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版本:2017.2
由电子-声子相互作用产生的非弹性散射效应在确定通过器件的载流子传输中起到了基本作用。在本教程中,你将研究在反向偏压情况下,这种效应对通过硅 $p$-$n$ 结中电流的影响。在这个系统中,载流子的传输主要是由 $p$ 区价带和 $n$ 区导带之间的带间隧穿控制。非弹性散射效应可大大增强该过程。
具体来说,您将使用 ATK 中可应用的 InelasticTransmissionSpectrum 模块来计算在电子-声子相互作用的情况下器件的透射光谱。您还将使用 QuantumATK 中的 Inelastic Transmission Spectrum Analyzer 插件对电流进行详细分析,并确定哪种声子模是造成电流增强的主要原因。
QuantumATK 中采用的方法基于 Lowest Order Expansion (LOE) [FPBJ07] 法和 eXtended LOE (XLOE) [LCF + 14] 法。在本教程中,您将使用 XLOE 法,该方法处理 $\mathbf{k} \to \mathbf{k}\pm\mathbf{q}$ 过渡中初始态和最终态间的有限能量差时会由于电子-声子的耦合而更精确。然而也可以使用更简单的 LOE 法执行本教程,将会获得定性相似的结果。您可以在 ATK 手册 InelasticTransmissionSpectrum 模块的“注释”部分中找到有关这两种方法的更多详细理论信息。
为构建器件,您可以按照 Silicon p-n junction 教程中“构建器件”部分的说明进行操作。但在本教程中,您将创建一个较短的器件以加快计算速度。在 Builder,按照以下变动创建器件:
您可以在此处下载生成的器件构型:↓ Si_pn_junction.py。
在本节,您将计算分析 $p$-$n$ 结在反向偏压 $V_\mathrm{bias} = -0.4\ \mathrm{V}$ 下的电子结构,以及使用 ATK 中 TransmissionSpectrum 模块里常规 Landauer 公式获得的没有电子-声子相互作用的相关传输光谱。