atk:硅的光学性质
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| 需要注意的是，TB09泛函不能用于计算材料的精确能量，只能用于计算材料的电子结构。材料体系的精确能量和几何结构可以基于GGA-PBE泛函得到。 | 需要注意的是，TB09泛函不能用于计算材料的精确能量，只能用于计算材料的电子结构。材料体系的精确能量和几何结构可以基于GGA-PBE泛函得到。 | ||
| - | 在这里，我们假定你已经熟悉**VNL**的基本工作流程，如[[atk: | + | 在这里，我们假定你已经熟悉**VNL**的基本工作流程，如[[atk: |
| 本教程使用硅作为计算实例。与绝大多数半导体类似，GGA和LDA方法均会严重低估Si的带隙（0.5eV到0.6eV）。但是，利用TB09计算得到的带隙值（1.18eV）会与实验值非常接近。此外，利用**QuantumATK**的光学性质计算模块，Si的准确介电常数也可以得到，与实验值仅相差百分之几。 | 本教程使用硅作为计算实例。与绝大多数半导体类似，GGA和LDA方法均会严重低估Si的带隙（0.5eV到0.6eV）。但是，利用TB09计算得到的带隙值（1.18eV）会与实验值非常接近。此外，利用**QuantumATK**的光学性质计算模块，Si的准确介电常数也可以得到，与实验值仅相差百分之几。 | ||
atk/硅的光学性质.1529029051.txt.gz · 最后更改: 2018/06/15 10:17 由 fermi