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atk:硅p-n结中的光电流

这是本文档旧的修订版!


硅 p-n 结中的光电流

版本:O-2018.06

在本教程中,您将学习如何计算照明下通过器件的光电流。我们研究的对象是一个 7.6 nm 大小的硅 p-n 结,同时也展示了 QuantumATK O-2018.06 发行版中引入的 Photocurrent Analyzer。

[1] 和 ATK 手册中 Photocurrent 所述,光电流是通过将电子-声子的相互作用加到器件的哈密顿量中,采用一阶微扰理论计算得到。

器件基态

首先,您将执行器件的自洽计算。然后,利用基态器件哈密顿量计算和分析光电流。

您应该使用脚本 ↓ silicon_pn_junction.py 运行基态计算—脚本中定义了掺杂的器件构型和合适的 NEGF 计算器。结果保存在 silicon pn_ju junction.hdf5 中。只需下载脚本,并利用 Job manager 运行它。计算完成后,您可以在 LabFloor 上看到 silicon pn_junction.hdf5 文件。计算采用 4 个 MPI 进程大约需要 20 分钟。

下面还提供了构建器件构型和设置 NEGF 计算的简要说明

硅 p-n 结

NEGF 计算

光电流

参考

atk/硅p-n结中的光电流.1582903749.txt.gz · 最后更改: 2020/02/28 23:29 由 xie.congwei

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