

atk/inas_p-i-n_结.1490087632.txt.gz · 最后更改: 2017/03/21 17:13 由 dong.dong

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